公开(公告)号：CN102113127B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200980129888.6

申请日：2009-08-20

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 山口贤刚 ,  坂井智嗣 ,  鹤我薰典

IPC: H01L31/04

CPC classification number: C23C14/086 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/36 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  C23C14/3407 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/548

Abstract: 提供一种通过将暴露于氢等离子体后的导电率设定在适当的范围而抑制漏电流并提高转换效率的光电转换装置。一种光电转换装置(100)，在基板(1)上包括至少具备2层发电单元层(91、92)的光电转换层(3)和夹在所述发电单元层(91、92)之间的中间接触层(5)，所述光电转换装置的特征在于，所述中间接触层(5)主要包含由Zn1-xMgxO(0.096≤x≤0.183)表示的化合物。

公开(公告)号：CN101568796B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200780047607.3

申请日：2007-10-31

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 坂井智嗣 ,  津村阳一郎 ,  饭田政巳 ,  川添浩平

IPC: G01B11/06 ,  H01L31/04

CPC classification number: G01B11/06 ,  G01B11/0625 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种膜厚计测方法及其装置、以及薄膜设备的制造系统，其目的在于减轻作业员的负担，并且提高制造效率。通过线型照明器(3)，对在基板(W)上成膜的透明导电膜或透明光学膜照射直线照明光，并由摄像机检测由透明导电膜或透明光学膜反射的直线反射光，对检测出的反射光的色评价值进行计测，使用将色评价值和膜厚建立关联的膜厚特性，求出与计测的色评价值对应的膜厚。

公开(公告)号：CN102379044A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201080015058.3

申请日：2010-05-06

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 坂井智嗣 ,  小林靖之

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明提供具备使反射特性最优化的中间接触层的光电转换装置。光电转换装置(100)在基板(1)上具备在基板(1)的相反侧的表面具备凹凸结构的透明电极层(2)、由两个发电层(91、92)构成的光电转换层(3)、背面电极层(4)、设于两个发电层(91、92)之间的中间接触层(5)，中间接触层(5)从基板(1)侧起依次包含以氧化钛为主的氧化钛膜、和以透明导电性氧化物为主的背面侧透明导电膜，氧化钛膜的膜厚在由以下所示的区域的范围内：背面侧透明导电膜的膜厚为5nm时为65nm以上且110nm以下；背面侧透明导电膜的膜厚为10nm时为65nm以上且95nm以下；背面侧透明导电膜的膜厚为15nm时为65nm以上且90nm以下；背面侧透明导电膜的膜厚为20nm时为60nm以上85nm以下；背面侧透明导电膜的膜厚为25nm时为55nm以上且70nm以下；以及背面侧透明导电膜的膜厚为30nm时为55nm以上且65nm以下。

公开(公告)号：CN101779293A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200980100102.8

申请日：2009-01-07

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 坂井智嗣 ,  浅原裕司 ,  小林靖之 ,  森匡史 ,  鹤我薰典 ,  山下信树

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0547 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，通过最优化透明导电层来提高光电转换装置的短路电流。该光电转换装置(100)在基板(1)上具备第一透明电极层(2)、发电层(3)、第二透明电极层(6)、及背面电极层(4)，其特征在于，上述第二透明电极层(6)的膜厚为80nm以上且100nm以下，且在波长600nm以上1000nm以下的区域上的所述第二透明电极层(6)的光吸收率为1.5％以下。以及光电转换装置(100)，其特征在于，上述第二透明电极层(6)的膜厚为80nm以上且100nm以下，由上述第二透明电极层(6)及上述背面电极层(4)所反射的光的反射率在波长600nm以上且1000nm以下的区域为91％以上。

公开(公告)号：CN100574905C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200410046441.1

申请日：2004-05-31

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 坂井智嗣 ,  鹤我薰典 ,  山越英男 ,  栗林志头真 ,  团野实 ,  二见博 ,  山崎纪子

IPC: B08B7/00 ,  C03C23/00 ,  H01J61/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的目的在于防止或抑制决定光学设备寿命的光学系统的衰减，其中所述光学设备实现例如光线透射、衍射、反射、光谱产生、以及干涉和其组合的效果。采用上述方式，可以降低维修操作频率如窗口更换并降低此操作的成本。本发明的特征在于通过以下步骤实现：具有0.005毫托到20毫托范围的近真空区用于激发碳的氧化反应，所述近真空区面对所述光学系统的所述照明表面；在所述近真空区产生含氧原子离子或基，例如含有氧原子的不稳定的基团如OH基、OH-离子、臭氧、O2-离子、O-基；通过使含氧原子离子或基团与沉积的碳进行反应以消除或减少积聚在所述照明表面的积聚的碳。

公开(公告)号：CN101395721A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200780007262.9

申请日：2007-04-03

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 吴屋真之 ,  坂井智嗣 ,  佐竹宏次

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/03687 ,  H01L31/1816 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明目的在于提供一种在光电转换层中具有微结晶锗硅且电池特性提高了的光电转换装置及其制造方法。在基板侧杂质添加层和具有微结晶锗硅的i层之间具有微结晶硅或者微结晶锗硅，并设有具有预定的拉曼峰值比的缓冲层。

公开(公告)号：CN103081116A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180016208.7

申请日：2011-09-09

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 渡边俊哉 ,  坂井智嗣 ,  浅原裕司

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/076 ,  H01L31/046 ,  H01L31/1884 ,  H02S30/10 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明的目的在于提供一种抑制在背面电极层产生表面等离激元吸收的、转换效率高的光电转换装置的制造方法。一种光电转换装置(100)的制造方法，其在基板(1)上依次层叠第一透明电极层(2)、光电转换层(3)、第二透明电极层(5)、以及由金属膜构成的背面电极层(4)，其中，在将水蒸气分压控制在0.6％以下的制膜室内利用溅射法形成第二透明电极层(5)。

公开(公告)号：CN102598292A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080048346.9

申请日：2010-11-11

Applicant: 三菱重工业株式会社 ,  独立行政法人产业技术总合研究所

Inventor： 水野功一 ,  竹内良昭 ,  坂井智嗣 ,  鹤我薰典 ,  松井卓矢 ,  近藤道雄 ,  H.贾

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明提供一种薄膜光电转换装置，其为高效率的三接合型薄膜光电转换装置，霾度高，并且使由各光电转换层得到的短路电流值均匀化。薄膜光电转换装置(100)在基板(1)上顺次具备透明电极层(2)和三层硅类光电转换层(91、92、93)。透明电极层(2)具有至少一个通过蚀刻处理而形成的使基板(1)的表面露出的开口部(5)，透明电极层(2)的相对于宽波长区域的光的霾度处于60％以上。

公开(公告)号：CN101755340B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200880025511.1

申请日：2008-12-05

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 鹤我薰典 ,  山口贤刚 ,  吴屋真之 ,  坂井智嗣

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/028 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种通过使开路电压增加而提高发电效率的光电转换装置。光电转换装置(100)具备层叠有p层(41)、i层(42)、n层(43)的光电转换层(3)，其中，所述p层(41)为以1％以上25％以下的原子浓度含有氮原子且所述p层(41)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者，所述n层(43)为以1％以上20％以下的原子浓度含有氮原子且所述n层(43)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者，在所述p层(41)和所述i层(42)的界面上形成界面层，该界面层为以1％以上30％以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。或者，在所述n层(43)和所述i层(42)的界面上形成界面层，该界面层为以1％以上20％以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。

公开(公告)号：CN101755340A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200880025511.1

申请日：2008-12-05

Applicant: 三菱重工业株式会社

Inventor： 鹤我薰典 ,  山口贤刚 ,  吴屋真之 ,  坂井智嗣

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/028 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种通过使开路电压增加而提高发电效率的光电转换装置。光电转换装置(100)具备层叠有p层(41)、i层(42)、n层(43)的光电转换层(3)，其中，所述p层(41)为以1％以上25％以下的原子浓度含有氮原子且所述p层(41)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者，所述n层(43)为以1％以上20％以下的原子浓度含有氮原子且所述n层(43)的结晶率为0以上且不足3的含氮层。或者，在所述p层(41)和所述i层(42)的界面上形成界面层，该界面层为以1％以上30％以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。或者，在所述n层(43)和所述i层(42)的界面上形成界面层，该界面层为以1％以上20％以下的原子浓度含有氮原子的含氮层。