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公开(公告)号：CN117043937A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202180096066.3
申请日：2021-03-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/40
Abstract: 提供低成本且散热性优异的半导体装置。半导体装置具有散热器、半导体元件、金属块、端子以及封装材料。半导体元件包含表面电极。半导体元件安装于散热器的上表面。金属块包含接合面和散热面。接合面与半导体元件的表面电极接合。散热面经由绝缘部件与散热器的上表面连接。金属块以跨过半导体元件的至少1个边的上方的方式设置。端子呈板形状。端子的第1端与金属块接合。端子的第2端位于与第1端相反侧，形成为能够与外部电路连接。封装材料将散热器、半导体元件、金属块和端子的第1端封装。端子的第2端从封装材料露出。
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公开(公告)号：CN105359262A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201380078021.9
申请日：2013-07-04
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L25/18 , H01L21/4825 , H01L21/565 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/3675 , H01L23/4334 , H01L23/481 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49589 , H01L23/50 , H01L23/5228 , H01L24/36 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L25/07 , H01L2224/05553 , H01L2224/0603 , H01L2224/37011 , H01L2224/40137 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73221 , H01L2224/83801 , H01L2224/84205 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/37099
Abstract: 将半导体元件(14、16)固定于基板(12)，将具有框体、信号端子(T4－T7)、宽度比该信号端子宽的主端子(T2、B5)、以及虚设端子(T1、T3、T8、T9、R1－R18、L1－L18、B 1－B4、B6－B8)的端子集合体的该信号端子和该主端子与该半导体元件电连接，形成该基板、该半导体元件、以及该端子集合体进行了一体化的被封装体。将在下模具形成的多个块体与该信号端子、该主端子、以及该虚设端子以无间隙的方式啮合，将该被封装体载置于该下模具。然后，将上模具的下表面无间隙地重叠在该多个块体的上表面、该信号端子的上表面、该主端子的上表面、以及该虚设端子的上表面，形成对该基板和该半导体元件进行收容的空腔，将模塑树脂注入至该空腔。
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公开(公告)号：CN104885218A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201280078050.0
申请日：2012-12-28
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H03L1/022 , H01L23/34 , H01L23/58 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/04026 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/06181 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/40137 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/37099
Abstract: 具有：半导体元件，其具有栅极，并由栅极电压进行控制；栅极驱动电路，其控制该栅极电压；电极，其与该半导体元件连接，流过该半导体元件的主电流；温度检测部，其检测该电极的温度；生成部，其基于由该温度检测部检测出的温度，生成在该电极的温度不超过预定的温度的范围内向该半导体元件提供最大的通电量的第1控制信号；以及比较部，其将该第1控制信号与为了控制该栅极电压而从外部传送的第2控制信号进行比较，选择能够抑制该电极的温度一方的控制信号即选择控制信号。而且，该栅极驱动电路根据该选择控制信号控制该栅极电压。
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公开(公告)号：CN111418058B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201780097239.7
申请日：2017-12-01
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/473 , H01L25/07 , H10D80/20 , H05K7/20
Abstract: 本发明的目的在于提供能够抑制尺寸公差的影响的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：多个冷却板(1)，它们各自在内部具有冷媒通路(11)；间隔件(5)，其使各冷却板(1)分离地层叠；半导体封装件(2)，其设置于至少1个冷却板(1)的至少1个主面之上；以及弹簧板(4)，其设置于相邻的冷却板(1)之间，将半导体封装件(2)向冷却板(1)侧预紧。
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公开(公告)号：CN115428142A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202080100078.4
申请日：2020-04-27
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 具有：金属块；半导体元件，其通过第1接合材料固定于该金属块的上表面，纵向地流过电流；主端子，其通过第2接合材料固定于该半导体元件的上表面；信号端子，其与该半导体元件电连接；以及模塑树脂，其将该半导体元件、该第1接合材料、该第2接合材料覆盖，将该金属块、该主端子、该信号端子的一部分覆盖，该金属块的下表面从该模塑树脂露出，该主端子和该信号端子从该模塑树脂的侧面露出，该主端子具有该模塑树脂中的第1部分、与该第1部分连接且在该模塑树脂外部向下方弯曲的第2部分、与该第2部分连接且与该模塑树脂的下表面大致平行的第3部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105359262B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201380078021.9
申请日：2013-07-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 将半导体元件(14、16)固定于基板(12)，将具有框体、信号端子(T4－T7)、宽度比该信号端子宽的主端子(T2、B5)、以及虚设端子(T1、T3、T8、T9、R1－R18、L1－L18、B 1－B4、B6－B8)的端子集合体的该信号端子和该主端子与该半导体元件电连接，形成该基板、该半导体元件、以及该端子集合体进行了一体化的被封装体。将在下模具形成的多个块体与该信号端子、该主端子、以及该虚设端子以无间隙的方式啮合，将该被封装体载置于该下模具。然后，将上模具的下表面无间隙地重叠在该多个块体的上表面、该信号端子的上表面、该主端子的上表面、以及该虚设端子的上表面，形成对该基板和该半导体元件进行收容的空腔，将模塑树脂注入至该空腔。
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公开(公告)号：CN105393354A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201380078314.7
申请日：2013-07-16
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 荒木慎太郎 , 爱甲光德 , 白泽敬昭 , 哈利德·哈桑·候赛因
CPC classification number: H01L23/49568 , H01L23/3114 , H01L23/49537 , H01L23/49562 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/37599 , H01L2224/40137 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/8485 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H01L2924/00 , H01L2224/37099
Abstract: 具有：由导电体形成的第1基板；第1二极管，其具有第1阴极电极和第1阳极电极，该第1阴极电极与该第1基板电连接；由导电体形成的第2基板；第1开关元件，其具有第1发射极电极以及第1集电极电极，该第1集电极电极与该第2基板电连接；第2开关元件，其具有第2发射极电极以及第2集电极电极，该第2集电极电极与该第2基板电连接；第1端子，其与该第2基板电连接；第2端子，其与该第1阳极电极电连接；第3端子，其与该第1发射极电极、该第2发射极电极以及该第1基板电连接；以及模塑树脂，其使该第1端子、该第2端子以及该第3端子的一部分露出在外部，并将该第1二极管、该第1开关元件以及该第2开关元件覆盖。
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公开(公告)号：CN102683332A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210069142.4
申请日：2012-03-07
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H02M7/003 , H01L23/3107 , H01L25/112 , H01L2225/1011 , H01L2225/1064 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种省略汇流条并小型化的功率模块。本申请的发明所涉及的功率模块包括第一半导体装置和与该第一半导体装置同样构成的第二半导体装置，所述第一半导体装置具有从铸模树脂向外部延伸的集电极端子、从该铸模树脂向外部延伸的发射极端子，该集电极端子和该发射极端子中的至少一个是从该铸模树脂的相对的2个面向外部延伸的两侧延伸端子。而且，其特征在于：该第一半导体装置的该两侧延伸端子与该第二半导体装置的两侧延伸端子连接。
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公开(公告)号：CN113678261B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN201980095117.3
申请日：2019-04-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体装置，其具有：半导体基板，其具有流过主电流的有源区域、有源区域的周围的末端区域；聚酰亚胺膜，其设置于有源区域之上及末端区域之上；以及钝化膜，其是作为聚酰亚胺膜的下层膜而设置的，末端区域包含从有源区域侧依次设置的耐压保持区域及最外周区域，聚酰亚胺膜是将最外周区域的切割残留部排除在外而设置的，钝化膜至少在设置有聚酰亚胺膜的区域被设置作为下层膜。
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公开(公告)号：CN118891814A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202280093658.4
申请日：2022-03-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M7/48 , H02M7/5387 , H02M1/08 , H02M1/088 , H02M1/32 , H05K7/20 , H01L23/473
Abstract: 本发明的目的在于减小包含并联连接的Si开关元件及SiC开关元件的逆变器的总损耗。逆变器(101)具有SiC MOSFET模块(1)、与SiC MOSFET模块(1)并联连接的Si IGBT模块(2)、对SiC MOSFET模块(1)进行控制的SiC MOSFET模块用控制电路(7)和对Si IGBT模块(2)进行控制的Si IGBT模块用控制电路(8)。SiC MOSFET模块用控制电路(7)在SiC MOSFET模块(1)的元件温度高于第1阈值的情况下，停止SiC MOSFET模块(1)的驱动。Si IGBT模块用控制电路(8)在Si IGBT模块(2)的元件温度高于第2阈值的情况下，停止Si IGBT模块(2)的驱动。
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