公开(公告)号：CN1870316A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610089815.7

申请日：2006-05-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐旼彻 ,  朴容佑 ,  牟然坤

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L51/0516 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/0002 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L2251/5338 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管(OTFT)、一种制造这样的OTFT的方法、和包括这样的OTFT的有机电致发光(EL)显示器。所述OTFT具有由于使用氟基气体表面处理对应于沟道区的基底的部分以稳定沟道区而改善了的特性。所述方法包括：处理基底表面的预定部分；在未被表面处理的基底的部分上形成源电极和漏电极；形成半导体层以接触所述基底的表面处理过的部分；在所述基底上形成栅绝缘层；并且在所述栅绝缘层上形成栅极。所述基底使用例如CF4或C3F8的氟基气体进行等离子体表面处理。

公开(公告)号：CN1893108A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610105419.9

申请日：2006-07-06

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐旼彻 ,  安泽 ,  朴容佑

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明公开了一种包括具有界定像素的开口的栅极绝缘层的平板显示装置。该平板显示装置包括：衬底；形成在衬底上的源极和漏极；接触源极和漏极的半导体层；形成衬底上方的栅极；形成在源极和漏极以及栅极之间的绝缘层，绝缘层具有开口；以及通过绝缘层的开口部分显露的像素电极。绝缘层作为栅极绝缘层和界定像素电极的像素界定层。