半导体器件和半导体芯片
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117476606A

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202310936474.6

    申请日:2023-07-27

    Abstract: 一种半导体器件可以包括基板上的多个芯片区域、在基板上围绕所述多个芯片区域中的每个的至少一个划道、包括在所述多个芯片区域中的多个第一对准键图案和多个第一测试元件组图案、以及包括在所述至少一个划道中的多个第二对准键图案和多个第二测试元件组图案。

    半导体封装
    2.
    发明公开
    半导体封装 审中-公开

    公开(公告)号:CN118943118A

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202410559671.5

    申请日:2024-05-08

    Abstract: 一种半导体封装包括:基底芯片,包括在第一水平方向和与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸的顶表面;半导体芯片堆叠,包括在垂直方向上顺序堆叠在基底芯片上并在垂直方向上在相应侧对齐的第一半导体芯片和第二半导体芯片;穿透基底芯片并在第一水平方向上彼此间隔开的第一贯通路;穿透第一半导体芯片并在第一水平方向上彼此间隔开的第二贯通路;穿透第二半导体芯片并在第一水平方向上彼此间隔开的第三贯通路;接触第一贯通路的第一连接焊盘;接触第二贯通路的第二连接焊盘;以及接触第三贯通路的第三连接焊盘。

    具有测试焊盘的半导体封装件
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117995821A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202311401287.4

    申请日:2023-10-26

    Abstract: 提供了半导体封装件。所述半导体封装件包括:基底芯片,所述基底芯片具有前表面和与所述前表面相反的后表面,所述基底芯片包括设置在所述前表面上的凸块焊盘、晶片测试焊盘和封装测试焊盘;连接结构,所述连接结构设置在所述基底芯片的所述前表面上并且连接到所述凸块焊盘;以及半导体芯片,所述半导体芯片堆叠在所述基底芯片的所述后表面上,其中,每一个所述晶片测试焊盘在尺寸上小于所述封装测试焊盘。

    半导体存储器件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119255598A

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN202410876211.5

    申请日:2024-07-02

    Abstract: 一种半导体存储器件,包括:位线,包括金属并且在衬底上沿第一方向延伸;在位线上的沟道结构,包括沿第二方向延伸的第一沟道图案、以及沿第一方向与第一沟道图案间隔开并且沿第二方向延伸的第二沟道图案;衬垫膜,在位线沟道结构之间,并且包括所述金属;第一字线,在第一沟道图案和第二沟道图案之间,第一字线沿第二方向延伸;第二字线,在第一沟道图案和第二沟道图案之间并且沿第二方向延伸,第二字线在第一方向上与第一字线间隔开;以及第一电容器和第二电容器,分别在第一沟道图案和第二沟道图案上,并且连接到第一沟道图案和第二沟道图案。

    半导体器件
    5.
    发明公开
    半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN116895623A

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN202310286579.1

    申请日:2023-03-22

    Abstract: 一种半导体器件包括:基板,具有第一表面和第二表面;第一测试焊盘,在基板的第一表面上;第一凸块焊盘,在基板的第一表面上并在第一方向上与第一测试焊盘间隔开;第二凸块焊盘,在基板的第一表面上并与第一凸块焊盘间隔开;第二测试焊盘,在基板的第一表面上并在第一方向上与第二凸块焊盘间隔开;第一布线层,在第一方向上延伸并将第一测试焊盘电连接到第一凸块焊盘;第二布线层,在第一方向上延伸,与第一布线层间隔开,并将第二测试焊盘电连接到第二凸块焊盘;以及第一凸块,连接到第一凸块焊盘和第二凸块焊盘中的每个。

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