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公开(公告)号：CN109560037B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN201810710445.7
申请日：2018-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种包括器件隔离区的半导体器件。所述半导体器件包括设置在衬底上的第一有源区以及位于所述有源区之间的隔离区。所述隔离区包括由第一绝缘材料形成的第一部分及由第二绝缘材料形成的第二部分，所述第二绝缘材料具有与所述第一绝缘材料的特性不同的特性。所述第一部分比所述第二部分更靠近所述第一有源区。所述第二部分具有高度与所述第一部分的底表面的高度不同的底表面。
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公开(公告)号：CN117790519A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311228969.X
申请日：2023-09-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
Abstract: 本公开提供了一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括设置在基板上并包括多个光感测单元的光检测器、设置在光检测器上并被配置为透射光的夹层器件、以及包括在夹层器件上彼此间隔开的第一纳米柱和第二纳米柱且被配置为将光聚集到光检测器上的纳米棱镜，第一纳米柱包括掺有第一掺杂浓度的铝的第一折射层以及围绕第一折射层的底表面和侧表面并掺有第二掺杂浓度的铝的第二折射层，第一掺杂浓度高于第二掺杂浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116344566A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211627584.6
申请日：2022-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 田钟珉
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：基板，该基板包括光电转换区；第一隔离区，该第一隔离区从所述基板的第一表面垂直地延伸到所述基板中；第二隔离区，该第二隔离区从所述基板的第二表面垂直地延伸到所述基板中，并且与所述第一隔离区相对应；光电转换器件，该光电转换器件设置在所述基板的所述光电转换区的中心部分；以及接触区，该接触区在所述光电转换区的外围部分处从所述基板的所述第二表面垂直地延伸以电连接到所述第一隔离区。其中，所述第二隔离区包括：沟槽；绝缘衬垫，所述绝缘衬垫共形地形成在所述沟槽的内壁上；陷阱导电膜，所述陷阱导电膜共形地形成在所述绝缘衬垫的内壁上；以及绝缘填充层，所述绝缘填充层填充所述沟槽的剩余部分并包括气隙。
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公开(公告)号：CN111081725A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910938386.3
申请日：2019-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器、图像传感器模块和制造图像传感器的方法。所述图像传感器包括：光电转换器，位于基底的像素区域中，以响应于入射到像素区域上的入射光而产生光电子；信号发生器，在像素区域中位于基底的第一表面上，以根据光电子产生与对象的图像信息对应的电信号；以及像素分离图案，从基底的第一表面到基底的与基底的第一表面相对的第二表面穿透基底，像素分离图案包括折射率小于基底的折射率的绝缘图案和被绝缘图案围绕的金属导电图案，并且像素区域被像素分离图案围绕并与邻近像素区域隔离。
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公开(公告)号：CN111081725B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN201910938386.3
申请日：2019-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器、图像传感器模块和制造图像传感器的方法。所述图像传感器包括：光电转换器，位于基底的像素区域中，以响应于入射到像素区域上的入射光而产生光电子；信号发生器，在像素区域中位于基底的第一表面上，以根据光电子产生与对象的图像信息对应的电信号；以及像素分离图案，从基底的第一表面到基底的与基底的第一表面相对的第二表面穿透基底，像素分离图案包括折射率小于基底的折射率的绝缘图案和被绝缘图案围绕的金属导电图案，并且像素区域被像素分离图案围绕并与邻近像素区域隔离。
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公开(公告)号：CN115995474A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211267956.9
申请日：2022-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开提供了一种图像传感器及其制造方法。一种图像传感器包括：基板；多个单位像素，提供在基板的像素区上；多个器件隔离图案，在像素区上限定所述多个单位像素；遮光层，提供在基板的顶表面上并包括限定多个光透射区的栅格结构；多个滤色器，提供在遮光层的所述多个光透射区上；以及多个微透镜，提供在所述多个滤色器上。遮光层包括：遮光图案；提供在遮光图案上的低折射图案；以及保护层，提供在基板上并覆盖遮光图案和低折射图案。低折射图案包括多孔硅化合物。在低折射图案中的每个孔具有约0.2nm至约1nm的直径。
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公开(公告)号：CN109560037A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201810710445.7
申请日：2018-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种包括器件隔离区的半导体器件。所述半导体器件包括设置在衬底上的第一有源区以及位于所述有源区之间的隔离区。所述隔离区包括由第一绝缘材料形成的第一部分及由第二绝缘材料形成的第二部分，所述第二绝缘材料具有与所述第一绝缘材料的特性不同的特性。所述第一部分比所述第二部分更靠近所述第一有源区。所述第二部分具有高度与所述第一部分的底表面的高度不同的底表面。
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