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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116090507A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202210985760.7
申请日：2022-08-17
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: G06N3/0455 , G06N3/082
Abstract: 提供了电子装置和用于推断的方法。所述电子装置包括：处理器，被配置为：通过实现包括多个编码器和多个解码器的转换模型来执行推断；以及存储器，被配置为：存储将由处理器执行的指令。编码器和解码器中的每个包括注意力块，注意力块确定注意力值。处理器被配置为：在注意力块中逐区块执行第一子柔性最大操作；基于第一子柔性最大操作的结果值来执行缩减操作以确定调整因子；并且基于缩减操作的结果值来逐区块执行第二子柔性最大操作。
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公开(公告)号：CN105448910A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510595156.3
申请日：2015-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/423 , H01L23/52
Abstract: 根据示例实施例，提供了半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅电极和第二栅电极，位于PMOSFET区上；第三栅电极和第四栅电极，位于NMOSFET区上；第一接触件和第二接触件，分别连接到第一栅电极和第四栅电极。第一栅极切口电极至第四栅极切口电极限定穿过第一栅电极与第三栅电极之间和第二栅电极与第四栅电极之间的栅极切口区。当从平面图观看时，第一接触件和第二接触件中的每个接触件的一部分与栅极切口区叠置。
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公开(公告)号：CN112652333A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202010400764.5
申请日：2020-05-13
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: G11C7/10 , G11C11/409 , G06N3/063
Abstract: 公开采用存储器中处理的半导体存储器装置及其操作方法。所述半导体存储器装置包括：多个存储体，所述多个存储体包括包含计算电路的第一存储体组和不具有计算电路的第二存储体组；以及控制电路，被配置为在满足所述半导体存储器装置的最大功耗条件的情况下控制由第一存储体组进行的PIM运算与对所述多个存储体的存储器请求的处理一起执行。
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公开(公告)号：CN114975476A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210163044.0
申请日：2022-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12
Abstract: 一种集成电路，包括第一电源线，所述第一电源线在第一方向上延伸并且在不同于第一方向的第二方向上彼此间隔开。第二电源线在第一方向上延伸，并且放置在在第二方向上彼此相邻的第一电源线之间。去耦填充单元放置在在第二方向上彼此相邻的第一电源线之间。所述去耦填充单元包括由去盖晶体管形成的去耦电容器区，所述去盖晶体管包括栅电极和第一导电类型的第一源极/漏极区。栅电极连接至第二电源线，第一源极/漏极区连接至第一电源线，并且第二电源线穿过去耦电容器区。
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公开(公告)号：CN105448910B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201510595156.3
申请日：2015-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/423 , H01L23/52
Abstract: 根据示例实施例，提供了半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括PMOSFET区和NMOSFET区；第一栅电极和第二栅电极，位于PMOSFET区上；第三栅电极和第四栅电极，位于NMOSFET区上；第一接触件和第二接触件，分别连接到第一栅电极和第四栅电极。第一栅极切口电极至第四栅极切口电极限定穿过第一栅电极与第三栅电极之间和第二栅电极与第四栅电极之间的栅极切口区。当从平面图观看时，第一接触件和第二接触件中的每个接触件的一部分与栅极切口区叠置。
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