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公开(公告)号：CN102959125A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180030847.9
申请日：2011-05-09
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: C23C16/509 , H01L21/205 , H01L31/04 , H05H1/46
CPC classification number: C23C16/50 , C23C16/4412 , C23C16/4557 , C23C16/45578 , C23C16/46 , C23C16/511 , H01J37/32229 , H01L31/1804 , H01L31/1816 , H01L31/1824 , H01L31/1876 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种抑制脊形电极及基板的热变形，对于大型的基板也能进行稳定的等离子体处理的真空处理装置。具有：放电室（2），由脊形波导管构成，该脊形波导管具有生成等离子体的排气侧脊形电极（21a）及基板侧脊形电极（21b）；一对转换器，将高频电力转换成方形波导管的基本传送模式即TE模式而向放电室（2）传送，并使排气侧脊形电极（21a）及基板侧脊形电极（21b）之间产生等离子体；均热调温器（40），设置在基板侧脊形电极（21b）的外表面侧，并使温度均匀地进行加热；热吸收调温单元（50），设置在排气侧脊形电极（21a）的外表面侧，并控制实施等离子体处理的基板（S）的板厚方向的热流束，将基板（S）设置在排气侧脊形电极（21a）及基板侧脊形电极（21b）之间而实施等离子体处理。
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公开(公告)号：CN101932750B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200880125848.X
申请日：2008-06-27
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4401 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32862
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置，其能够简单地、且以具有通用性的方式设定进行自清洗的定时，并且能够进一步延长该定时，能够提高生产效率。一种向对基板(4)进行制膜处理的制膜室(1)内导入清洗气体进行自清洗的等离子体CVD装置(100)，其中，进行自清洗的定时在制膜运转时间比例(Ps)相对于制膜处理量的增大而饱和的范围内设定，该制膜运转时间比例(Ps)利用制膜关联作业时间(Tt)占制膜关联作业时间(Tt)与清洗关联作业时间(Tc)之和的比例来表示。
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公开(公告)号：CN101779294A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200980100131.4
申请日：2009-01-07
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L31/02366 , H01L31/077 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 提供一种具有高转换效率且量产性优良的大面积光电转换装置。光电转换装置(100)在基板(1)上形成包括晶体硅层的光电转换层(3)，晶体硅层具有晶体硅i层(42)，光电转换装置(100)具有以下述指标表示的基板面内分布：晶体硅i层(42)的晶体硅相的拉曼峰值强度相对于非晶硅相的拉曼峰值强度之比即拉曼峰值比的平均值为4以上8以下，拉曼峰值比的标准偏差为1以上3以下，且拉曼峰值比为4以下的区域的比例为0％以上15％以下。光电转换装置(100)中，形成基板(1)的光电转换层(3)的面大小为1m见方以上，具有以下述指标表示的基板面内分布：晶体硅i层(42)的拉曼峰值比的平均值为5以上8以下，拉曼峰值比的标准偏差为1以上3以下，且拉曼峰值比为4以下的区域的比例为0％以上10％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102959125B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201180030847.9
申请日：2011-05-09
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: C23C16/509 , C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01J37/32 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC classification number: C23C16/50 , C23C16/4412 , C23C16/4557 , C23C16/45578 , C23C16/46 , C23C16/511 , H01J37/32229 , H01L31/1804 , H01L31/1816 , H01L31/1824 , H01L31/1876 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种抑制脊形电极及基板的热变形，对于大型的基板也能进行稳定的等离子体处理的真空处理装置。具有：放电室（2），由脊形波导管构成，该脊形波导管具有生成等离子体的排气侧脊形电极（21a）及基板侧脊形电极（21b）；一对转换器，将高频电力转换成方形波导管的基本传送模式即TE模式而向放电室（2）传送，并使排气侧脊形电极（21a）及基板侧脊形电极（21b）之间产生等离子体；均热调温器（40），设置在基板侧脊形电极（21b）的外表面侧，并使温度均匀地进行加热；热吸收调温单元（50），设置在排气侧脊形电极（21a）的外表面侧，并控制实施等离子体处理的基板（S）的板厚方向的热流束，将基板（S）设置在排气侧脊形电极（21a）及基板侧脊形电极（21b）之间而实施等离子体处理。
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公开(公告)号：CN101779294B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200980100131.4
申请日：2009-01-07
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L31/02366 , H01L31/077 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 提供一种具有高转换效率且量产性优良的大面积光电转换装置。光电转换装置(100)在基板(1)上形成包括晶体硅层的光电转换层(3)，晶体硅层具有晶体硅i层(42)，光电转换装置(100)具有以下述指标表示的基板面内分布：晶体硅i层(42)的晶体硅相的拉曼峰值强度相对于非晶硅相的拉曼峰值强度之比即拉曼峰值比的平均值为4以上8以下，拉曼峰值比的标准偏差为1以上3以下，且拉曼峰值比为4以下的区域的比例为0％以上15％以下。光电转换装置(100)中，形成基板(1)的光电转换层(3)的面大小为1m见方以上，具有以下述指标表示的基板面内分布：晶体硅i层(42)的拉曼峰值比的平均值为5以上8以下，拉曼峰值比的标准偏差为1以上3以下，且拉曼峰值比为4以下的区域的比例为0％以上10％以下。
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公开(公告)号：CN101501866B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200680055483.9
申请日：2006-09-08
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/046 , H01L31/0463 , Y02E10/50
Abstract: 一种太阳电池面板，具备基板(1)和多个发电单元(5)。基板(1)具有第1边(1a)、与第1边(1a)对着的第2边(1b)、第1边(1a)和第2边(1b)之间的第3边(1c)以及与第3边(1c)对着的第4边(1d)。多个发电单元(5)设置在基板(1)上，沿着第1边(1a)排列，互相串联连接。多个发电单元(5)具有在第1边(1a)附近沿着第1边(1a)的第1槽(15a)和在第2边(1b)附近沿着第2边(1b)的第2槽(15b)，不具有在第3边(1c)附近沿着第3边(1c)的槽及在第4边(1d)附近沿着第4边(1d)的槽。第1槽(15a)及第2槽(15b)是从多个发电单元(5)的表面朝向基板(1)的表面而形成的，按不到达基板(1)的端的方式延伸到第3边(1c)及第4边(1d)附近。
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公开(公告)号：CN101932750A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200880125848.X
申请日：2008-06-27
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4401 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32862
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置，其能够简单地、且以具有通用性的方式设定进行自清洗的定时，并且能够进一步延长该定时，能够提高生产效率。一种向对基板(4)进行制膜处理的制膜室(1)内导入清洗气体进行自清洗的等离子体CVD装置(100)，其中，进行自清洗的定时在制膜运转时间比例(Ps)相对于制膜处理量的增大而饱和的范围内设定，该制膜运转时间比例(Ps)利用制膜关联作业时间(Tt)占制膜关联作业时间(Tt)与清洗关联作业时间(Tc)之和的比例来表示。
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公开(公告)号：CN101501866A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200680055483.9
申请日：2006-09-08
Applicant: 三菱重工业株式会社
IPC: H01L31/042
CPC classification number: H01L31/18 , H01L31/046 , H01L31/0463 , Y02E10/50
Abstract: 一种太阳电池面板，具备基板(1)和多个发电单元(5)。基板(1)具有第1边(1a)、与第1边(1a)对着的第2边(1b)、第1边(1a)和第2边(1b)之间的第3边(1c)以及与第3边(1c)对着的第4边(1d)。多个发电单元(5)设置在基板(1)上，沿着第1边(1a)排列，互相串联连接。多个发电单元(5)具有在第1边(1a)附近沿着第1边(1a)的第1槽(15a)和在第2边(1b)附近沿着第2边(1b)的第2槽(15b)，不具有在第3边(1c)附近沿着第3边(1c)的槽及在第4边(1d)附近沿着第4边(1d)的槽。第1槽(15a)及第2槽(15b)是从多个发电单元(5)的表面朝向基板(1)的表面而形成的，按不到达基板(1)的端的方式延伸到第3边(1c)及第4边(1d)附近。
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