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公开(公告)号:CN105622364B
公开(公告)日:2019-05-21
申请号:CN201510725055.3
申请日:2015-10-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C07C43/23 , C07C2603/50 , C07C2603/52 , C08G61/02 , C08G2261/1422 , C08G2261/1424 , C08G2261/312 , C08G2261/314 , C08G2261/3424 , C08G2261/362 , C08G2261/45 , C08G2261/72 , C09D165/00
Abstract: 本发明提供一种同时确保耐蚀刻性和平坦化特征的单体、聚合物、有机层组成物、有机层及形成图案的方法,其中,本发明公开由化学式1表示的单体、由化学式2表示的聚合物、包含用于有机层的化合物(即单体、聚合物或其组合)的有机层组成物、由有机层组成物制造的有机层以及通过固化有机层组成物获得的有机层。化学式1和化学式2与具体实施方式中所定义的相同。
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公开(公告)号:CN108291013A
公开(公告)日:2018-07-17
申请号:CN201680070703.9
申请日:2016-10-19
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明揭示一种聚合物,其包含由化学式1表示的结构单元及由化学式2表示的结构单元;包含所述聚合物的有机层组成物;及使用所述有机层组成物形成图案的方法。在化学式1及化学式2中,A1及A2独立地为二价基团,其包含经取代或未经取代的苯环中的至少一者,A3为包含四级碳的二价基团,且*为连接点。
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公开(公告)号:CN105646850A
公开(公告)日:2016-06-08
申请号:CN201510794412.1
申请日:2015-11-18
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C08G61/12 , C08L65/00 , H01L21/027 , G03F1/56
CPC classification number: C08G73/0672 , C08G61/124 , C08G2261/1422 , C08G2261/1424 , C08G2261/1428 , C08G2261/148 , C08G2261/3241 , C08G2261/3424 , G03F7/004 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31144 , H01L21/32139
Abstract: 本发明公开一种聚合物、有机层组合物、有机层以及形成图案的方法,具体公开由化学式1表示的部分的聚合物、包含所述聚合物的有机层组合物、由所述有机层组合物形成的有机层以及使用所述有机层组合物形成图案的方法。化学式1表示如下,其中,在化学式1中,A1和A2各自独立地是衍生自含氮原子的芳环基团的二价基团,A3和A4各自独立地是由化学式2表示的二价基团,n是0或1,以及‘*’指示化合物或化合物的部分的连接点。可以提供具有改善的溶解性、耐蚀刻性以及储存稳定性的有机层材料。
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公开(公告)号:CN110780536A
公开(公告)日:2020-02-11
申请号:CN201910694739.X
申请日:2019-07-30
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本公开涉及一种包含由化学式1表示的有机金属化合物以及溶剂的半导体抗蚀剂组合物,以及涉及一种使用所述组合物形成图案的方法及系统,其中,在化学式1中,R1是脂族烃基、芳族烃基或-亚烷基-O-烷基,且R2到R4分别独立地选自-ORa及-OC(=O)Rb。本公开的半导体抗蚀剂组合物具有改善的耐刻蚀性、灵敏度且易于处置。[化学式1]
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公开(公告)号:CN106336372B
公开(公告)日:2019-09-24
申请号:CN201610457786.9
申请日:2016-06-22
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C07D209/12 , C07D209/60 , C07D209/86 , C07D311/82 , C07D333/56 , G03F1/46 , G03F1/56
Abstract: 本发明提供一种单体、包含所述单体的有机层组合物、使用所述有机层组合物制造的有机层以及使用所述有机层组合物形成图案的方法。本发明的单体由化学式1表示,化学式1与具体实施方式中所定义的相同。本发明的单体具有良好的溶解度特征以及优良的耐蚀刻性和耐热性,使用所述单体制造的有机层具有优良的机械特征和膜表面平整度。[化学式1]
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