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公开(公告)号：CN109755178A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811182469.6
申请日：2018-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/266
Abstract: 提供了制造集成电路器件的方法。为了制造集成电路器件，扩散缓冲层和含碳层在形成于衬底中的多个鳍型有源区上顺序地形成。含碳掩模图案通过使用包含氧原子的蚀刻气体蚀刻含碳层而形成为具有暴露扩散缓冲层的一部分的开口，同时扩散缓冲层阻止氧扩散到鳍型有源区中。杂质离子使用含碳掩模图案作为离子注入掩模经由开口和扩散缓冲层注入到一些鳍型有源区中，所述一些鳍型有源区从所述多个鳍型有源区之中选择。
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公开(公告)号：CN109390218A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810768330.3
申请日：2018-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/8238
Abstract: 公开制造集成电路器件的方法。所述方法包括：在基板上形成包括含碳的膜和含硅的有机抗反射膜的堆叠掩模结构体；通过蚀刻所述含硅的有机抗反射膜而形成含硅的有机抗反射图案；和通过使用所述含硅的有机抗反射图案作为蚀刻掩模蚀刻所述含碳的膜而形成包括含碳的掩模图案和轮廓控制衬料的复合掩模图案，所述含碳的掩模图案限定贯穿其的开口，所述轮廓控制衬料覆盖所述含碳的掩模图案的界定所述开口的侧表面。通过由所述复合掩模图案限定的多个空间将离子注入到所述基板中。
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公开(公告)号：CN106893136B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201611165946.9
申请日：2016-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供量子点‑聚合物微粉化复合物、其制造方法、以及包括其的制品和电子器件。所述量子点‑聚合物微粉化复合物包括：第一聚合物基体；分散在所述第一聚合物基体中的多个量子点；以及选自如下的添加剂的至少一种：嵌入所述第一聚合物基体中的粘土颗粒和分散在所述第一聚合物基体中的金属卤化物，其中所述量子点‑聚合物微粉化复合物具有小于或等于约100微米的平均粒度。
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公开(公告)号：CN106941128A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201611221613.3
申请日：2016-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/504 , G02B6/0015 , G02F1/133514 , G02F1/133603 , G02F2001/133614 , G02F2202/36 , H01L33/507 , H01L33/56 , H01L2224/48091 , H01L2224/48111 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L33/502
Abstract: 白光发光器件包括：蓝光发光二极管，发射主波长在440nm至460nm的范围中的第一光；量子点，设置在所发射的第一光的路径上，并且将所发射的第一光的第一部分转换为绿光；以及氟化物荧光体，设置在所发射的第一光的路径上，并且将所发射的第一光的第二部分转换为红光。量子点包括由III‑V族化合物形成的内核和由II‑VI族化合物形成的壳体，并且氟化物荧光体由经验式AxMFy:Mn4+表示，A是从Li、Na、K、Rb和Cs中选择的至少一种，M是从Si、Ti、Zr、Hf、Ge和Sn中的至少一种，并且该经验式满足2≤x≤3和4≤y≤7。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106893136A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201611165946.9
申请日：2016-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/025 , B05D3/007 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C08K3/16 , C08K3/32 , C08K9/04 , C08K2201/001 , C08K2201/005 , C08K2201/011 , C08L23/0869 , C09K11/02 , C09K11/70 , C09K11/883 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/56 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , Y10S977/774 , Y10S977/892 , Y10S977/95 , C08K3/30 , C08J3/12 , C08J2323/08 , C08K3/22 , C08K3/346 , C08K2003/2227 , C08L2203/20
Abstract: 提供量子点‑聚合物微粉化复合物、其制造方法、以及包括其的制品和电子器件。所述量子点‑聚合物微粉化复合物包括：第一聚合物基体；分散在所述第一聚合物基体中的多个量子点；以及选自如下的添加剂的至少一种：嵌入所述第一聚合物基体中的粘土颗粒和分散在所述第一聚合物基体中的金属卤化物，其中所述量子点‑聚合物微粉化复合物具有小于或等于约100微米的平均粒度。
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公开(公告)号：CN109755178B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201811182469.6
申请日：2018-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/266
Abstract: 提供了制造集成电路器件的方法。为了制造集成电路器件，扩散缓冲层和含碳层在形成于衬底中的多个鳍型有源区上顺序地形成。含碳掩模图案通过使用包含氧原子的蚀刻气体蚀刻含碳层而形成为具有暴露扩散缓冲层的一部分的开口，同时扩散缓冲层阻止氧扩散到鳍型有源区中。杂质离子使用含碳掩模图案作为离子注入掩模经由开口和扩散缓冲层注入到一些鳍型有源区中，所述一些鳍型有源区从所述多个鳍型有源区之中选择。
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公开(公告)号：CN109390218B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201810768330.3
申请日：2018-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/8238
Abstract: 公开制造集成电路器件的方法。所述方法包括：在基板上形成包括含碳的膜和含硅的有机抗反射膜的堆叠掩模结构体；通过蚀刻所述含硅的有机抗反射膜而形成含硅的有机抗反射图案；和通过使用所述含硅的有机抗反射图案作为蚀刻掩模蚀刻所述含碳的膜而形成包括含碳的掩模图案和轮廓控制衬料的复合掩模图案，所述含碳的掩模图案限定贯穿其的开口，所述轮廓控制衬料覆盖所述含碳的掩模图案的界定所述开口的侧表面。通过由所述复合掩模图案限定的多个空间将离子注入到所述基板中。
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公开(公告)号：CN115881643A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210890089.8
申请日：2022-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体器件包括提供在衬底上的有源图案、提供在有源图案上的源极/漏极图案、被配置为连接到源极/漏极图案的沟道图案、被配置为在第一方向上延伸并与沟道图案交叉的栅电极、以及提供在栅电极的侧表面上的第一间隔物。源极/漏极图案包括主体部分以及在主体部分和有源图案之间的颈部分。第一间隔物包括提供在有源图案的侧表面上并且在源极/漏极图案的主体部分之下的栅栏部分。主体部分包括被配置为从颈部分倾斜延伸的结晶表面。结晶表面被配置为与栅栏部分的最上部间隔开。
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