公开(公告)号：CN119769194A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202280099412.8

申请日：2022-09-05

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  日清纺微电子株式会社

Inventor： 玉城朋宏 ,  桥本诚 ,  须藤阳平 ,  出口忠义 ,  河濑光久

IPC: H10D30/63 ,  H10D30/01 ,  H10D12/00 ,  H10D12/01

Abstract: 本公开所涉及的半导体装置具备：漂移层，包括交替地配置的第一导电类型的第一柱区域和第二导电类型的第二柱区域；第二导电类型的基极区域，配置于漂移层的第一主面侧；栅极绝缘膜，以与基极区域相接的方式配置；栅极电极，以隔着栅极绝缘膜的方式配置；第一导电类型的电荷保持区域，配置于基极区域与第二柱区域之间；以及第一导电类型的发射极区域，配置于基极区域中的第一主面侧的表层，第二柱区域中的作为第二主面侧的端部的下端位于比第一柱区域中的作为第二主面侧的端部的下端靠第二主面侧的位置，在将第二柱区域中的作为第一主面侧的端部的上端的宽度设为wp1、将第二柱区域中的与第一柱区域的下端相同的位置的宽度设为wp2以及将第二柱区域的下端的宽度设为wp3时，wp3>wp2且wp1>wp2。