公开(公告)号：CN1983662A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610159812.6

申请日：2006-09-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 安泽 ,  徐旼彻 ,  朴镇成

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L27/28 ,  H01L27/32 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/283 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

Abstract: 提供了一种当形成有机半导体层的图案时可以防止对源极和漏极造成损伤的有机薄膜晶体管、以及制造具有该有机薄膜晶体管的有机发光显示器件的方法。该有机薄膜晶体管包括：源极和漏极；有机半导体层，它接触源极和漏极并且除源极与漏极之间的沟道区以外具有灰化表面；与源极、漏极和有机半导体层绝缘的栅极；以及使栅极与源极、漏极和有机半导体层绝缘的栅极绝缘薄膜。

公开(公告)号：CN1862835A

公开(公告)日：2006-11-15

申请号：CN200610079397.3

申请日：2006-04-21

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 安泽 ,  徐旼彻 ,  具在本

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/283 ,  H01L29/78651 ,  H01L29/78681 ,  H01L51/0017

Abstract: 能减小泄露电流和能防止在相邻的TFT之间串扰的TFT包括：衬底；安置在衬底上的栅极电极；彼此分开并与栅极电极绝缘的源极电极和漏极电极；以及与栅极电极绝缘的半导体层，接触源极和漏极电极的每一个，并且具有将在源极和漏极电极之间的半导体层的区域至少与相邻的TFT分开的槽。每个槽至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分，并且由至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分的每个槽投影到源极和漏极电极时而生成的投影图像覆盖除了面向漏极电极的源极电极的部分和面向源极电极的漏极电极的部分以外的源极和漏极电极。

公开(公告)号：CN1825548A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200510138091.6

申请日：2005-12-08

Applicant: 三星SDI株式会社 ,  三星SDI德国有限责任公司

Inventor： 徐旼彻 ,  具在本 ,  安泽 ,  金慧东 ,  F·乔格 ,  W·亨伯斯

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 一种形成导电图案的方法，其中通过使用激光烧蚀法和喷墨法形成导电图案而不使用光刻工艺在低温下容易地形成导电图案，使用该方法制造的有机薄膜晶体管，以及制造有机薄膜晶体管的方法。形成平板显示器件中的导电图案的方法包括制备基底部件，在基底部件中形成具有与导电图案相同的形状的凹槽，通过将导电材料施加到凹槽中形成导电图案。基底部件具有包括具有凹槽的塑料衬底的结构和包括衬底和设置在衬底上并具有凹槽的绝缘层的结构。

公开(公告)号：CN1874023A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610093471.7

申请日：2006-05-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 安泽 ,  徐旼彻 ,  牟然坤

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L27/32 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/3274 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0017 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 一种防止有机半导体层的表面损坏并减小关断电流的有机薄膜晶体管及其制造方法，和一种结合该有机薄膜晶体管的有机发光器件。有机薄膜晶体管包括衬底、在衬底上设置的源和漏电极、接触源和漏电极并包括沟道区的半导体层、在半导体层上设置的且具有与半导体层相同的图形的保护膜，该保护膜包括激光吸收材料、设置在栅和源和漏电极之间的栅绝缘膜、设置在栅绝缘膜上的栅电极、以及在半导体层和保护膜内设置的分离图形，该分离图形适于限定半导体层的沟道区。

公开(公告)号：CN1848476A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200510137344.8

申请日：2005-11-15

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐旼彻 ,  具在本 ,  安泽

IPC: H01L51/05

CPC classification number: H01L27/283 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种具有一致特性的有机TFT和具有该有机TFT的平板显示器，其中有机TFT包括采用旋涂工艺形成的有机半导体层。该有机TFT的一个实施例包括：衬底，设置在衬底上的栅电极，覆盖该栅电极的栅极绝缘膜，设置在栅极绝缘膜上的有机半导体层，以及与有机半导体层接触的源电极和漏电极，其中多个突起部件形成于栅极绝缘膜上，且突起部件从源电极延伸向漏电极。

公开(公告)号：CN101165938A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200610160585.9

申请日：2006-10-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴镇成 ,  安泽 ,  徐旼彻

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明涉及有机薄膜晶体管(TFT)、其制造方法以及包括该有机薄膜晶体管的平板显示器，更具体而言，涉及这样一种有机TFT，其包括：栅极；与栅极绝缘的源极和漏极；与栅极绝缘并与源极和漏极电连接的有机半导体层；使栅极与源极、漏极以及有机半导体层绝缘的绝缘层；以及设置于绝缘层和有机半导体层之间的自组装单层(SAM)。形成SAM的化合物具有至少一个选自未取代或取代的C6－C30芳基和未取代或取代的C2－C30杂芳基的端基。有机TFT是通过形成上面描述的各层并且在形成有机半导体层、源极和漏极之前在绝缘层上形成SAM来形成的。因此，有机半导体层与绝缘层之间的粘附力增加，并且因热所引起的有机半导体材料的相分离可被防止，从而获得可靠性改善的平板显示器件。

公开(公告)号：CN1979910A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200510121739.9

申请日：2005-12-02

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐旼彻 ,  具在本 ,  牟然坤 ,  安泽 ,  郑棕翰

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/0541 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/0516

Abstract: 一种薄膜晶体管，一种制造薄膜晶体管的方法以及一种包括薄膜晶体管的平板显示器。薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极、与栅极连接的第一导电层、与源极和漏极中之一连接的第二导电层、接触源极和漏极的有机半导体层以及将源极和漏极以及有机半导体层与栅极绝缘的绝缘层，其中栅极、第一导电层、源极和漏极以及第二导电层中至少之一包括导电纳米颗粒和固化树脂。薄膜晶体管的导电层可具有精密图案。薄膜晶体管可以低成本、低温工艺来制造。

公开(公告)号：CN1834123A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200610008944.9

申请日：2006-01-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 安泽 ,  徐旼彻 ,  具在本

IPC: C08F112/04 ,  C08L25/02 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L51/0038 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/0541

Abstract: 一种用于形成薄膜晶体管的缓冲层的聚(对亚苯基亚乙烯基)(PPV)化合物，其通过分子式1表示：其中R是被环己基或苯基取代的C11－C20甲硅烷基基团，m是从2到4的整数，n是从1到3,000的整数；一种用于形成薄膜晶体管的缓冲层的组合物，其用来形成分子式1表示的化合物，并且包含卤代前体聚合物、光致碱发生剂和溶剂；一种薄膜晶体管，其包括使用PPV化合物制备的缓冲层；一种包括该薄膜晶体管的平板显示器。具有图形的缓冲层可以通过使用含硅的PPV前体的光刻图形形成而在有机TFT的有机半导体层之下形成。因此，改进有机TFT的有机半导体层的定位，从而改进了有机TFT的特性。

公开(公告)号：CN1825650A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200510003495.4

申请日：2005-11-23

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 安泽 ,  徐旼彻 ,  具在本 ,  朴镇成

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 一种在有机半导体层与源电极和漏电极之间具有优良的粘附性、优良的接触电阻以及允许欧姆接触的有机薄膜晶体管，和其制造方法。还提供了使用该有机薄膜晶体管的平板显示器件。该有机薄膜晶体管包括：形成在衬底上的源电极、漏电极、有机半导体层、栅绝缘层、和栅电极；和至少形成在有机半导体层与源电极或有机半导体层与漏电极之间的包括导电聚合物材料的载流子转运层。

公开(公告)号：CN1790749A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510119451.8

申请日：2005-11-10

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 安泽 ,  具在本 ,  徐旼彻

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L27/32 ,  H01L21/336 ,  H01L51/40 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/0541 ,  H01L27/3244

Abstract: 本发明涉及一种有机薄膜晶体管(OTFT)、一种制造该OTFT的方法和一种具有该OTFT的有机电致发光显示器。本发明防止有机半导体层的表面损伤并降低关电流。该OTFT包括衬底、在衬底上形成的源电极和漏电极以及在衬底上形成的具有设置在源电极和漏电极之上和之间的沟道层的半导体层。另外，该OTFT包括在半导体层上形成的栅绝缘层、穿过半导体层和栅绝缘层形成以将沟道层分开的分隔图案以及在沟道层上面的栅绝缘层上形成的栅电极。