公开(公告)号：CN100435368C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200610076901.4

申请日：2006-04-25

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 黄硕珉 ,  金制远 ,  朴英豪 ,  高健维 ,  金智烈 ,  朴正圭 ,  闵垘基

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明涉及倒装芯片发光二极管及其制造方法，可以将集中在邻近n型电极的部分上的电流引导至发光部的中心，因此增强电流散布效应，从而提高发光二极管芯片的发光效率。制造倒装芯片发光二极管的方法包括：在光学透明衬底上顺序形成n型氮化物半导体层、有源层、和p型氮化物半导体层；蚀刻有源层和p型氮化物半导体层的第一预定区域，并露出n型氮化物半导体层的多个第一区域，以形成多个第一凹槽；蚀刻有源层和p型氮化物半导体层的位于形成的第一凹槽之间的第二预定区域，并露出n型氮化物半导体层的多个第二区域，以形成多个第二凹槽；在第二凹槽表面上形成绝缘层；在p型氮化物半导体层上部和在凹槽表面上形成的绝缘层上，形成p型电极；以及在形成的第一凹槽上形成n型电极。

公开(公告)号：CN1858921A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200610076901.4

申请日：2006-04-25

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 黄硕珉 ,  金制远 ,  朴英豪 ,  高健维 ,  金智烈 ,  朴正圭 ,  闵垘基

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明涉及倒装芯片发光二极管及其制造方法，可以将集中在邻近n型电极的部分上的电流引导至发光部的中心，因此增强电流散布效应，从而提高发光二极管芯片的发光效率。制造倒装芯片发光二极管的方法包括：在光学透明衬底上顺序形成n型氮化物半导体层、有源层、和p型氮化物半导体层；蚀刻有源层和p型氮化物半导体层的预定区域，并露出n型氮化物半导体层的多个区域，以形成多个台面；蚀刻位于形成的台面之间的有源层和p型氮化物半导体层的预定区域，并露出n型氮化物半导体层的多个区域，以形成多个凹槽；在凹槽表面上形成绝缘层；越过p型氮化物半导体层的上部和在凹槽表面上形成的绝缘层，形成p型电极；以及在形成的台面上形成n型电极。