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公开(公告)号：CN1858921A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200610076901.4
申请日：2006-04-25
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/08 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明涉及倒装芯片发光二极管及其制造方法，可以将集中在邻近n型电极的部分上的电流引导至发光部的中心，因此增强电流散布效应，从而提高发光二极管芯片的发光效率。制造倒装芯片发光二极管的方法包括：在光学透明衬底上顺序形成n型氮化物半导体层、有源层、和p型氮化物半导体层；蚀刻有源层和p型氮化物半导体层的预定区域，并露出n型氮化物半导体层的多个区域，以形成多个台面；蚀刻位于形成的台面之间的有源层和p型氮化物半导体层的预定区域，并露出n型氮化物半导体层的多个区域，以形成多个凹槽；在凹槽表面上形成绝缘层；越过p型氮化物半导体层的上部和在凹槽表面上形成的绝缘层，形成p型电极；以及在形成的台面上形成n型电极。
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公开(公告)号：CN100435368C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200610076901.4
申请日：2006-04-25
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/08 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明涉及倒装芯片发光二极管及其制造方法，可以将集中在邻近n型电极的部分上的电流引导至发光部的中心，因此增强电流散布效应，从而提高发光二极管芯片的发光效率。制造倒装芯片发光二极管的方法包括：在光学透明衬底上顺序形成n型氮化物半导体层、有源层、和p型氮化物半导体层；蚀刻有源层和p型氮化物半导体层的第一预定区域，并露出n型氮化物半导体层的多个第一区域，以形成多个第一凹槽；蚀刻有源层和p型氮化物半导体层的位于形成的第一凹槽之间的第二预定区域，并露出n型氮化物半导体层的多个第二区域，以形成多个第二凹槽；在第二凹槽表面上形成绝缘层；在p型氮化物半导体层上部和在凹槽表面上形成的绝缘层上，形成p型电极；以及在形成的第一凹槽上形成n型电极。
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公开(公告)号：CN1913186B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200610109760.1
申请日：2006-08-09
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种高输出的氮化物发光器件。该发光器件包括按其顺序沉积在基板上的第一导电型氮化物半导体层、活性层、和第二导电型氮化物半导体层。该发光器件还包括：第一和第二绝缘层，形成在氮化物半导体发光器件的不同上表面部分上；以及第一和第二结合焊盘，分别形成在第一和第二绝缘层上。该发光器件还包括第一和第二延伸电极，从第一和第二结合焊盘延伸并分别连接至第一和第二导电型半导体层。根据本发明的电极排列可以防止结合焊盘与发光器件之间的直接连接，从而具有仅利用延伸电极就可获得更均匀电流分布的对称结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100424903C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200610139775.2
申请日：2006-09-25
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/642 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/46 , H01L33/641
Abstract: 本发明提供了一种GaN基半导体LED及其制造方法。该GaN基半导体LED可以具有改进的蓝宝石衬底散热能力，从而避免了由热量引起的器件性能退化，并提高了器件的发光效率。在GaN基半导体LED中，蓝宝石衬底具有形成在其下部的至少一个凹槽。具有高于蓝宝石衬底的热传导率的热传导层形成在蓝宝石衬底的底面，以填充凹槽。n型氮化物半导体层形成在蓝宝石衬底上，而且活性层和p型氮化物半导体层顺序形成在n型氮化物半导体层的预定部分上。P电极和n电极分别形成在p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层上。
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公开(公告)号：CN101271952A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810095054.5
申请日：2006-09-25
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/642 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/46 , H01L33/641
Abstract: 本发明提供了一种GaN基半导体LED及其制造方法。该GaN基半导体LED可以具有改进的蓝宝石衬底散热能力，从而避免了由热量引起的器件性能退化，并提高了器件的发光效率。在GaN基半导体LED中，蓝宝石衬底具有形成在其下部的至少一个凹槽。具有高于蓝宝石衬底的热传导率的热传导层形成在蓝宝石衬底的底面，以填充凹槽。n型氮化物半导体层形成在蓝宝石衬底上，而且活性层和p型氮化物半导体层顺序形成在n型氮化物半导体层的预定部分上。P电极和n电极分别形成在p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层上。
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公开(公告)号：CN1941437A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610139775.2
申请日：2006-09-25
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/642 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/46 , H01L33/641
Abstract: 本发明提供了一种GaN基半导体LED及其制造方法。该GaN基半导体LED可以具有改进的蓝宝石衬底散热能力，从而避免了由热量引起的器件性能退化，并提高了器件的发光效率。在GaN基半导体LED中，蓝宝石衬底具有形成在其下部的至少一个凹槽。具有高于蓝宝石衬底的热传导率的热传导层形成在蓝宝石衬底的底面，以填充凹槽。n型氮化物半导体层形成在蓝宝石衬底上，而且活性层和p型氮化物半导体层顺序形成在n型氮化物半导体层的预定部分上。P电极和n电极分别形成在p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层上。
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公开(公告)号：CN1913186A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610109760.1
申请日：2006-08-09
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种高输出的氮化物发光器件。该发光器件包括按其顺序沉积在基板上的第一导电型氮化物半导体层、活性层、和第二导电型氮化物半导体层。该发光器件还包括：第一和第二绝缘层，形成在氮化物半导体发光器件的不同上表面部分上；以及第一和第二结合焊盘，分别形成在第一和第二绝缘层上。该发光器件还包括第一和第二延伸电极，从第一和第二结合焊盘延伸并分别连接至第一和第二导电型半导体层。根据本发明的电极排列可以防止结合焊盘与发光器件之间的直接连接，从而具有仅利用延伸电极就可获得更均匀电流分布的对称结构。
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