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公开(公告)号：CN110028963B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201910027235.2
申请日：2019-01-11
IPC: C09K11/70 , C09K11/88 , C09K11/02 , H10K59/50 , H10K59/12 , H10K50/115 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 公开量子点、量子点‑聚合物复合物、和显示装置，所述量子点包括包含第一半导体纳米晶体的芯和设置在所述芯上并且包括至少两个层的多层壳。所述量子点不包括镉；所述第一半导体纳米晶体包括III‑V族化合物，所述多层壳包括：围绕所述芯的表面的至少一部分的第一层，所述第一层包括第二半导体纳米晶体，所述第二半导体纳米晶体包括II‑V族化合物；和设置在所述第一层上的第二层，所述第二层包括第三半导体纳
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公开(公告)号：CN107722184A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710684626.2
申请日：2017-08-11
IPC: C08F265/02 , C08F222/14 , C08F2/48 , C08K3/32 , C08K3/30 , C08K5/37 , C08K3/16 , C09K11/70 , C09K11/02
CPC classification number: C09K11/08 , C01P2004/03 , C01P2004/60 , C01P2004/62 , C09K11/025 , H01L33/06 , H01L33/28 , H01L33/30 , H01L33/34 , H01L33/502 , H01L2924/0001 , H01L2933/0033 , C08F265/02 , C08F2/48 , C08K3/16 , C08K3/30 , C08K3/32 , C08K5/37 , C08K2003/168 , C08K2003/3036 , C09K11/02 , C09K11/703 , C08F222/14
Abstract: 公开量子点聚集体颗粒、其制造方法、以及包括其的组合物、复合物和电子装置。所述量子点聚集体颗粒包括多个量子点、多价金属化合物、和在其末端处具有至少两个硫醇基团的硫醇化合物，其中所述量子点聚集体颗粒的尺寸在约20纳米-10微米的范围内。
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公开(公告)号：CN108102640B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201711175767.8
申请日：2017-11-22
IPC: C09K11/02 , C09K11/88 , C07C391/00 , C07F3/08 , B82Y20/00 , G03F7/004 , G03F7/027 , B32B17/06 , B32B27/36 , B32B27/34 , B32B27/30 , B32B27/28 , B32B27/06 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B33/00 , B32B38/00 , B32B38/16 , G02F1/13357
Abstract: 公开量子点、包括其的组合物或复合物、和包括其的装置。所述量子点包括半导体纳米晶体颗粒和结合至所述半导体纳米晶体颗粒的表面的配体。所述配体包括第一配体和第二配体。所述第一配体包括由化学式1表示的化合物且所述第二配体包括由化学式2表示的化合物，其中M、n和A与说明书中定义的相同；和其中，R1、L1、Y1、R、k1和k2与说明书中定义的相同。化学式1MAn化学式2
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公开(公告)号：CN107722184B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201710684626.2
申请日：2017-08-11
IPC: C08F265/02 , C08F222/14 , C08F2/48 , C08K3/32 , C08K3/30 , C08K5/37 , C08K3/16 , C09K11/70 , C09K11/02
Abstract: 公开量子点聚集体颗粒、其制造方法、以及包括其的组合物、复合物和电子装置。所述量子点聚集体颗粒包括多个量子点、多价金属化合物、和在其末端处具有至少两个硫醇基团的硫醇化合物，其中所述量子点聚集体颗粒的尺寸在约20纳米‑10微米的范围内。
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公开(公告)号：CN110028969B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201910027234.8
申请日：2019-01-11
Abstract: 公开量子点的群、其制造方法、量子点‑聚合物复合物和显示装置。所述量子点的群包括多个不含镉的量子点，所述多个不含镉的量子点包括：包含铟和磷的半导体纳米晶体芯、设置在所述半导体纳米晶体芯上并且包含锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、和设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包含锌和硫的第二半导体纳米晶体壳，其中所述多个不含镉的量子点的平均颗粒尺寸大于或等于约5.5nm，所述多个不含镉的量子点的颗粒尺寸的标准偏差小于或等于所述平均颗粒尺寸的约20％，和所述多个不含镉的量子点的平均实度大于或等于约0.85。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110028948B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201910026870.9
申请日：2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及无镉量子点、其制造方法、包括其的组合物、量子点‑聚合物复合物和显示器件。无镉量子点不包括镉且包括：包括铟和磷的半导体纳米晶体核、设置在所述半导体纳米晶体核上并且包括锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、以及设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包括锌和硫的第二半导体纳米晶体壳。
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公开(公告)号：CN106893136B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201611165946.9
申请日：2016-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供量子点‑聚合物微粉化复合物、其制造方法、以及包括其的制品和电子器件。所述量子点‑聚合物微粉化复合物包括：第一聚合物基体；分散在所述第一聚合物基体中的多个量子点；以及选自如下的添加剂的至少一种：嵌入所述第一聚合物基体中的粘土颗粒和分散在所述第一聚合物基体中的金属卤化物，其中所述量子点‑聚合物微粉化复合物具有小于或等于约100微米的平均粒度。
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公开(公告)号：CN110028948A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910026870.9
申请日：2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及无镉量子点、其制造方法、包括其的组合物、量子点-聚合物复合物和显示器件。无镉量子点不包括镉且包括：包括铟和磷的半导体纳米晶体核、设置在所述半导体纳米晶体核上并且包括锌和硒的第一半导体纳米晶体壳、以及设置在所述第一半导体纳米晶体壳上并且包括锌和硫的第二半导体纳米晶体壳。
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公开(公告)号：CN105739170A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510887861.0
申请日：2015-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13357
CPC classification number: F21V9/16 , F21V9/30 , G02B6/0026 , G02B6/0046 , G02B6/0051 , G02B6/0073 , G02F1/133514 , G02F1/1336 , G02F1/133603 , G02F2001/133614 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , G02F1/133606 , G02F2001/133607
Abstract: 本公开提供了光源以及包括光源的背光单元和液晶显示器。光源包括发射光的发光元件和将从发光元件发射的光转变为白光并发射该白光的光转换层，其中光转换层包括树脂以及与树脂混合的量子点材料，白光的彩色区的红色顶点在色坐标中位于0.65
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