公开(公告)号：CN112306397A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010740963.0

申请日：2020-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔炳镕 ,  金斗铉 ,  薛昶圭 ,  朴一汉

IPC: G06F3/06 ,  G06F11/10

Abstract: 提供了一种操作存储控制器的方法，该方法包括：响应于写入请求，基于状态整形信息对接收到的数据执行状态整形操作，接收到的数据和写入请求是从主机接收的，状态整形信息表示与要在其上对接收到的数据进行编程的存储单元组相对应的存储单元特性，并且状态整形信息是从存储设备接收的；以及向存储设备发送转换数据，转换数据是通过状态整形操作而生成的。

公开(公告)号：CN108389601A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201711391882.9

申请日：2017-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金斗铉 ,  李宗勋 ,  朴一汉

IPC: G11C16/34

CPC classification number: G11C16/14 ,  G11C11/5635 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/16 ,  G11C16/3427 ,  G11C16/3445 ,  G11C16/3459

Abstract: 一种非易失性存储器装置的软擦除方法。所述方法包括：当执行多个编程循环以将第一存储器单元编程到第N编程状态时，在至少一个编程循环中将编程电压施加到被包括在连接到选择的第一位线的选择的存储器单元串中并连接到选择的字线的第一存储器单元；在第一验证间隔中，通过将用于验证第一存储器单元的编程状态的读取电压施加到选择的字线以及将第一预脉冲施加到连接到第一位线的多个未选择的存储器单元串和连接到未选择的第二位线的多个未选择的存储器单元串中的每一个未选择的存储器单元串的串选择晶体管的栅极，来对第二存储器单元进行软擦除。

公开(公告)号：CN116129975A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211310177.2

申请日：2022-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋沅钟 ,  金斗铉 ,  金栒永 ,  朴一汉

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/10 ,  G11C29/42 ,  G06F11/10

Abstract: 公开了存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储控制器，在所述存储装置中执行热处理之前接收保护命令，并且通过将保护电压编程在收敛区域中来生成保护图案，在收敛区域，在所述存储装置被执行热处理之后，所述存储装置中的存储器单元的阈值电压分布收敛。

公开(公告)号：CN108389601B

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN201711391882.9

申请日：2017-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金斗铉 ,  李宗勋 ,  朴一汉

IPC: G11C16/34

Abstract: 一种非易失性存储器装置的软擦除方法。所述方法包括：当执行多个编程循环以将第一存储器单元编程到第N编程状态时，在至少一个编程循环中将编程电压施加到被包括在连接到选择的第一位线的选择的存储器单元串中并连接到选择的字线的第一存储器单元；在第一验证间隔中，通过将用于验证第一存储器单元的编程状态的读取电压施加到选择的字线以及将第一预脉冲施加到连接到第一位线的多个未选择的存储器单元串和连接到未选择的第二位线的多个未选择的存储器单元串中的每一个未选择的存储器单元串的串选择晶体管的栅极，来对第二存储器单元进行软擦除。

公开(公告)号：CN106328199B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201610518434.X

申请日：2016-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南尚完 ,  金斗铉 ,  边大锡 ,  尹治元

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/10

Abstract: 存储设备提供如下。存储单元区包括多个块，每个块包括多个NAND串。控制逻辑基于相对于存储单元区的第一边缘的第一距离和相对于存储单元区的第二边缘的第二距离中较小的距离将所述多个块划分成多个块区，并且使用用于操作的操作参数的多个偏置集来控制对存储单元区执行的操作。每个偏置集与块区之一相关联。

公开(公告)号：CN104934067A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510119045.5

申请日：2015-03-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金斗铉 ,  金甫根 ,  朴起台 ,  韩真晚

IPC: G11C16/26

Abstract: 提供一种非易失性存储器装置和存储装置及其操作方法。根据示例实施例，一种操作存储装置的方法包括：使用存储器控制器读取工序能力指数；基于工序能力指数调节至少一个操作条件；根据调节的所述至少一个操作条件来操作至少一个非易失性存储器装置中的一个非易失性存储器装置。所述工序能力指数指示与将被操作的存储器单元相关联的结构如何偏离目标形状。

公开(公告)号：CN116110470A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211375167.7

申请日：2022-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴准镛 ,  金珉奭 ,  金志秀 ,  朴一汉 ,  金斗铉

IPC: G11C16/12 ,  G11C16/24 ,  G11C5/14

Abstract: 提供了一种用于提高编程操作的速度的存储器设备及其操作方法。该存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；电压生成器，被配置为生成用于对多个存储器单元执行的一个或多个编程操作和验证操作的电压；控制逻辑，被配置为在多个存储器单元上执行控制操作，使得执行第一编程和第二编程循环；第二编程操作基于补偿电压电平来执行，补偿电压电平是基于第一验证操作的结果确定的；以及连接到存储器单元阵列的多条位线，其中第一验证操作包括对偶数编号的位线的第一偶数感测和第二偶数感测，以及对奇数编号的位线的第一奇数感测和第二奇数感测。

公开(公告)号：CN114078536A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110882993.X

申请日：2021-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 方真培 ,  金斗铉 ,  金珉奭 ,  金志秀

IPC: G11C16/26

Abstract: 公开了非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的读取方法。非易失性存储器装置包括存储器单元阵列、行解码器电路以及包括第一锁存器和第二锁存器的页缓冲器电路。页缓冲器电路将基于存储在邻近的存储器单元中的数据的第一感测值分别锁存在第一锁存器并且将基于存储在选择的存储器单元中的数据的第二感测值分别锁存在第二锁存器至少两次。

公开(公告)号：CN104934067B

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201510119045.5

申请日：2015-03-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金斗铉 ,  金甫根 ,  朴起台 ,  韩真晚

IPC: G11C16/26

Abstract: 提供一种非易失性存储器装置和存储装置及其操作方法。根据示例实施例，一种操作存储装置的方法包括：使用存储器控制器读取工序能力指数；基于工序能力指数调节至少一个操作条件；根据调节的所述至少一个操作条件来操作至少一个非易失性存储器装置中的一个非易失性存储器装置。所述工序能力指数指示与将被操作的存储器单元相关联的结构如何偏离目标形状。

公开(公告)号：CN113053444A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011543864.X

申请日：2020-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金斗铉 ,  李宗勋

IPC: G11C16/34 ,  G11C8/08 ,  G11C7/18 ,  G06N3/063

Abstract: 提供了存储装置和操作该存储装置的方法。所述存储装置包括具有多个存储器单元的非易失性存储器装置以及存储控制器。每个存储器单元被设置为多个存储器单元状态中的一个存储单元状态，其中，所述多个存储器单元状态的不同的多个子集与多个数据集中的一个数据集相关联。存储控制器访问存储在所述多个存储器单元中的处于第一状态的一个存储器单元中的数据，对所述数据执行乘法器‑累加器(MAC)运算，并且将所述一个存储单元设置为与MAC运算的结果对应的第二状态以执行就地更新。