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公开(公告)号：CN107881487B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201711100107.3
申请日：2017-11-09
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/34
Abstract: 本专利提供一种边缘保护圈结构，适用于化学气相沉积设备中，所述化学气相沉积设备包括反应室和排气装置，所述反应室有一加热装置，所述加热装置顶部有用以放置圆晶的托盘，所述排气装置通过设置在所述反应室的排气口与所述反应室联通，其中，所述边缘保护圈环绕于所述加热装置与所述圆晶的周围；所述边缘保护圈设计包括第一部分和第二部分；有益效果：使用低吸热系数材料替换排气口位置的铝，减少该位置边缘保护圈的吸热，补偿由于抽气造成的局部热量损失，优化反应室内热量分布，从而改善氮化钛薄膜厚度的均一性的。
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公开(公告)号：CN107881487A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711100107.3
申请日：2017-11-09
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/34
Abstract: 本发明提供一种边缘保护圈结构，适用于化学气相沉积设备中，所述化学气相沉积设备包括反应室和排气装置，所述反应室有一加热装置，所述加热装置顶部有用以放置圆晶的托盘，所述排气装置通过设置在所述反应室的排气口与所述反应室联通，其中，所述边缘保护圈环绕于所述加热装置与所述圆晶的周围；所述边缘保护圈设计包括第一部分和第二部分；有益效果：使用低吸热系数材料替换排气口位置的铝，减少该位置边缘保护圈的吸热，补偿由于抽气造成的局部热量损失，优化反应室内热量分布，从而改善氮化钛薄膜厚度的均一性的。
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公开(公告)号：CN106684034B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201610704710.1
申请日：2016-08-22
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种在接触孔中制备薄膜的方法，在具有接触孔以及位于接触孔底部的金属硅化物和硅区的衬底上进行，包括：采用除气工艺去除衬底表面和接触孔表面的水汽；采用预清洗工艺清洗衬底表面和接触孔表面；在第一温度下在接触孔底部和顶部表面形成Ti层；在第二温度下在Ti层表面和接触孔侧壁形成TiN层；在第三温度下采用除气工艺促进Ti层和位于Ti层底部的硅区的Si的反应生成钛硅化物；其中，第三温度与第一温度、第二温度不相同。本发明在接触孔底部沉积了Ti层之后，利用除气工艺来促进Ti与Si层的充分反应形成钛硅化物(Ti‑Silicide)，从而使得沉积于接触孔底部的硅层的Ti层能够与该硅层形成良好的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN105590940A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201610107865.7
申请日：2016-02-26
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14683 , H01L27/14698
Abstract: 本发明提供了一种降低CMOS图像传感器的无金属硅化物区域接触电阻的方法，包括：第一步骤：进行硅片预热；第二步骤：在无金属硅化物区域执行氮化钛沉积以便在硅片表面形成氮化钛薄膜；第三步骤：在第一工艺条件下利用等离子体轰击氮化钛薄膜；第四步骤：在第二工艺条件下利用等离子体轰击氮化钛薄膜；第五步骤：执行废气排除。在第二步骤中，利用金属有机化学气相淀积执行氮化钛沉积。在第四步骤中，第二工艺条件包括：介于400∽500℃之间的工艺温度以及介于30∽60s之间的处理时间。
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公开(公告)号：CN110600419A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910891452.6
申请日：2019-09-20
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种静电吸盘，能够更精细地控制晶圆的温度，使晶圆任一部位的温度不会超过晶圆工艺所需的范围，提高晶圆的工艺质量，同时每个温控组件都设有单独的温度控制单元，使温度控制更加准确，加热元件之间互不影响。本发明还提供一种静电吸盘的使用方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105590940B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201610107865.7
申请日：2016-02-26
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种降低CMOS图像传感器的无金属硅化物区域接触电阻的方法，包括：第一步骤：进行硅片预热；第二步骤：在无金属硅化物区域执行氮化钛沉积以便在硅片表面形成氮化钛薄膜；第三步骤：在第一工艺条件下利用等离子体轰击氮化钛薄膜；第四步骤：在第二工艺条件下利用等离子体轰击氮化钛薄膜；第五步骤：执行废气排除。在第二步骤中，利用金属有机化学气相淀积执行氮化钛沉积。在第四步骤中，第二工艺条件包括：介于400∽500℃之间的工艺温度以及介于30∽60s之间的处理时间。
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公开(公告)号：CN106684034A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201610704710.1
申请日：2016-08-22
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种在接触孔中制备薄膜的方法，在具有接触孔以及位于接触孔底部的金属硅化物和/或硅区的衬底上进行，包括：采用除气工艺去除衬底表面和接触孔表面的水汽；采用预清洗工艺清洗衬底表面和接触孔表面；在第一温度下在接触孔底部和顶部表面形成Ti层；在第二温度下在Ti层表面和接触孔侧壁形成TiN层；在第三温度下采用除气工艺促进Ti层和位于Ti层底部的硅区的Si的反应生成钛硅化物；其中，第三温度与第一温度、第二温度不相同。本发明在接触孔底部沉积了Ti层之后，利用除气工艺来促进Ti与Si层的充分反应形成钛硅化物(Ti‑Silicide)，从而使得沉积于接触孔底部的硅层的Ti层能够与该硅层形成良好的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN118136495A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410205527.1
申请日：2024-02-23
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Inventor： 蔡俊晟
Abstract: 本发明提供一种改善晶圆晶边状态的方法以及半导体制造设备，改善晶圆晶边状态的方法包括：在完成碳化硅沉积之后，对晶圆进行背面清洁；对清洁完成的晶圆进行监测，获取晶圆的晶边状态；基于晶圆的晶边状态，重复对晶圆进行背面清洁或进入后续工序。如此配置，通过在碳化硅沉积完成后，增设背向清洁步骤，并在背向清洁完成后对晶圆的晶边状态进行检测。保证了晶圆在进入下一步骤时，晶圆的晶边状态良好，降低了由于晶圆的晶边残余薄膜引发电弧放电报警的概率，从而提升了产品良率。
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公开(公告)号：CN103337452A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310258323.6
申请日：2013-06-26
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/283 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/665 , H01L21/28518 , H01L29/41783 , H01L29/66636 , H01L29/7848
Abstract: 本发明提供了一种在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法，包括：形成有栅极以及硅锗源/漏级的半导体衬底，在硅锗层上外延一层硅，对外延硅层进行非晶化处理，在外延硅层上沉积镍铂层，第一次快速退火，湿法去除未反应的镍之后进行第二次快速退火。通过在硅锗层上形成一层外延硅层，用外延硅层代替硅锗层与镍铂反应生成镍自对准硅化物，降低工艺的退火温度，提高薄膜的膜质均匀性，同时所成薄膜电阻降低减小了器件的功耗。
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公开(公告)号：CN207159349U
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201720969251.X
申请日：2017-08-04
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: C23C16/46
Abstract: 本实用新型公开了一种加热装置及化学气相沉积设备，适用于化学气相沉积设备，属于集成电路制造技术领域，适用于化学气相沉积设备，化学气相沉积设备包括反应室和排气装置，排气装置通过设置在反应室上的排气口与反应室连通，加热装置设置于反应室的底部；加热装置包括多根电热丝；多根电热丝通过弯折分布于一个圆形平面内；多根电热丝于圆形平面内距离排气口的距离由近至远，分布密度逐步降低。上述技术方案的有益效果是：加热装置的电热丝从排气口对应的区域向周围由密渐疏分布，使得加热装置靠近排气的区域产生的热量更高，补偿因抽气带走的热量，从而使晶圆在气相沉积过程中受热均匀，进而改善晶圆表面镀膜厚度的均一性。
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