公开(公告)号：CN1223004C

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN98811412.7

申请日：1998-07-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 新田哲也 ,  凑忠玄 ,  上西明夫

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体衬底的第1主面上形成了多个槽(5a)，在槽(5a)间被夹住的区域内形成了p型扩散区(2)和n型扩散区(3)，以便沿槽的深度方向构成pn结。p型扩散区(2)具有从一方的槽(5a)的侧壁面扩散了p型杂质的杂质浓度分布，n型扩散区(3)具有从另一方的槽(5a)的侧壁面扩散了n型杂质的杂质浓度分布。在p型扩散区(2)和n型扩散区(3)的第2主面一侧形成了n+高浓度衬底区(1)。槽5a的从第1主面算起的深度Td比p型和n型扩散区(2、3)的从第1主面算起的深度Nd深了p型扩散区(2)内的p型杂质或n型扩散区(3)内的n型杂质的制造时的扩散长度L以上。由此，可得到高耐压、低导通电阻的半导体装置。

公开(公告)号：CN1279822A

公开(公告)日：2001-01-10

申请号：CN98811412.7

申请日：1998-07-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 新田哲也 ,  凑忠玄 ,  上西明夫

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0873 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体衬底的第1主面上形成了多个槽5a,在槽5a间被夹住的区域内形成了p型扩散区2和n型扩散区3,以便沿槽的深度方向构成pn结。P型扩散区2具有从一方的槽5a的侧壁面扩散了p型杂质的杂质浓度分布,n型扩散区3具有从另一方的槽5a的侧壁面扩散了n型杂质的杂质浓度分布。在p型扩散区2和n型扩散区3的第2主面一侧形成了n+高浓度衬底区1。槽5a的从第1主面算起的深度Td比p型和n型扩散区2、3的从第1主面算起的深度Nd深了p型扩散区2内的p型杂质或n型扩散区3内的n型杂质的制造时的扩散长度L以上。由此,可得到高耐压、低导通电阻的半导体装置。