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公开(公告)号:CN107799142B
公开(公告)日:2023-09-26
申请号:CN201710769968.4
申请日:2017-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406
Abstract: 提供了一种存储设备及其操作方法。存储设备包括非易失性存储器设备和控制器。非易失性存储器设备包括多个存储块,多个存储块中的每个包括连接到多个串选择线的串选择晶体管、连接到多个接地选择线的接地选择晶体管以及连接到多个字线的存储单元。控制器在读取回收操作期间读取第一存储块的有效数据组并且将与有效数据组写入第二存储块中。控制器基于有效数据组的读取计数分配写入有效数据组的第二存储块的位置。
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公开(公告)号:CN114691535A
公开(公告)日:2022-07-01
申请号:CN202111357422.0
申请日:2021-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储装置及其操作方法和存储器控制器的操作方法,存储器控制器被配置为控制包括多个存储器块的存储器装置,每个存储器块用于存储多个页。所述操作方法包括:基于来自主机的写入请求将编程命令传送到存储器装置;基于从存储器装置接收的有效页信息来更新有效页位图,有效页位图表示多个页的有效性;基于有效页位图来计算碎片率,碎片率表示存储器块的至少一个有效页与至少一个无效页之间的分段度;以碎片率的升序确定所述多个存储器块之中的源块;以及对源块执行垃圾收集。
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公开(公告)号:CN116136829A
公开(公告)日:2023-05-19
申请号:CN202211427871.2
申请日:2022-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/0891 , G06F12/0804
Abstract: 提供了一种存储控制器和包括该存储控制器的存储设备。用于通过对第一存储器单元执行N次编程来将第一数据写入第一存储器单元的存储控制器包括写入放大管理器和中央处理单元,其中N是大于1的正整数。写入放大管理器在执行第一存储器单元的第N次编程之前检查第一数据是否是无效数据,并且当第一数据是无效数据时,中央处理单元不执行第一存储器单元的第N次编程。
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公开(公告)号:CN114546254A
公开(公告)日:2022-05-27
申请号:CN202111299050.0
申请日:2021-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 公开了写入数据的方法和非易失性存储器装置。将非易失性存储器装置的多个存储器块中的每个存储器块划分为具有不同特性的两个或更多个字线组。接收针对所述多个存储器块之中的至少两个存储器块的写入命令。在包括在针对两个或更多个存储器块的整个写入时间区间中的第一部分时间区间期间,响应于接收到所述两个或更多个存储器块之中的一个存储器块的地址,对包括在所述一个存储器块中的字线组执行数据写入操作。在包括在整个写入时间区间中的第二其他部分时间区间期间,响应于接收到所述两个或更多个存储器块的地址,对包括在所述两个或更多个存储器块中的字线组执行数据写入操作。
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公开(公告)号:CN112241242B
公开(公告)日:2024-09-27
申请号:CN202010509850.X
申请日:2020-06-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供了一种存储器控制器和一种包括其的储存设备。储存设备包括:存储器设备,包括分别存储具有多个比特的数据的多个存储器单元;以及存储器控制器,该存储器控制器包括:操作块,其包括执行预定功能的多个单元电路;以及核心块,其响应于来自主机的命令对多个存储器单元执行控制操作。核心块选择多个单元电路中的至少一部分以确定选定单元电路,并生成指定选定单元电路的操作顺序的控制命令。在操作块中,选定单元电路按照操作顺序进行操作以确定进行控制操作所需的控制电压,并将控制电压存储在存储器控制器或存储器设备中的至少一个中。
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公开(公告)号:CN116129968A
公开(公告)日:2023-05-16
申请号:CN202211425651.6
申请日:2022-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储系统包括具有存储单元阵列的非易失性存储器(NVM)设备和存储控制器。存储控制器从主机接收写入命令和数据,并控制NVM设备将数据写入存储单元阵列中。另外,存储控制器确定其中将写入数据的存储单元阵列的存储区域,基于多个字线的特征信息将多个字线聚类成多个组,根据特征信息以组为单位重新排列访问顺序,并以重新排列的顺序访问字线以将数据写入存储区域。
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公开(公告)号:CN118295847A
公开(公告)日:2024-07-05
申请号:CN202311222543.3
申请日:2023-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储装置和操作存储装置的方法。所述操作包括多个非易失性存储器装置和存储控制器的存储装置的方法包括:通过对多个数据组块执行独立磁盘冗余阵列(RAID)编码来生成奇偶校验组块;将包括所述多个数据组块和奇偶校验组块的数据条带存储在所述多个非易失性存储器装置中包括的多个存储器块中;以及基于所述存储装置的操作状态来执行直接读取操作或间接读取操作,使得在直接读取操作中,目标数据组块从所述多个非易失性存储器装置被直接读取,并且在间接读取操作中,目标数据组块通过执行RAID解码而被生成。
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公开(公告)号:CN116126583A
公开(公告)日:2023-05-16
申请号:CN202211257542.8
申请日:2022-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/10
Abstract: 提供了用于控制存储器装置的存储器控制器及其操作方法,并且所述存储器控制器的操作方法包括:基于指示多个块中的劣化区域的位置的劣化信息,针对存储在第一块中的数据,将RAID的用户数据复制到第二块的除劣化区域之外的正常区域;将存储在第一块中的数据之中的RAID的奇偶校验数据复制到第二块的劣化区域;以及更新构成一个RAID的数据之间的映射信息,并将映射信息发送给所述存储器装置。劣化信息包括:关于包括在多个块中的劣化区域中的特定位置处的一条或多条字线的信息。
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