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公开(公告)号:CN106611837A
公开(公告)日:2017-05-03
申请号:CN201510705417.2
申请日:2015-10-27
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E60/13 , H01M4/5815 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01G11/50 , H01M4/364 , H01M4/626 , H01M4/628 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种钴插层硫化钼二次电池材料及其制备方法和应用,采用化学溶液法制备三维钴插层的硫化钼多级结构。首先将钴盐、钼盐、硫源分散于溶剂中,制备反应液,然后将配制好的反应液进行溶剂热处理,即可得到由类石墨烯的超薄纳米片自组装的三维钴均匀插层的硫化钼多级结构。多级结构大小在100nm左右,还公开了该多级结构的制备方法。通过本发明制备的纳米材料性能稳定,作为锂离子电池负极材料和超级电容器电极材料,循环寿命长。
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公开(公告)号:CN105036202A
公开(公告)日:2015-11-11
申请号:CN201510422462.7
申请日:2015-07-17
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种纳米薄片组装钴铝氢氧化物多级微球及其制备方法,以柠檬酸三钠为络合剂,采用化学溶液法制备单双层纳米薄片组装的层状双金属氢氧化物CoAl-LDHs多级微球。首先将铝盐、钴盐、碱源及络合剂分散于溶剂中,制备反应液,然后将配制好的反应液进行溶剂热处理,即可得到形貌规则的单双层纳米片组装的纳米薄片组装钴铝氢氧化物多级微球。本发明方法简单、成本低,可以大规模的合成钴铝氢氧化物多级微球,其纳米片厚度小于2纳米。
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