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公开(公告)号：CN105261483B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201510655769.1
申请日：2015-10-12
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及Cu2ZnSnS4敏化TiO2光阳极及其原位制备方法和应用，包括负载在透明导电基底上的TiO2层和附着在TiO2层上的纯相Cu2ZnSnS4纳米晶，将铜盐、锌盐、锡盐、还原剂和修饰剂与硫源加入到聚四氟乙烯反应釜中，加入水进行溶解，再加入带有TiO2层的透明导电基底，控制温度为100‑200℃，原位生长反应1‑24h，取出后洗涤干燥，即制备得到Cu2ZnSnS4敏化TiO2光阳极。与现有技术相比，本发明操作步骤简单，反应迅速，成本低廉，制得的Cu2ZnSnS4敏化二氧化钛光阳极材料光电响应灵敏，可在光电传感器、光电催化和太阳能电池等领域具有广泛用途。
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公开(公告)号：CN106611837A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510705417.2
申请日：2015-10-27
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E60/13 , H01M4/5815 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01G11/50 , H01M4/364 , H01M4/626 , H01M4/628 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种钴插层硫化钼二次电池材料及其制备方法和应用，采用化学溶液法制备三维钴插层的硫化钼多级结构。首先将钴盐、钼盐、硫源分散于溶剂中，制备反应液，然后将配制好的反应液进行溶剂热处理，即可得到由类石墨烯的超薄纳米片自组装的三维钴均匀插层的硫化钼多级结构。多级结构大小在100nm左右，还公开了该多级结构的制备方法。通过本发明制备的纳米材料性能稳定，作为锂离子电池负极材料和超级电容器电极材料，循环寿命长。
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公开(公告)号：CN105489377A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610014899.1
申请日：2016-01-11
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521 , H01G9/042 , B82Y30/00 , H01G9/20
Abstract: 本发明涉及一种染料敏化太阳能电池铜铁锗硫对电极及其制备方法，该对电极包括导电基底，导电基底表面涂覆有一层纤锌矿结构的铜铁锗硫纳米晶；而对电极的制备是通过在导电衬底上涂覆铜铁锗硫纳米晶墨水来实现。本申请制备的铜铁锗硫纳米晶是通过低温液相法合成，具有尺寸均一、结晶度高、单分散性良好等优点。该方法制备的纳米晶是纤锌矿衍生的超晶胞结构，为正交晶系。当用于染料敏化太阳能电池对电极时，对I3-离子的还原表现出良好的催化活性。与现有技术相比，本发明工艺简单，所制备的对电极催化剂不仅催化效果优异，而且价格低廉，制备方法简单，大大降低了染料敏化太阳能电池的生产成本，适合工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN105261483A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510655769.1
申请日：2015-10-12
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及Cu2ZnSnS4敏化TiO2光阳极及其原位制备方法和应用，包括负载在透明导电基底上的TiO2层和附着在TiO2层上的纯相Cu2ZnSnS4纳米晶，将铜盐、锌盐、锡盐、还原剂和修饰剂与硫源加入到聚四氟乙烯反应釜中，加入水进行溶解，再加入带有TiO2层的透明导电基底，控制温度为100-200℃，原位生长反应1-24h，取出后洗涤干燥，即制备得到Cu2ZnSnS4敏化TiO2光阳极。与现有技术相比，本发明操作步骤简单，反应迅速，成本低廉，制得的Cu2ZnSnS4敏化二氧化钛光阳极材料光电响应灵敏，可在光电传感器、光电催化和太阳能电池等领域具有广泛用途。
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公开(公告)号：CN104992841A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510394828.4
申请日：2015-07-07
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种染料敏化太阳能电池Ag8GeS6对电极的制备方法，包括：制备Ag8GeS6纳米晶；将Ag8GeS6纳米晶溶于溶剂中，经超声分散处理得到Ag8GeS6纳米晶墨水；将Ag8GeS6纳米晶墨水涂覆于基底上，对基底进行热处理，制得染料敏化太阳能电池Ag8GeS6对电极。与现有技术相比，本发明的方法避免了设备昂贵、不易于大面积沉积等缺点，具有设备要求简单，适合工业化大规模生产等优点，同时该方法为制备其他材料的染料敏化太阳能电池对电极提供了可以借鉴的思路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104493194A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410718434.5
申请日：2014-12-01
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及Ag-Ag8SnS6异质二聚体纳米材料的制备方法，通过高温裂解法制备的该材料为以Ag为顶点、Ag-Ag8SnS6为基座、尺寸均一的金字塔状Ag-Ag8SnS6异质二聚体。与现有技术相比，本发明通过调节银源和硫源中硫醇的配比等反应条件，首次制备得到Ag-Ag8SnS6异质二聚体纳米材料，可在催化和光电化学领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN105513805B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201610014896.8
申请日：2016-01-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及铜镉锗硫纳米晶、铜镉锗硫对电极及其制备方法与应用，属于太阳能电池领域。铜镉锗硫纳米晶其铜、镉、锗与硫的摩尔比为(2～2.2):(l～1.2):(1～1.2):(4～4.2)，铜镉锗硫对电极的制备是通过在导电衬底上涂覆铜镉锗硫纳米墨水来实现。本发明中铜镉锗硫纳米晶是通过低温液相法合成，具有正交晶系，是纤锌矿衍生的超晶胞结构，具有尺寸均一、结晶度高、单分散性良好等优点。用于染料敏化太阳能电池对电极催化剂时，对I3‑离子的还原表现出良好的催化活性。与现有技术相比，本发明工艺简单，所制备的铜镉锗硫对电极不仅催化效果优异，而且价格低廉，大大降低了染料敏化太阳能电池的生产成本，适合工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN105489377B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201610014899.1
申请日：2016-01-11
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种染料敏化太阳能电池铜铁锗硫对电极及其制备方法，该对电极包括导电基底，导电基底表面涂覆有一层纤锌矿结构的铜铁锗硫纳米晶；而对电极的制备是通过在导电衬底上涂覆铜铁锗硫纳米晶墨水来实现。本申请制备的铜铁锗硫纳米晶是通过低温液相法合成，具有尺寸均一、结晶度高、单分散性良好等优点。该方法制备的纳米晶是纤锌矿衍生的超晶胞结构，为正交晶系。当用于染料敏化太阳能电池对电极时，对I3‑离子的还原表现出良好的催化活性。与现有技术相比，本发明工艺简单，所制备的对电极催化剂不仅催化效果优异，而且价格低廉，制备方法简单，大大降低了染料敏化太阳能电池的生产成本，适合工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN105679544B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201610015111.9
申请日：2016-01-11
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种染料敏化太阳能电池铜锰锗硫对电极及其制备方法，该对电极包括导电基底，导电基底表面涂覆有一层纤锌矿结构的铜锰锗硫纳米晶；而对电极的制备是通过在导电衬底上涂覆铜锰锗硫纳米晶墨水来实现。本申请制备的铜锰锗硫纳米晶是通过低温液相法合成，具有尺寸均一、结晶度高、单分散性良好等优点。该方法制备的铜锰锗硫纳米晶是纤锌矿衍生的超晶胞结构，为正交晶系。当用于染料敏化太阳能电池对电极时，对I3‑离子的还原表现出良好的催化活性。与现有技术相比，本发明工艺简单，所制备的对电极催化剂不仅催化效果优异，而且价格低廉，制备方法简单，大大降低了染料敏化太阳能电池的生产成本，适合工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN104992841B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201510394828.4
申请日：2015-07-07
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种染料敏化太阳能电池Ag8GeS6对电极的制备方法，包括：制备Ag8GeS6纳米晶；将Ag8GeS6纳米晶溶于溶剂中，经超声分散处理得到Ag8GeS6纳米晶墨水；将Ag8GeS6纳米晶墨水涂覆于基底上，对基底进行热处理，制得染料敏化太阳能电池Ag8GeS6对电极。与现有技术相比，本发明的方法避免了设备昂贵、不易于大面积沉积等缺点，具有设备要求简单，适合工业化大规模生产等优点，同时该方法为制备其他材料的染料敏化太阳能电池对电极提供了可以借鉴的思路。
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