公开(公告)号：CN116895623A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310286579.1

申请日：2023-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑一根 ,  金成珍 ,  金想起 ,  慎重垣 ,  禹盛允 ,  全相炫 ,  崔智旻

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/482 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/528 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体器件包括：基板，具有第一表面和第二表面；第一测试焊盘，在基板的第一表面上；第一凸块焊盘，在基板的第一表面上并在第一方向上与第一测试焊盘间隔开；第二凸块焊盘，在基板的第一表面上并与第一凸块焊盘间隔开；第二测试焊盘，在基板的第一表面上并在第一方向上与第二凸块焊盘间隔开；第一布线层，在第一方向上延伸并将第一测试焊盘电连接到第一凸块焊盘；第二布线层，在第一方向上延伸，与第一布线层间隔开，并将第二测试焊盘电连接到第二凸块焊盘；以及第一凸块，连接到第一凸块焊盘和第二凸块焊盘中的每个。

公开(公告)号：CN114944364A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202111197901.0

申请日：2021-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张喆淳 ,  金想起 ,  郑一根 ,  韩正勋

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/78

Abstract: 提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件可以包括半导体衬底、裂纹阻挡层和裂纹阻挡部分。所述半导体衬底可以包括多个芯片区域和被构造为围绕所述多个芯片区域中的每个芯片区域的划线道区域。沟槽可以由所述半导体器件的一个或更多个内表面限定，以形成在所述划线道区域中。所述裂纹阻挡层可以位于所述沟槽的内表面上。所述裂纹阻挡层可以被构造为阻挡在沿着所述划线道区域切割所述半导体衬底期间在所述划线道区域中产生的裂纹扩展到任何所述芯片区域中。所述裂纹阻挡部分可以至少部分地填充所述沟槽，并可以被构造为阻挡所述裂纹从所述划线道区域扩展到任何所述芯片区域中。