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公开(公告)号：CN115125536A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210705026.0
申请日：2015-11-26
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/18 , C09K13/06 , H01L21/3213 , C23F1/26
Abstract: 本发明涉及液体组合物及使用其的蚀刻方法，所述液体组合物用于对形成在含有铟、镓、锌及氧的氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物进行蚀刻，所述蚀刻方法的特征在于使该液体组合物与具有铜或以铜作为主要成分的金属化合物的基板接触。本发明的液体组合物的特征在于，包含：(A)过氧化氢、(B)不含氟原子的酸、(C)选自由膦酸类、磷酸酯类、1H‑四唑‑1‑乙酸、1H‑四唑‑5‑乙酸及4‑氨基‑1,2,4‑三唑组成的组中的1种以上化合物及(D)水，且该组合物的pH值为5以下。通过使用本发明的液体组合物，可以抑制对含有铟、镓、锌及氧的氧化物的损伤，且对形成在该氧化物上的铜或以铜作为主要成分的金属化合物进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN104968838A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201480007128.9
申请日：2014-03-31
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 本发明提供用于蚀刻含有铜和钛的多层膜的液体组合物、和使用该液体组合物蚀刻含有铜和钛的多层膜的方法、使用该蚀刻方法的多层膜配线的制造方法、以及设置有利用该制造方法制造的多层膜配线的基板。本发明中使用的液体组合物包含(A)马来酸根离子供给源、(B)铜离子供给源、以及(C)氟化物离子供给源，且液体组合物的pH值为0～7。
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公开(公告)号：CN107099801A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201611175677.4
申请日：2016-12-19
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/44
Abstract: 本发明提供对包含铜及钼的多层薄膜进行蚀刻的液体组合物及使用其的蚀刻方法及显示装置的制造方法。根据本发明，能够提供一种液体组合物，其是用于对包含由以铜为主成分的物质形成的铜层及由以钼为主成分的物质形成的钼层的多层薄膜进行蚀刻的液体组合物，所述液体组合物包含(A)过氧化氢3～9质量％、(B)酸6～20质量％、(C)碱化合物(其中，不包括咖啡因)1～10质量％、及(D)咖啡因0.1～4质量％，并且pH值为2.5～5.0。
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公开(公告)号：CN105121705B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201480022520.0
申请日：2014-04-09
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/14 , C09K13/00 , H01L21/306 , H01L21/308 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L21/47635 , C09K13/00 , C23F1/02 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/32134 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H05K3/067 , H05K2201/0338
Abstract: 本发明提供包含铜和钼的多层膜的蚀刻中使用的液体组合物和包含铜和钼的多层膜的蚀刻的蚀刻方法、以及基板。本发明中使用如下液体组合物，其包含：(A)马来酸根离子供给源；(B)铜离子供给源；以及(C)胺化合物，其为选自由1‑氨基‑2‑丙醇、2‑(甲基氨基)乙醇、2‑(乙基氨基)乙醇、2‑(丁基氨基)乙醇、2‑(二甲基氨基)乙醇、2‑(二乙基氨基)乙醇、2‑甲氧基乙基胺、3‑甲氧基丙基胺、3‑氨基‑1‑丙醇、2‑氨基‑2‑甲基‑1‑丙醇、1‑二甲基氨基‑2‑丙醇、2‑(2‑氨基乙氧基)乙醇、吗啉和4‑(2‑羟基乙基)吗啉组成的组中的至少一种，且所述液体组合物的pH值为4～9。
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公开(公告)号：CN105659365A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201480057455.5
申请日：2014-10-23
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , C09K13/04
Abstract: 本发明提供如下蚀刻液：在实质上由锌、锡和氧组成的氧化物的蚀刻中具有适合的蚀刻速率，相对于该氧化物的溶解，蚀刻速率的变化小，且没有析出物的产生，且对布线材料的腐蚀性小到可以无视的程度。本发明中，使用如下蚀刻液：包含(A)选自由硫酸、甲磺酸和它们的盐组成的组中的1种以上和水，pH值为-1～3。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105359257A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201480033266.4
申请日：2014-06-12
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/06 , C11D7/26 , C11D7/32
CPC classification number: C11D7/06 , C11D7/26 , C11D7/32 , H01L21/02071 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供从由铟、镓、锌以及氧组成的氧化物(IGZO)的表面清洗和去除含铜附着物而不腐蚀IGZO半导体层、含铜布线的液体组合物，以及使用了该液体组合物的IGZO表面的清洗方法以及利用该清洗方法而清洗的基板。本发明中使用包含选自由羟基羧酸和二羧酸、或它们的盐组成的组中的一种以上且pH值为1.5～10的液体组合物。
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公开(公告)号：CN105659365B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201480057455.5
申请日：2014-10-23
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , C09K13/04
Abstract: 本发明提供如下蚀刻液：在实质上由锌、锡和氧组成的氧化物的蚀刻中具有适合的蚀刻速率，相对于该氧化物的溶解，蚀刻速率的变化小，且没有析出物的产生，且对布线材料的腐蚀性小到可以无视的程度。本发明中，使用如下蚀刻液：包含(A)选自由硫酸、甲磺酸和它们的盐组成的组中的1种以上和水，pH值为‑1～3。
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公开(公告)号：CN103911159B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201310713080.0
申请日：2013-12-20
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C09K13/06 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及至少包含铟和镓的氧化物的蚀刻液以及蚀刻方法，其能够适用于包含铟、镓和氧的氧化物或者包含铟、镓、锌和氧的氧化物等至少包含铟和镓的氧化物的蚀刻中。根据本发明优选的方式，通过使用包含硫酸或其盐、以及羧酸(其中，除了草酸以外)或其盐的蚀刻液，在至少包含铟和镓的氧化物的蚀刻中，具有合适的蚀刻速率且残渣去除性也良好，对于布线材料的腐蚀性也小，进而即便蚀刻液中溶解的氧化物的浓度成为高浓度，也不产生析出物，并且能够维持合适的蚀刻速率。
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公开(公告)号：CN103361644B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201310123603.6
申请日：2013-04-10
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC classification number: C09K13/00 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/34 , C23F1/38 , G03F7/20 , G03F7/32 , H05K3/067 , H05K2201/0338
Abstract: 本发明提供用于蚀刻包含铜和钼的多层膜的液体组合物以及使用其的蚀刻方法。一种液体组合物，其包含(A)过硫酸根离子供给源、(B)铜离子供给源以及(C)选自由氨、铵离子、胺和烷基铵离子组成的组中的至少一种氮化合物供给源，所述液体组合物的pH为3.5～9。
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公开(公告)号：CN105960700A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201580006920.7
申请日：2015-01-21
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/308 , C09K13/04 , C09K13/06
CPC classification number: C09K13/06 , C09K13/04 , G02F1/13439 , H01L21/30604 , H01L33/005 , H01L33/36
Abstract: 本发明提供一种在包含铟、锌、锡及氧的氧化物的蚀刻中具有适当的蚀刻速率、相对于该氧化物溶解的蚀刻速率的变化小、并且实质上没有析出物的产生、而且对布线材料的腐蚀性小到可以忽略的程度的蚀刻用液体组合物。在本发明中，使用含有(A)选自由硫酸、甲磺酸、或它们的盐组成的组中的1种以上和水、且pH值为‑1～3的蚀刻用液体组合物。
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