公开(公告)号：CN1767205A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510104111.8

申请日：2005-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹宣弼 ,  李彰原 ,  孙雄喜 ,  崔吉铉 ,  柳宗烈 ,  林东灿 ,  朴在花 ,  李柄学 ,  朴嬉淑

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/788 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/11526 ,  H01L21/82345 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11546

Abstract: 一种半导体器件包括，半导体衬底上的第一导电层，第一导电层上的包括高K－介质材料的介质层，介质层上的包括掺有P型杂质的多晶硅的第二导电层，以及第二导电层上的包括金属的第三导电层。在某些器件中，在主单元区中形成第一栅极结构，第一栅极结构包括隧道氧化物层、浮栅、第一高K－介质层和控制栅。控制栅包括掺有P型杂质的多晶硅层和金属层。在主单元区外面形成第二栅极结构，第二栅极结构包括隧道氧化物层、导电层和金属层。在外围单元区中形成第三栅极结构，第三栅极结构包括隧道氧化物、导电层和具有比导电层更窄宽度的高K－介质层。也公开了方法实施例。

公开(公告)号：CN101499488B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200810176820.0

申请日：2008-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白宗玟 ,  郑圣熙 ,  崔吉铉 ,  车泰昊 ,  朴嬉淑 ,  李柄学 ,  朴在花

IPC: H01L29/49 ,  H01L23/532 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/28061 ,  H01L29/4933

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，更特别地，提供一种具有低电阻W-Ni合金薄层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括W-Ni合金薄层。该W-Ni合金薄层中Ni的重量在该W-Ni合金薄层的总重量的大约0.01至大约5.0wt％的范围。

公开(公告)号：CN101499488A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200810176820.0

申请日：2008-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白宗玟 ,  郑圣熙 ,  崔吉铉 ,  车泰昊 ,  朴嬉淑 ,  李柄学 ,  朴在花

IPC: H01L29/49 ,  H01L23/532 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/28061 ,  H01L29/4933

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，更特别地，提供一种具有低电阻W－Ni合金薄层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括W－Ni合金薄层。该W－Ni合金薄层中Ni的重量在该W－Ni合金薄层的总重量的大约0.01至大约5.0wt％的范围。