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公开(公告)号：CN108305925B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN201810030167.0
申请日：2018-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供了一种包括浮置导电图案的半导体发光装置。所述半导体发光装置包括：第一半导体层，其包括凹陷区和突出区；布置在突出区上的有源层和第二半导体层；布置在第二半导体层上的接触结构；下绝缘图案，其覆盖第一半导体层和接触结构，并且具有第一开口和第二开口；第一导电图案，其布置在下绝缘图案上，并且延伸至第一开口中；第二导电图案，其布置在下绝缘图案上，并且延伸至第二开口中；以及浮置导电图案，其布置在下绝缘图案上。第一导电图案和第二导电图案以及浮置导电图案在相同的平面上具有相同的厚度。
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公开(公告)号：CN108183155A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711274926.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/04 , H01L24/13 , H01L33/46 , H01L2224/0401 , H01L2224/10126 , H01L2224/13006 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L33/38 , H01L33/40
Abstract: 半导体发光器件包括发光结构，所述发光结构包括顺序层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层。连接电极位于发光结构之上。连接电极包括电连接到第一半导体层和第二半导体层中的至少一个的连接金属层。凸块下金属图案在连接电极上。连接端子位于凸块下金属图案上。连接金属层包括第一金属元素。第一金属元素的导热率高于金(Au)的导热率。连接端子包括第二金属元素。第一金属元素与第二金属元素的第一反应率低于金(Au)与第二金属元素的第二反应率。
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公开(公告)号：CN103782399B
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201180073264.4
申请日：2011-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种由于织构效应而具有改进的光提取效率的氮化物半导体发光元件，其包括：形成在衬底上的发光结构，其包括第一导电氮化物半导体层、第二导电氮化物半导体层以及插入在它们之间的有源层；电连接至第一导电氮化物半导体层的第一电极；电连接至第二导电氮化物半导体层的第二电极；以及具有多个通孔的光提取图案，其位于第一电极与第二电极之间并且形成为穿透发光结构的上表面和下表面。
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公开(公告)号：CN102856481A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210226038.1
申请日：2012-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L25/167 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件封装件，其包括：具有彼此相对的第一主表面和第二主表面的半导体衬底；布置在所述半导体衬底的第一主表面侧上的光源；布置在所述半导体衬底的第二主表面侧上的多个电极焊盘；从所述多个电极焊盘延伸并且穿透所述半导体衬底的导电通孔；以及包括多个二极管的驱动电路单元，通过由p型区和n型区形成的pn结获得所述多个二极管，并且将所述多个二极管电连接至所述导电通孔和所述光源。
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公开(公告)号：CN103794686B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201310513215.9
申请日：2013-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/0079
Abstract: 本发明公开了半导体发光器件及其制造方法，其中的一种制造半导体发光器件的方法包括在半导体单晶生长衬底上形成隔离图案。在半导体单晶生长衬底上由隔离图案限定的一个芯片单元区域中顺序生长第一导电型半导体层、有源层、和第二导电型半导体层，并且形成反射金属层以覆盖发光结构和隔离图案。在反射金属层上形成支撑衬底，并且从发光结构上去除半导体单晶生长衬底。然后将支撑衬底切割为单独的发光器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108305925A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810030167.0
申请日：2018-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供了一种包括浮置导电图案的半导体发光装置。所述半导体发光装置包括：第一半导体层，其包括凹陷区和突出区；布置在突出区上的有源层和第二半导体层；布置在第二半导体层上的接触结构；下绝缘图案，其覆盖第一半导体层和接触结构，并且具有第一开口和第二开口；第一导电图案，其布置在下绝缘图案上，并且延伸至第一开口中；第二导电图案，其布置在下绝缘图案上，并且延伸至第二开口中；以及浮置导电图案，其布置在下绝缘图案上。第一导电图案和第二导电图案以及浮置导电图案在相同的平面上具有相同的厚度。
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公开(公告)号：CN104241486B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201410267670.X
申请日：2014-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/46
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。所述器件还可包括：第一电极，其连接至第一导电类型半导体层；和第二电极，其连接至第二导电类型半导体层并具有焊盘区和在一个方向上从焊盘区延伸的指区。第二电极可包括：透明电极部件，其布置在第二导电类型半导体层上，并在其中包括至少一个开口；至少一个反射部件，其在所述开口中与透明电极部件分隔开，并且设置在焊盘区和指区中；以及接合部件，其布置在反射部件的至少一部分上，并包括在指区中彼此分隔开的多个接合指部件和设置在焊盘区中的接合焊盘部件。
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公开(公告)号：CN102169941B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201110053375.0
申请日：2011-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/36 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L25/075 , F21S2/00 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L27/156 , H01L24/24 , H01L27/153 , H01L33/30 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种具有多单元阵列的半导体发光器件、发光模块和照明设备。半导体发光器件包括：基底；多个发光单元，设置在基底的顶表面上，发光单元均具有有源层；多个连接部分，形成在其上形成有发光单元的基底上，以将发光单元以并联或串并联构造连接；绝缘层，形成在发光单元的表面上，以防止连接部分和发光单元之间的不期望的连接。发光单元包括至少一个有缺陷的发光单元，与所述有缺陷的发光单元相关的至少一个连接部分被断开。
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公开(公告)号：CN116564989A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310060133.7
申请日：2023-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供半导体发光装置和制造该半导体发光装置的方法。半导体发光装置包括：第一导电类型半导体层，其在其上部中具有彼此间隔开的多个杆；多个有源层，其分别形成在多个杆的上表面上；多个第二导电类型半导体层，其分别形成在多个有源层的上表面上；绝缘间隔件，其共形地形成在多个杆之间，围绕多个有源层中的每一个的所有侧壁，并且覆盖多个第二导电类型半导体层中的每一个的侧壁的一部分；第一电极层，其与第一导电类型半导体层的下部接触；以及第二电极层，其填充绝缘间隔件的内部空间并且与多个第二导电类型半导体层接触。
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公开(公告)号：CN108183155B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201711274926.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体发光器件包括发光结构，所述发光结构包括顺序层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层。连接电极位于发光结构之上。连接电极包括电连接到第一半导体层和第二半导体层中的至少一个的连接金属层。凸块下金属图案在连接电极上。连接端子位于凸块下金属图案上。连接金属层包括第一金属元素。第一金属元素的导热率高于金(Au)的导热率。连接端子包括第二金属元素。第一金属元素与第二金属元素的第一反应率低于金(Au)与第二金属元素的第二反应率。
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