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公开(公告)号：CN104477857A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410728030.4
申请日：2014-12-03
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 本发明涉及一种二维超薄二硒化铁纳米材料及其制备方法和应用，尺寸在0.5～5μm之间，厚度在3～7nm之间，制备时将Se粉和溶剂混合，然后加入一定量的硫醇，惰性气体保护下搅拌1-5分钟，得到高活性Se前驱物；然后将铁的无机盐溶解到油胺溶剂中，并在一定温度下注入Se前驱物，惰性气体保护下反应一定时间，即可得到超薄二硒化铁纳米材料，可以用于制作染料敏化电池对电极。与现有技术相比，本发明制备的二硒化铁材料形貌可控，且操作简单，重复性好，成本低易于大规模生产。
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公开(公告)号：CN104437550A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410685728.2
申请日：2014-11-25
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E60/364
Abstract: 本发明涉及一种制备钨酸锌-硫化镉异质结光催化剂的方法，首先配制硝酸镉溶液，然后将预制好的钨酸锌纳米棒分散于其中，最后缓慢滴加硫化钠溶液，经过滤洗涤烘干后即可得到CdS-ZnWO4异质结。本发明方法简单、成本低，可以大规模的合成。制备所得的CdS-ZnWO4异质结纳米棒，长约1.0±0.5微米直径约20±10纳米，且可在光解水制氢中用作光催化剂，不需要借助共催化剂即可以得到很好的产氢效果。
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公开(公告)号：CN104477857B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201410728030.4
申请日：2014-12-03
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 本发明涉及一种二维超薄二硒化铁纳米材料及其制备方法和应用，尺寸在0.5～5μm之间，厚度在3～7nm之间，制备时将Se粉和溶剂混合，然后加入一定量的硫醇，惰性气体保护下搅拌1‑5分钟，得到高活性Se前驱物；然后将铁的无机盐溶解到油胺溶剂中，并在一定温度下注入Se前驱物，惰性气体保护下反应一定时间，即可得到超薄二硒化铁纳米材料，可以用于制作染料敏化电池对电极。与现有技术相比，本发明制备的二硒化铁材料形貌可控，且操作简单，重复性好，成本低易于大规模生产。
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公开(公告)号：CN102838161B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210359380.9
申请日：2012-09-24
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种二硫化锡插层化合物及其水热合成方法，该插层化合物以二硫化锡为主体，以十六烷基三甲基溴化铵、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基硫酸钠或聚乙烯基吡咯烷酮中的一种或两种为插层客体，十六烷基三甲基溴化铵、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基硫酸钠或聚乙烯基吡咯烷酮进入到二硫化锡层间，通过水热合成法合成得到上述插层化合物。与现有技术相比，本发明具有等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102838161A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210359380.9
申请日：2012-09-24
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种二硫化锡插层化合物及其水热合成方法，该插层化合物以二硫化锡为主体，以十六烷基三甲基溴化铵、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基硫酸钠或聚乙烯基吡咯烷酮中的一种或两种为插层客体，十六烷基三甲基溴化铵、十二烷基苯磺酸钠、十二烷基硫酸钠或聚乙烯基吡咯烷酮进入到二硫化锡层间，通过水热合成法合成得到上述插层化合物。与现有技术相比，本发明具有工艺简单，生产成本低等优点。
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公开(公告)号：CN104437550B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201410685728.2
申请日：2014-11-25
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E60/364
Abstract: 本发明涉及一种制备钨酸锌‑硫化镉异质结光催化剂的方法，首先配制硝酸镉溶液，然后将预制好的钨酸锌纳米棒分散于其中，最后缓慢滴加硫化钠溶液，经过滤洗涤烘干后即可得到CdS‑ZnWO4异质结。本发明方法简单、成本低，可以大规模的合成。制备所得的CdS‑ZnWO4异质结纳米棒，长约1.0±0.5微米直径约20±10纳米，且可在光解水制氢中用作光催化剂，不需要借助共催化剂即可以得到很好的产氢效果。
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公开(公告)号：CN104493194B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201410718434.5
申请日：2014-12-01
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及Ag‑Ag8SnS6异质二聚体纳米材料的制备方法，通过高温裂解法制备的该材料为以Ag为顶点、Ag‑Ag8SnS6为基座、尺寸均一的金字塔状Ag‑Ag8SnS6异质二聚体。与现有技术相比，本发明通过调节银源和硫源中硫醇的配比等反应条件，首次制备得到Ag‑Ag8SnS6异质二聚体纳米材料，可在催化和光电化学领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104493194A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410718434.5
申请日：2014-12-01
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及Ag-Ag8SnS6异质二聚体纳米材料的制备方法，通过高温裂解法制备的该材料为以Ag为顶点、Ag-Ag8SnS6为基座、尺寸均一的金字塔状Ag-Ag8SnS6异质二聚体。与现有技术相比，本发明通过调节银源和硫源中硫醇的配比等反应条件，首次制备得到Ag-Ag8SnS6异质二聚体纳米材料，可在催化和光电化学领域具有良好的应用前景。
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