公开(公告)号：CN118778360A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410352727.X

申请日：2024-03-26

Applicant: 三星SDI株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 南宫烂 ,  河京珍 ,  朴贤 ,  宋大锡 ,  金旼秀 ,  诸相炫 ,  金俊秀 ,  刘昭燕 ,  朴秀敏 ,  洪锡九

IPC: G03F7/004

Abstract: 提供了一种抗蚀剂顶涂层组合物和使用所述组合物形成图案的方法。抗蚀剂顶涂层组合物包含：共聚物，所述共聚物包括由化学式M‑1表示的第一结构单元和由化学式M‑2表示的第二结构单元；和溶剂。

公开(公告)号：CN115598939A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210793674.6

申请日：2022-07-07

Applicant: 三星SDI株式会社(KR) ,  三星电子株式会社(KR)

Inventor： 许伦旼 ,  文炯朗 ,  李旻映 ,  金旼秀 ,  金荣权 ,  金宰贤 ,  禹昌秀 ,  崔正敏 ,  高武铉 ,  金贞儿 ,  都星安 ,  裵相元 ,  韩勋 ,  洪锡九

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供了一种含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物，以及包括使用其进行显影步骤的形成图案的方法。该含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物包含有机溶剂和被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物，其中七角环化合物在环中具有至少两个双键。

公开(公告)号：CN115598942A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210794402.8

申请日：2022-07-07

Applicant: 三星SDI株式会社(KR) ,  三星电子株式会社(KR)

Inventor： 李旻映 ,  文炯朗 ,  许伦旼 ,  金旼秀 ,  金荣权 ,  金宰贤 ,  禹昌秀 ,  崔正敏 ,  高武铉 ,  金贞儿 ,  都星安 ,  裵相元 ,  韩勋 ,  洪锡九

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明提供了一种从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物，及包括使用组合物去除边缘珠的步骤的形成图案的方法。该从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物包含有机溶剂、以及被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物，其中该七角环化合物在该环中具有至少两个双键。

公开(公告)号：CN108573860B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201710142850.9

申请日：2017-03-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪锡九 ,  姜美荣 ,  李孝圣 ,  赵庆容 ,  金宝螺 ,  金惠智 ,  赵先觉

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明构思的实施方案提供用于制造半导体器件的方法。所述方法包括：通过在基底上交替地且重复地堆叠绝缘层和牺牲层来形成堆叠结构，在所述堆叠结构上顺序地形成第一下部层和第一光刻胶图案，使用所述第一光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻所述第一下部层以形成第一下部图案。使用所述第一下部图案作为蚀刻掩模蚀刻所述堆叠结构的第一部分以形成阶梯式结构。所述第一下部层包括基于酚醛清漆的有机聚合物，并且所述第一光刻胶图案包括包含硅的聚合物。

公开(公告)号：CN113219787A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202011092502.3

申请日：2020-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金艺灿 ,  金秀珉 ,  金珠英 ,  金珍珠 ,  金贤友 ,  朴柱铉 ,  宋炫知 ,  李松世 ,  洪锡九

IPC: G03F7/004

Abstract: 一种抗蚀剂组合物包括：聚合物；以及由式1表示的化合物，[式1]在式1中，R1为氢、卤素、具有1个至7个碳原子的烷基、具有1个至7个碳原子的羰基、具有1个至7个碳原子的酯基、具有1个至7个碳原子的缩醛基、具有1个至7个碳原子的烷氧基、具有1个至7个碳原子的醚基、或由式R表示的基团，R2、R3、R4和R5为氢、卤素、具有1个至7个碳原子的烷基、具有1个至7个碳原子的酯基、具有1个至7个碳原子的缩醛基、具有1个至7个碳原子的烷氧基、或具有1个至7个碳原子的醚基，[式R]

公开(公告)号：CN113219788A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202011092567.8

申请日：2020-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金艺灿 ,  洪锡九 ,  金秀珉 ,  金珠英 ,  金珍珠 ,  金贤友 ,  朴柱铉 ,  宋炫知 ,  李松世

IPC: G03F7/004

Abstract: 一种抗蚀剂组合物包括：聚合物；光酸产生剂；以及由式1表示的材料：[式1]

公开(公告)号：CN113219786A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202011085310.X

申请日：2020-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴柱铉 ,  金秀珉 ,  金艺灿 ,  金珠英 ,  金珍珠 ,  金贤友 ,  宋炫知 ,  李松世 ,  洪锡九

IPC: G03F1/56 ,  G03F7/004 ,  G03F7/00

Abstract: 提供了光刻方法和制造半导体器件的方法，所述光刻方法包括：在衬底上施用组合物以形成光致抗蚀剂层；使用极紫外辐射(EUV)对光致抗蚀剂层执行曝光工艺；使光致抗蚀剂层显影以形成光致抗蚀剂图案，其中，组合物包括光敏树脂、光酸产生剂、光可分解猝灭剂、添加剂和溶剂，添加剂是由下面的式4A表示的化合物：[式4A]在式4A中，R1至R5均独立地为氢或碘，R1至R5中的至少一者为碘。

公开(公告)号：CN113185432A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202011387643.8

申请日：2020-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金秀珉 ,  金贤友 ,  洪锡九 ,  金艺灿 ,  金珠英 ,  金珍珠 ,  朴柱铉 ,  宋炫知 ,  李松世

IPC: C07C309/12 ,  C07C321/30 ,  C07C319/20 ,  C07C303/22 ,  G03F7/004

Abstract: 提供一种光可分解化合物、光致抗蚀剂组合物和制造集成电路装置的方法。所述光可分解化合物包括：阴离子组分，包括金刚烷基；阳离子组分，包括C5至C40环烃基，并且与阴离子组分形成络合物。所述金刚烷基和所述环烃基中的至少一者具有取代基，所述取代基通过酸而分解并产生碱溶性基团。所述取代基包括酸不稳定性保护基。所述光致抗蚀剂组合物包括化学放大型聚合物、所述光可分解化合物和溶剂。为了制造集成电路(IC)装置，在特征层上使用光致抗蚀剂组合物形成光致抗蚀剂膜，对光致抗蚀剂膜的第一区域进行曝光以在第一区域中从光可分解化合物产生多种酸，化学放大型聚合物由于所述多种酸而脱保护，并且去除第一区域以形成光致抗蚀剂图案。

公开(公告)号：CN109581810A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811093301.8

申请日：2018-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文桢皓 ,  洪锡九 ,  金珍珠 ,  全今慧

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/00

Abstract: 提供了包含等离子体光吸收剂的光刻胶组合物和使用该光刻胶组合物制造半导体器件的方法。光刻胶组合物可以包含可显影的聚合物、光致生酸剂、等离子体光吸收剂和有机溶剂。等离子体光吸收剂可以对用于光刻图案化过程的光(例如紫外光)较有透过性，所述光刻图案化过程用以将由光刻胶组合物形成的层图案化，并且对在后续刻蚀过程中产生的光(如由等离子体产生的光)较有吸收性。当形成半导体器件时，图案化的光刻胶层可以被更精确地产生并且可以更好地保持在用于刻蚀半导体器件的多个目标层时所需的性能。

公开(公告)号：CN118684603A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410343961.6

申请日：2024-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： H·金 ,  高行德 ,  金惠兰 ,  南煐敏 ,  宋智永 ,  李昶宪 ,  A·田 ,  蔡贞厦 ,  李松世 ,  洪锡九

IPC: C07C311/20 ,  C07C311/07 ,  C07C311/29 ,  C07C381/12 ,  G03F7/004

Abstract: 提供有机盐、包括其的光致抗蚀剂组合物和通过使用该光致抗蚀剂组合物形成图案的方法，所述有机盐由下面的式1表示。式1的描述提供在本文中。式1#imgabs0#