白光发光器件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108799849B

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN201810408101.0

    申请日:2018-04-28

    Abstract: 提供了一种白光发光器件。该白光发光器件可以包括:蓝光发光二极管,配置为发射蓝光;以及多种波长转换材料,配置为基于被所述蓝光激发而将所述蓝光转换为具有不同波长的光,并且基于所述转换发射白光,其中所发射的白光与以下项目相关联:78‑89范围内的照明工程学会(IES)TM‑30‑15保真度指数(Rf),7%至16%范围内的IES TM‑30‑15色调的色度变化指数Rcs15,7%至16%范围内的IES TM‑30‑15色调的色度变化指数Rcs16表,以及白色样品对所发射的白光的反射谱与国际照明委员会(CIE)标准光源D65之间的颜色差异等于或小于106。

    非接触式通信装置和包括非接触式通信装置的用户装置

    公开(公告)号:CN104038259B

    公开(公告)日:2018-08-17

    申请号:CN201410079656.7

    申请日:2014-03-05

    CPC classification number: G06K7/10237 G06K7/10158 G06K7/10217

    Abstract: 提供了一种非接触式通信装置和包括非接触式通信装置的用户装置,所述非接触式通信装置包括:场强度检测电路,配置成检测天线上感应的场的强度;卡电路,配置成在卡模式的接收间隔期间解调经由天线接收的信号;处理单元,配置成处理经解调的信号;读取器电路,配置成在卡模式的发送间隔期间经由天线发送数据,数据是由处理单元提供的,其中根据检测到的场强度调节读取器电路的输出功率。

    荧光体及其制造方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103476902B

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201280018413.1

    申请日:2012-02-06

    CPC classification number: C09K11/7728 C09K11/0883 C09K11/7734

    Abstract: 根据本发明一个实施例的荧光体具有如下组成式1:[组成式1]SrySi(6-z)AlzOzN(8-z):Rex,其中,x、y、z分别满足0.005≤x≤0.05、0.05≤y≤0.5、0.001≤z≤0.50,Re为稀土元素。因此在根据本发明一个实施例的荧光体中,当锶的浓度为0.05mol~0.5mol时,可表现出525nm~537nm的短波长。并且,当铝的浓度较高时,可通过添加0.003mol~0.125mol范围的钡而表现出525nm~537nm的短波长。而且,当铝的浓度较高时,可通过将AlN和Al2O3一并作为铝前驱体添加而调节氧浓度,从而表现出525nm~537nm的短波长。结果,由于根据本发明一个实施例的荧光体可表现出525nm~537nm的短波长,因此可防止色彩再现性减弱及显色指数降低。

    用于显示器的发光装置和包括其的背光单元

    公开(公告)号:CN117637965A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311097736.0

    申请日:2023-08-29

    Abstract: 一种发光装置包括:第一光发射器,其包括发射第一蓝光的第一发光芯片以及第一荧光体和第二荧光体中的至少一个,第一光发射器被配置为发射第二蓝光;以及第二光发射器,其包括发射第三蓝光的第二发光芯片和第三荧光体和第四荧光体中的至少一个,第二光发射器被配置为发射第四蓝光,其中,第四蓝光的峰值波长的强度与第二蓝光的峰值波长的强度的比率大于或等于0.6。

    白光发射装置
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109585433B

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN201811147550.0

    申请日:2018-09-29

    Abstract: 一种白光发射装置,包括:衬底;第一发光二极管,其被构造为发射在445nm至455nm的范围内的波长下具有峰强度的第一蓝光;第二发光二极管,其被构造为发射在465nm至495nm的范围内的波长下具有峰强度的第二蓝光;以及波长转换单元,其被构造为转换第一蓝光的一部分和第二蓝光的一部分,并且提供通过第一蓝光的转换后的部分和第二蓝光的转换后的部分以及第一蓝光的未转换的部分和第二蓝光的未转换的部分的组合形成的白光。波长转换单元包括被构造为发射在520nm至560nm的范围内的波长下具有峰强度的第一光的第一波长转换材料和被构造为发射在600nm至645nm的范围内的波长下具有峰强度的第二光的第二波长转换材料。

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