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公开(公告)号：CN110137144B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201910066850.4
申请日：2019-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本公开提供了具有平坦化的钝化层的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：半导体基板，被分成焊盘区域和单元区域并具有有源表面和与有源表面相反的非有源表面；多个金属线，在半导体基板的有源表面上；钝化层，在半导体基板的有源表面上；以及多个凸块，在单元区域中。钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，该第一钝化层覆盖所述多个金属线并具有沿着所述多个金属线的排布轮廓的非平坦的顶表面，该第二钝化层在第一钝化层的非平坦的顶表面上并具有其上设置所述多个凸块的平坦化的顶表面。
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公开(公告)号：CN115692349A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210639105.6
申请日：2022-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L25/16 , H01L25/18 , H10B80/00
Abstract: 一种半导体封装，包括：第一半导体芯片，位于封装衬底上；第二半导体芯片，位于所述第一半导体芯片上并且在其底表面上具有重分布层；凸块下焊盘，位于所述重分布层的底表面上；第一焊接部，靠近所述第一半导体芯片并且将所述凸块下焊盘中的第一焊盘连接到所述封装衬底的衬底焊盘；以及模塑层，位于所述封装衬底上并且覆盖所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片以及所述第一焊接部。所述凸块下焊盘中的第二焊盘与所述第一半导体芯片的顶表面直接接触。所述第一焊盘通过所述重分布层连接到所述第二半导体芯片的集成电路。所述第二焊盘与所述第二半导体芯片的所述集成电路绝缘。
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公开(公告)号：CN109994443A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201811425214.8
申请日：2018-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L25/07
Abstract: 一种半导体封装包括第一半导体芯片和连接到所述第一半导体芯片的第二半导体芯片。所述第一半导体芯片包括：第一芯片基板，具有彼此相对的第一上表面和第一下表面；第一硅通孔(TSV)；下部连接焊盘和第一下部钝化层，位于所述第一芯片基板的第一下表面上，所述第一下部钝化层暴露所述下部连接焊盘的一部分；上部连接焊盘和第一上部钝化层，位于所述第一芯片基板的第一上表面上，所述第一上部钝化层包括第一上部无机材料层。所述第二半导体芯片包括第二TSV。其中，所述第一下部钝化层具有第一下部无机材料层和下部有机材料层的堆叠结构。
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公开(公告)号：CN102891136B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201210249511.8
申请日：2012-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L25/16 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/3185 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/24146 , H01L2224/24225 , H01L2224/24226 , H01L2224/24227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2224/92144 , H01L2225/06524 , H01L2225/06562 , H01L2225/06568 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00
Abstract: 本申请涉及半导体封装及其形成方法和包括该半导体封装的系统。一种半导体封装可以包括：基板，包括基板连接端子；至少一个半导体芯片，堆叠在基板上并具有芯片连接端子；第一绝缘层，至少覆盖基板的一部分和至少一个半导体芯片的一部分；和/或互连，穿透第一绝缘层以将基板连接端子连接到芯片连接端子。一种半导体封装可以包括：堆叠的半导体芯片，半导体芯片的边缘部分构成台阶结构，每个半导体芯片包括芯片连接端子；至少一个绝缘层，覆盖半导体芯片的至少边缘部分；和/或互连，穿透至少一个绝缘层以连接到每个半导体芯片的芯片连接端子。
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公开(公告)号：CN112435968B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202010861476.X
申请日：2020-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 可以提供一种半导体封装，其包括：封装基板；在封装基板的顶表面上的半导体芯片；在封装基板与半导体芯片之间的连接端子，该连接端子将封装基板连接到半导体芯片；在封装基板与半导体芯片之间的非导电膜(NCF)，NCF包围连接端子并将半导体芯片接合到封装基板；以及侧包封材料，覆盖半导体芯片的侧表面、接触封装基板并包括在半导体芯片的底表面与封装基板的顶表面之间的第一部分。NCF的至少一部分包括当从上方观察时从半导体芯片水平突出的第二部分，并且侧包封材料的一部分与半导体芯片的底表面接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117650135A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202310987011.2
申请日：2023-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/485 , H01L23/488
Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：重分布线结构，包括多个重分布线图案；第一半导体芯片和第二半导体芯片，在重分布线结构上并且彼此间隔开；桥接结构，在第一半导体芯片、第二半导体芯片与重分布线结构之间，并且包括被配置为将第一半导体芯片电连接到第二半导体芯片的多个连接布线图案；以及模制层，围绕桥接结构的侧壁并且填充在第一半导体芯片、第二半导体芯片与重分布线结构之间以及第一半导体芯片与第二半导体芯片之间，其中，多个连接布线图案的最下表面在多个重分布线图案的最上表面上方。
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公开(公告)号：CN117457593A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310380946.4
申请日：2023-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/3105 , H01L21/302 , H10B80/00
Abstract: 一种半导体封装件可以包括基板、安装在所述基板上的芯片结构和附接到所述芯片结构的第一虚设结构。所述芯片结构可以包括：第一半导体芯片；第二虚设结构，所述第二虚设结构设置在所述第一半导体芯片的一侧；以及模制层，所述模制层包围所述第一半导体芯片和所述第二虚设结构。所述第一半导体芯片的底表面、所述第二虚设结构的底表面和所述模制层的底表面可以彼此共面。
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公开(公告)号：CN117423675A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202310876319.X
申请日：2023-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 一种半导体封装，包括：第一半导体芯片，包括第一衬底、第一衬底上的多个第一焊盘、以及延伸穿过第一衬底并连接到多个第一焊盘的多个贯通电极；以及第一半导体芯片上的第二半导体芯片，第二半导体芯片包括第二衬底、以及在第二衬底下方并与多个第一焊盘接触的多个第二焊盘。多个第一焊盘包括：第一组第一焊盘，第一组第一焊盘中的每一个第一焊盘包括：第一基底层，包括第一凹陷；以及第一导电图案层和第一绝缘图案层，交替设置在第一凹陷中；以及第二组第一焊盘，第二组第一焊盘中的每一个第一焊盘包括：第二基底层，包括第二凹陷；以及第二导电图案层，设置在第二凹陷中。
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公开(公告)号：CN110047810B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN201811136358.1
申请日：2018-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H10B80/00
Abstract: 提供了半导体封装件以及包括其的半导体器件。半导体封装件包括下芯片、位于下芯片上的上芯片以及位于下芯片与上芯片之间的粘合剂层。下芯片具有第一硅通孔(TSV)和位于其上表面上的垫。垫分别连接到第一TSV。上芯片包括在其下表面上的凸块。凸块键合到垫。凸块的竖直中心线分别与第一TSV的竖直中心线对准。在下芯片的外围区域中，凸块的竖直中心线分别从垫的竖直中心线偏移。
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公开(公告)号：CN112435968A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202010861476.X
申请日：2020-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 可以提供一种半导体封装，其包括：封装基板；在封装基板的顶表面上的半导体芯片；在封装基板与半导体芯片之间的连接端子，该连接端子将封装基板连接到半导体芯片；在封装基板与半导体芯片之间的非导电膜(NCF)，NCF包围连接端子并将半导体芯片接合到封装基板；以及侧包封材料，覆盖半导体芯片的侧表面、接触封装基板并包括在半导体芯片的底表面与封装基板的顶表面之间的第一部分。NCF的至少一部分包括当从上方观察时从半导体芯片水平突出的第二部分，并且侧包封材料的一部分与半导体芯片的底表面接触。
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