公开(公告)号：CN113823611A

公开(公告)日：2021-12-21

申请号：CN202110425117.4

申请日：2021-04-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田胜志 ,  盐田裕基 ,  谷昌和 ,  宫路仁崇 ,  泽川麻绪

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/60

Abstract: 本发明的半导体装置包括：半导体模块，其具有板状的半导体元件、电连接到半导体元件的一个面上的导体、一个面热连接并且电连接到半导体元件的另一个面上的散热板、密封半导体元件、导体和散热板的树脂构件、以及热连接到散热板的从树脂构件露出的另一个面的绝缘散热构件；与绝缘散热构件热连接的散热器；以及电场抑制板，该电场抑制板具有覆盖半导体元件的一个面并与其隔开间隔地相对并被树脂构件密封的板状的覆盖部分、和从覆盖部分延伸到散热器侧并与散热器热连接且电连接的连接部分。

公开(公告)号：CN118782562A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410356972.8

申请日：2024-03-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田胜志 ,  宫路仁崇

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/49

Abstract: 本发明获得一种实现小型化及高电压化的同时抑制电极的角部及角部周围的电场的半导体功率模块。本发明的半导体功率模块包括多个电极，该多个电极分别具有不同的电位并隔着间隙而重叠，在多个电极重叠的方向上观察时，多个电极的每一个具有三个以上的角部，在相邻的两个电极中，一个电极的角部的至少一部分设置在比另一个电极更靠外侧的位置，另一个电极的角部的至少一部分设置在比一个电极更靠外侧的位置。

公开(公告)号：CN113823611B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202110425117.4

申请日：2021-04-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田胜志 ,  盐田裕基 ,  谷昌和 ,  宫路仁崇 ,  泽川麻绪

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/60

Abstract: 本发明的半导体装置包括：半导体模块，其具有板状的半导体元件、电连接到半导体元件的一个面上的导体、一个面热连接并且电连接到半导体元件的另一个面上的散热板、密封半导体元件、导体和散热板的树脂构件、以及热连接到散热板的从树脂构件露出的另一个面的绝缘散热构件；与绝缘散热构件热连接的散热器；以及电场抑制板，该电场抑制板具有覆盖半导体元件的一个面并与其隔开间隔地相对并被树脂构件密封的板状的覆盖部分、和从覆盖部分延伸到散热器侧并与散热器热连接且电连接的连接部分。

公开(公告)号：CN119256395A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202280096421.1

申请日：2022-06-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 泽川麻绪 ,  宫路仁崇 ,  盐田裕基 ,  山竹厚

IPC: H01L23/34

Abstract: 本公开的一个方案所涉及的半导体装置具备：半导体封装，对散热器、设置于散热器的一个面上的半导体芯片以及与半导体芯片电连接的电极端子进行树脂密封，具有散热器的另一个面从密封树脂露出的底面，电极端子从侧面以及上表面的至少1个面突出；绝缘片材，配设于半导体封装的底面；以及吸热器，具有容纳半导体封装的底面的凹部，凹部的深度比绝缘片材的厚度深，凹部的底面和半导体封装的底面隔着绝缘片材接合，在凹部内支撑半导体封装。由此，能够提供在防止半导体封装、绝缘片材以及吸热器的接合部的偏移、剥离的同时抑制散热性降低的半导体装置。

公开(公告)号：CN113299612B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202110160721.9

申请日：2021-02-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田胜志 ,  宫路仁崇 ,  田屋昌树 ,  谷昌和 ,  盐田裕基 ,  泽川麻绪

IPC: H01L23/31 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明通过使半导体装置的耐压保持区域部的电场强度分布平坦化来抑制局部放电和沿面放电。在从半导体基板(1)上的有效区域部(A1)的端部到芯片外周端部(A3)的耐压保持区域部(A2)中设有保护膜(15)的半导体装置(100)中，利用介电常数在膜内变化的电介质来构成保护膜(15)。在从有效区域部(A1)的端部到芯片外周端部(A3)为止的耐压保持区域部(A2)中，当未设置保护膜(15)的情况下的电场强度具有第一倾斜分布时，通过对保护膜(15)的介电常数进行调整以使得保护膜(15)的介电常数具有与第一倾斜分布相同的倾向的第二倾斜分布，从而能使耐压保持区域部(A2)整个区域中的电场强度分布平坦化。

公开(公告)号：CN117178464A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202180097095.1

申请日：2021-12-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宫路仁崇

IPC: H02M1/08

Abstract: 一种电力变换装置(1)，具备半导体元件(2)、温度传感器(3a)、密封半导体元件(2)的密封件(4)以及半导体元件(2)的驱动电路(5)，温度传感器(3a)测定半导体元件(2)或密封件(4)中任意一者或这两者的温度，驱动电路(5)基于温度传感器(3a)测定出的温度信息控制施加于半导体元件(2)的电压陡度或电压峰值。

公开(公告)号：CN113299612A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110160721.9

申请日：2021-02-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田胜志 ,  宫路仁崇 ,  田屋昌树 ,  谷昌和 ,  盐田裕基 ,  泽川麻绪

IPC: H01L23/31 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明通过使半导体装置的耐压保持区域部的电场强度分布平坦化来抑制局部放电和沿面放电。在从半导体基板(1)上的有效区域部(A1)的端部到芯片外周端部(A3)的耐压保持区域部(A2)中设有保护膜(15)的半导体装置(100)中，利用介电常数在膜内变化的电介质来构成保护膜(15)。在从有效区域部(A1)的端部到芯片外周端部(A3)为止的耐压保持区域部(A2)中，当未设置保护膜(15)的情况下的电场强度具有第一倾斜分布时，通过对保护膜(15)的介电常数进行调整以使得保护膜(15)的介电常数具有与第一倾斜分布相同的倾向的第二倾斜分布，从而能使耐压保持区域部(A2)整个区域中的电场强度分布平坦化。