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公开(公告)号：CN115733648A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210866899.X
申请日：2022-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L9/40
Abstract: 提供了一种存储器装置和一种用于该存储器装置的数据加密/解密的方法。所述存储器装置包括：输入单元，其被配置为接收明文文本，并且输出明文块和CTS明文块；多核单元，其包括多个加密/解密核，多个加密/解密核被配置为将从输入单元提供的明文块中的每一个加密，并且根据加密/解密核控制单元的控制输出密码块；CTS核单元，其包括CTS核，CTS核被配置为将从输入单元提供的CTS明文块加密成CTS密码块；以及输出单元，其被配置为接收密码块和CTS密码块，并且输出密码文本。基于明文文本通过CTS计算来生成CTS明文块。
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公开(公告)号：CN116264094A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211327972.2
申请日：2022-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
Abstract: 提供了存储装置、存储装置控制器及其操作方法。一种操作存储装置控制器的方法，包括：接收原始数据，所述原始数据指示一系列位，每一个所述位对应于阈值电压状态之一；执行用于减小所述一系列位中的第一目标位的数量的第一状态整形，在多个页的第一页中，所述第一目标位的逻辑值等于所述阈值电压状态的目标阈值电压状态逻辑值；基于所述第一状态整形生成指示所述第一目标位的第一指示数据；压缩所述第一指示数据；并且存储压缩的第一指示数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113053441B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202011410313.6
申请日：2020-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了存储装置和存储装置的操作方法。一种存储装置包括非易失性存储器装置和存储器控制器。存储器控制器基于第一读取命令从非易失性存储器装置接收第一数据，并且对第一数据执行错误校正。当错误校正失败时，存储器控制器将第二读取命令和第二读取电压信息发送至非易失性存储器装置，从非易失性存储器装置接收第二数据，将第三读取命令和第三读取电压信息发送至非易失性存储器装置，以及从非易失性存储器装置接收第三数据。存储器控制器基于第二数据和第三数据调整偏移，将第四读取命令、第四读取电压信息和偏移发送至非易失性存储器装置，从非易失性存储器装置接收第四数据，以及基于第四数据执行软判决处理。
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公开(公告)号：CN107039072B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201611115475.0
申请日：2016-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器设备，包括：存储单元阵列，包括多个存储单元；行译码器电路，通过多个字线连接到存储单元阵列；以及页面缓冲器电路，通过位线连接到存储单元阵列。在读操作期间，行译码器电路向所选择的字线施加读电压。在关于连接到所选择的字线的存储单元的N个逻辑页面(N为正整数)中的每个所执行的读操作期间，行译码器电路向所选择的字线施加邻近的N个读电压当中的一读电压，而不向所选择的字线施加邻近的N个读电压当中的其他读电压。邻近的N个读电压包括读电压当中的第二高的读电压。
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公开(公告)号：CN113053441A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011410313.6
申请日：2020-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了存储装置和存储装置的操作方法。一种存储装置包括非易失性存储器装置和存储器控制器。存储器控制器基于第一读取命令从非易失性存储器装置接收第一数据，并且对第一数据执行错误校正。当错误校正失败时，存储器控制器将第二读取命令和第二读取电压信息发送至非易失性存储器装置，从非易失性存储器装置接收第二数据，将第三读取命令和第三读取电压信息发送至非易失性存储器装置，以及从非易失性存储器装置接收第三数据。存储器控制器基于第二数据和第三数据调整偏移，将第四读取命令、第四读取电压信息和偏移发送至非易失性存储器装置，从非易失性存储器装置接收第四数据，以及基于第四数据执行软判决处理。
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公开(公告)号：CN112395128A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010790981.X
申请日：2020-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器控制器的操作方法。该操作方法包括：接收第一读取数据和第二转换信息，第二转换信息包括通过基于线性运算转换第二读取数据而获得的数据，并且第一读取数据和所述第二读取数据包括从相同存储器单元读取的数据；基于线性运算转换第一读取数据以生成第一转换信息；对第一转换信息和第二转换信息执行逻辑运算以生成运算信息；对运算信息执行线性运算的逆运算以生成可靠性信息；以及基于第一读取数据和可靠性信息，纠正第一读取数据的错误。
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公开(公告)号：CN107039072A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611115475.0
申请日：2016-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/14 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C16/0466 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/3459 , G11C2211/5621 , G11C2211/5642 , G11C2211/5648 , G11C16/0475 , G11C16/107 , G11C29/12 , G11C2029/1202 , G11C2029/1204
Abstract: 一种非易失性存储器设备，包括：存储单元阵列，包括多个存储单元；行译码器电路，通过多个字线连接到存储单元阵列；以及页面缓冲器电路，通过位线连接到存储单元阵列。在读操作期间，行译码器电路向所选择的字线施加读电压。在关于连接到所选择的字线的存储单元的N个逻辑页面(N为正整数)中的每个所执行的读操作期间，行译码器电路向所选择的字线施加邻近的N个读电压当中的一读电压，而不向所选择的字线施加邻近的N个读电压当中的其他读电压。邻近的N个读电压包括读电压当中的第二高的读电压。
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