公开(公告)号：CN114447222A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202110775788.3

申请日：2021-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋政奎 ,  金润洙 ,  金海龙 ,  朴报恩 ,  李银河 ,  李周浩 ,  李香淑 ,  赵龙僖 ,  曹恩爱

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 本发明涉及电子器件和包括其的半导体装置。半导体器件包括：下部电极；设置成与所述下部电极间隔开的上部电极；以及设置在所述下部电极和所述上部电极之间的介电层，所述介电层包括：第一金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Hf、Zr、Nb、Ta、Pr、Nd、Gd、Dy、Yb、Pb、Zn、Si、Ti、Sr或Lu；第二金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Y、Sc或Ce；和第三金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Al、Mg或Be。

公开(公告)号：CN118057607A

公开(公告)日：2024-05-21

申请号：CN202311543814.5

申请日：2023-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋政奎 ,  曹恩爱 ,  韩娜莱 ,  金汎锡 ,  金载兴 ,  李周浩 ,  崔源湜

IPC: H01L23/64 ,  H10N70/00

Abstract: 公开了一种电容器、半导体器件和包括该半导体器件的电子装置。电容器包括：第一电极；第二电极，与第一电极间隔开设置；介电膜，在第一电极和第二电极之间；以及漏电流减少层，在第一电极和第二电极之间设置在介电膜上并包括MxAlyOz。

公开(公告)号：CN107026237B

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN201710044340.8

申请日：2017-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许成 ,  金奎植 ,  金南定 ,  金成宪 ,  金容诚 ,  曹恩爱 ,  卢卓均 ,  尹桐振 ,  金瑢洙 ,  鲜于文旭 ,  朴用永 ,  朴敬培

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L27/146

Abstract: 公开光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件。光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层、以及在所述光电转换层和所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括选自如下的氮化物：氮化硅(SiNx，0

公开(公告)号：CN107026237A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201710044340.8

申请日：2017-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许成 ,  金奎植 ,  金南定 ,  金成宪 ,  金容诚 ,  曹恩爱 ,  卢卓均 ,  尹桐振 ,  金瑢洙 ,  鲜于文旭 ,  朴用永 ,  朴敬培

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L27/307 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14665 ,  H01L27/301 ,  H01L51/42 ,  H01L51/441 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5092 ,  H01L51/5096 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/552 ,  Y02E10/549 ,  H01L51/44

Abstract: 公开光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件。光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层、以及在所述光电转换层和所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括选自如下的氮化物：氮化硅(SiNx，0

公开(公告)号：CN116469875A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310080671.2

申请日：2023-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋政奎 ,  曹恩爱 ,  金容诚 ,  朴报恩 ,  N·韩

IPC: H01L23/64 ,  H10B12/00

Abstract: 本发明涉及电容器、包括电容器的半导体器件和制造电容器的方法。电容器包括下部电极、上部电极、在所述下部电极和所述上部电极之间的电介质膜、以及在所述上部电极和所述电介质膜之间的漏电流减小膜。所述漏电流减小膜包括经掺杂的AlZrO膜，其中所述经掺杂的AlZrO膜中含有的掺杂剂的离子半径大于或等于约130皮米(pm)。