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公开(公告)号：CN117673103A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311094320.3
申请日：2023-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，其包括：半导体基板，包括第一像素和与第一像素相邻的第二像素；像素隔离结构，在第一像素和第二像素之间；抗反射层，在第一像素、第二像素和像素隔离结构上；以及贯穿通路结构，在抗反射层和半导体基板中的贯穿通路孔中。贯穿通路结构可以包括在贯穿通路孔的内壁上的第一导电层和在贯穿通路孔的内壁上的第一导电层上的第二导电层，抗反射层可以包括TiO2，第一导电层可以包括具有比Ti高的功函数的材料。
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公开(公告)号：CN119230570A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410816379.7
申请日：2024-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器。所述图像传感器包括：半导体基底，包括第一表面和与第一表面背对的第二表面，半导体基底还包括光电转换区域；传输栅极，设置在半导体基底的第一表面上；掩埋绝缘层，设置在半导体基底的第一表面上以覆盖传输栅极；以及像素隔离结构，设置在像素隔离沟槽中，像素隔离沟槽从半导体基底的第一表面朝向半导体基底的第二表面延伸，像素隔离沟槽穿过掩埋绝缘层，像素隔离结构限定半导体基底中的多个像素，像素隔离结构的一部分被掩埋绝缘层覆盖。
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公开(公告)号：CN106898545B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201710130527.X
申请日：2013-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L23/485 , H01L27/092 , H01L29/08 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一层间绝缘膜，包括孔，位于基底上；栅极，形成在孔中；抬升源极/漏极区域，形成在栅极的两侧上；开口，位于第一层间绝缘膜中并暴露抬升源极/漏极区域的表面；金属硅化物，形成在开口中；其中，金属硅化物包括远离抬升源极/漏极区域的表面的硅化物下轮廓，硅化物下轮廓具有弯曲的剖面，其中，金属硅化物包括具有底部和侧壁的上凹进，其中，上凹进的底部与硅化物下轮廓的底部分开的距离大于上凹进的侧壁与硅化物下轮廓的侧壁分开的距离，其中，上凹进的侧壁与开口的侧壁共面，其中，半导体装置的集成密度是20nm或更小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118299387A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311207382.0
申请日：2023-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种半导体装置和一种图像传感器。该半导体装置包括：栅极图案，其设置在衬底上；第一层间绝缘层，其在栅极图案的侧壁上；第二层间绝缘层，其在栅极图案和第一层间绝缘层上；以及第一接触插塞，其穿过第二层间绝缘层和第一层间绝缘层并且与衬底接触，其中，第一接触插塞包括第一层间绝缘层中的第一接触部分和第二层间绝缘层中的第二接触部分，第一层间绝缘层的密度小于第二层间绝缘层的密度，第一接触插塞的第一接触部分具有第一宽度，并且第一接触插塞的第二接触部分具有小于第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN116525630A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310102510.9
申请日：2023-01-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，该图像传感器包括第一像素和与第一像素相邻设置的第二像素。像素分离结构设置在第一像素和第二像素之间。后抗反射层设置在第一像素、第二像素和像素分离结构上。栅栏结构设置在后抗反射层上并定位成在平面图中与像素分离结构叠置。栅栏结构包括阻挡金属层和栅栏。阻挡金属层的高度小于栅栏的高度。阻挡金属层的宽度小于栅栏的宽度。
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公开(公告)号：CN106898545A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710130527.X
申请日：2013-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L23/485 , H01L27/092 , H01L29/08 , H01L29/16 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一层间绝缘膜，包括孔，位于基底上；栅极，形成在孔中；抬升源极/漏极区域，形成在栅极的两侧上；开口，位于第一层间绝缘膜中并暴露抬升源极/漏极区域的表面；金属硅化物，形成在开口中；其中，金属硅化物包括远离抬升源极/漏极区域的表面的硅化物下轮廓，硅化物下轮廓具有弯曲的剖面，其中，金属硅化物包括具有底部和侧壁的上凹进，其中，上凹进的底部与硅化物下轮廓的底部分开的距离大于上凹进的侧壁与硅化物下轮廓的侧壁分开的距离，其中，上凹进的侧壁与开口的侧壁共面，其中，半导体装置的集成密度是20nm或更小。
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公开(公告)号：CN103426739B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201310195386.1
申请日：2013-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7839 , H01L21/26506 , H01L21/28 , H01L21/28518 , H01L21/28537 , H01L21/76814 , H01L23/485 , H01L27/092 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/401 , H01L29/665 , H01L29/66636 , H01L29/66643 , H01L29/78 , H01L29/7848 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了使用预非晶化注入形成半导体装置的方法以及形成的半导体装置。可以通过形成暴露抬升源极/漏极区域的表面的开口来提供形成半导体装置的方法。可以减小开口的尺寸，并可以通过开口对抬升源极/漏极区域执行预非晶化注入（PAI），以形成抬升源极/漏极区域的非晶化部分。可以由金属和非晶化部分形成金属硅化物。
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公开(公告)号：CN103426739A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310195386.1
申请日：2013-05-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7839 , H01L21/26506 , H01L21/28 , H01L21/28518 , H01L21/28537 , H01L21/76814 , H01L23/485 , H01L27/092 , H01L29/0847 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/401 , H01L29/665 , H01L29/66636 , H01L29/66643 , H01L29/78 , H01L29/7848 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了使用预非晶化注入形成半导体装置的方法以及形成的半导体装置。可以通过形成暴露抬升源极/漏极区域的表面的开口来提供形成半导体装置的方法。可以减小开口的尺寸，并可以通过开口对抬升源极/漏极区域执行预非晶化注入（PAI），以形成抬升源极/漏极区域的非晶化部分。可以由金属和非晶化部分形成金属硅化物。
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