公开(公告)号：CN112599657A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202011037720.7

申请日：2020-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 皮雄焕 ,  李同规

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 一种磁存储器件包括：在第一方向上延伸的导电线；在导电线上在与第一方向交叉的第二方向上延伸的磁性线，磁性线与导电线交叉；以及设置在导电线和磁性线之间的磁性图案。磁性图案具有在第一方向上彼此相反的第一侧壁和在第二方向上彼此相反的第二侧壁。磁性图案的第二侧壁分别与导电线的彼此相反的侧壁对准。

公开(公告)号：CN109841730A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811405048.5

申请日：2018-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相局 ,  权五益 ,  李同规 ,  洪京一

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08

Abstract: 本公开提供了磁存储器件及其制造方法。一种制造磁存储器件的方法可以包括：在基板上形成磁隧道结层；在磁隧道结层上顺序地形成掩模图案和顶电极图案；采用掩模图案和顶电极图案作为第一蚀刻掩模图案化磁隧道结层以形成磁隧道结图案；在掩模图案的侧表面、顶电极图案的侧表面和磁隧道结图案的侧表面上形成保护层，该保护层延伸以覆盖掩模图案的第一顶表面；去除保护层的在掩模图案的第一顶表面上的部分以暴露掩模图案的第一顶表面；以及去除掩模图案以暴露顶电极图案的第二顶表面。

公开(公告)号：CN110649154B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN201910159324.2

申请日：2019-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李同规 ,  金英铉 ,  朴正桓 ,  李正敏 ,  洪京一

IPC: H10N50/80 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01

Abstract: 一种半导体器件包括：设置在衬底上的第一电极；在第一电极上的磁隧道结(MTJ)；在MTJ上的覆盖层；在覆盖层上的应力诱导层；以及在应力诱导层上的第二电极。应力诱导层可以具有张应力。

公开(公告)号：CN110649154A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201910159324.2

申请日：2019-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李同规 ,  金英铉 ,  朴正桓 ,  李正敏 ,  洪京一

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种半导体器件包括：设置在衬底上的第一电极；在第一电极上的磁隧道结(MTJ)；在MTJ上的覆盖层；在覆盖层上的应力诱导层；以及在应力诱导层上的第二电极。应力诱导层可以具有张应力。

公开(公告)号：CN112599657B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202011037720.7

申请日：2020-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 皮雄焕 ,  李同规

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 一种磁存储器件包括：在第一方向上延伸的导电线；在导电线上在与第一方向交叉的第二方向上延伸的磁性线，磁性线与导电线交叉；以及设置在导电线和磁性线之间的磁性图案。磁性图案具有在第一方向上彼此相反的第一侧壁和在第二方向上彼此相反的第二侧壁。磁性图案的第二侧壁分别与导电线的彼此相反的侧壁对准。

公开(公告)号：CN112349830A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010633174.7

申请日：2020-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 皮雄焕 ,  李同规

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: 公开了一种磁存储器件，该磁存储器件包括：在第一方向上延伸并且具有被固定在一个方向上的磁化方向的第一磁性图案；以及跨过第一磁性图案延伸的多个第二磁性图案。第二磁性图案在与第一方向交叉的第二方向上延伸并且在第一方向上彼此间隔开。每个第二磁性图案包括在第二方向上彼此间隔开的多个磁畴。

公开(公告)号：CN109786547A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811323498.X

申请日：2018-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正敏 ,  金柱显 ,  朴正桓 ,  吴世忠 ,  李同规 ,  洪京一

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02

Abstract: 在一种制造可变电阻存储器件的方法中，在衬底上形成磁隧道结(MTJ)结构层。在蚀刻室中蚀刻该MTJ结构层以形成MTJ结构。通过传送室将其上具有该MTJ结构的衬底传送到沉积室。在所述沉积室中形成覆盖该MTJ结构的侧壁的保护层。所述蚀刻室、传送室和沉积室保持在等于或大于约10-8托的高真空状态。

公开(公告)号：CN111200058B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN201910932168.9

申请日：2019-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李同规

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 磁存储器件可以包括：在基板上的磁隧道结图案；导线，在所述基板与所述磁隧道结图案之间延伸，并与所述磁隧道结图案的底表面接触；以及底部图案，位于所述导线与所述基板之间并与所述导线的底表面接触。导线的材料可以具有第一晶格常数，并且底部图案的材料可以具有小于导线的第一晶格常数的第二晶格常数。备选地或另外地，底部图案包括金属氮化物，并且底部图案的氮含量高于底部图案的金属元素含量。

公开(公告)号：CN109786547B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN201811323498.X

申请日：2018-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正敏 ,  金柱显 ,  朴正桓 ,  吴世忠 ,  李同规 ,  洪京一

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/10 ,  H10N50/80

Abstract: 在一种制造可变电阻存储器件的方法中，在衬底上形成磁隧道结(MTJ)结构层。在蚀刻室中蚀刻该MTJ结构层以形成MTJ结构。通过传送室将其上具有该MTJ结构的衬底传送到沉积室。在所述沉积室中形成覆盖该MTJ结构的侧壁的保护层。所述蚀刻室、传送室和沉积室保持在等于或‑8大于约10 托的高真空状态。

公开(公告)号：CN116456724A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310008233.5

申请日：2023-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李同规 ,  金侑瞋 ,  延国贤

IPC: H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  H10B43/50 ,  H10B43/20

Abstract: 一种半导体存储器装置包括：第一衬底，其限定单元阵列区；模制结构，其包括按次序间隔开并且按照台阶形式堆叠在第一衬底上的多个栅电极；以及沟道孔，其限定为在垂直于第一衬底的上表面的竖直方向上穿过单元阵列区上的多个栅电极。所述装置包括沿着沟道孔的侧壁和底表面的信息储存层，信息储存层包括沿着沟道孔的侧壁和底表面的阻挡绝缘层、阻挡绝缘层上的电荷储存层和隧穿绝缘层。所述装置包括沟道孔内的信息储存层上的沟道层以及布置为填充沟道层上的沟道孔的绝缘图案。