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公开(公告)号：CN116171055A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310184802.1
申请日：2023-02-28
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯探测器及其制备方法，涉及石墨烯探测器技术领域，包括以下步骤：S1.在Si衬底上线沉积SiO2/SiN DBR(分布式布拉格反射镜)层，在560‑680nm波长范围内，实现全反射；S2：在SiO2/SiN DBR层上再依次沉积一层SiO2层和一层较厚的SiN层；S3：在步骤S2中较厚的SiN层上沉积石墨烯层，即获得了转移后的石墨烯样品；S4：在光刻胶的保护下，在石墨烯层两端沉积金属电极；S 5：将胶体量子点涂附在石墨烯上，再通过有机物交联反应生成致密的胶体量子点层，所述致密的胶体量子点层为光吸收层。
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公开(公告)号：CN118112828A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410533995.1
申请日：2024-04-30
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种磁光效应驱动的非易失性光开关及其制备方法，该非易失性开关包括SOI衬底和钆镓石榴石衬底；所述SOI衬底包括自下而上的硅衬底、埋氧层和顶层硅；所述钆镓石榴石衬底上生长有铈掺杂的钇铁石榴石铁氧体；所述埋氧层通过刻蚀形成两个并列的凹槽，所述顶层硅通过刻蚀形成硅波导；每个凹槽内部设有导电金属层，所述导电金属层上表面包括CoFeB阵列；所述钆镓石榴石衬底下表面键合在硅波导上表面。本发明成功规避了由于晶相差异以及生长温度过高导致的无法将高质量的Ce:YIG材料与硅光集成光路实现单片集成的问题，从而提供了在硅基上实现非易失性光开关的一种技术方案。
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公开(公告)号：CN116540356B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202310307872.1
申请日：2023-03-27
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种集成铌酸锂薄膜和量子光源的光芯片及其制备方法，制备方法包括如下步骤：S1：在光刻胶的保护下，在LNOI晶圆上的单晶LiNbO3薄膜层刻蚀出LiNbO3光波导；S2：在光刻胶的保护下，在InP晶圆上制备出InP纳米束绝热锥体，所述InP纳米束绝热锥体内嵌有InAs量子点，且所述InP纳米束绝热锥体的尾部为由通孔阵列组成的布拉格反射结构；S3：通过聚焦离子束FIB的方法，将InP纳米束绝热锥体与衬底链接切断，并用纳米针吸附并转移InP纳米束绝热锥体，通过分子间作用力与LiNbO3光波导贴合。本发明制备方法通过InP纳米束绝热锥体的设计，可以将发射到纳米束中的单光子高效地传输到铌酸锂波导，从而解决薄膜铌酸锂光芯片缺少单光子发射器的问题。
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公开(公告)号：CN116299854B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202310121948.1
申请日：2023-02-15
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于应力分散和裂纹阻挡图案的氮化硅器件制备方法，包括以下步骤：在半导体衬底上通过热氧方式生长氧化硅层；在氧化硅层表面沉积非晶硅层作为硬掩膜；使用具有副图案的掩膜版进行光刻，副图案包括若干交错排布的矩形图案，矩形图案填充于主图案之外的空白区域处；刻蚀非晶硅层，将副图案以凹槽或凸出形状转移到非晶硅层上；刻蚀氧化硅层后，再去除非晶硅层；生长氮化硅膜层；若副图案为凹槽形状，则使用化学机械抛光工艺去除多余的氮化硅，形成氮化硅器件图案；若副图案为凸出形状，则使用器件层掩膜版进行光刻工艺，刻蚀氮化硅膜层，形成氮化硅器件图案。本发明可降低氮化硅的应力累积，降低裂纹的产生，阻挡裂纹的扩散。
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公开(公告)号：CN116841059A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310916213.8
申请日：2023-07-25
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅基二硫化钼的太赫兹调制器及其制备方法，包括硅基二硫化钼异质结结构，所述硅基二硫化钼异质结结构从下至上依次包括Si衬底、第一SiO2层、MoS2层和第二SiO2层，第二SiO2层中设置有加热电极，所述加热电极上方设置有接触电极。制备方法为从下至上在Si衬底上沉积MoS2层、SiO2层、加热电极层，随后刻蚀出加热电极，再在加热电极周围填充SiO2层，在填充的SiO2层上刻蚀出金属接触电极的填充孔，在填充孔内沉积金属接触电极。本申请的调制器使用加热电极对MoS2层进行加热，进而对穿过调制器的太赫兹波进行调制，结构简单，加热迅速，调制效率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116540356A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310307872.1
申请日：2023-03-27
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种集成铌酸锂薄膜和量子光源的光芯片及其制备方法，制备方法包括如下步骤：S1：在光刻胶的保护下，在LNOI晶圆上的单晶LiNbO3薄膜层刻蚀出LiNbO3光波导；S2：在光刻胶的保护下，在InP晶圆上制备出InP纳米束绝热锥体，所述InP纳米束绝热锥体内嵌有InAs量子点，且所述InP纳米束绝热锥体的尾部为由通孔阵列组成的布拉格反射结构；S3：通过聚焦离子束FIB的方法，将InP纳米束绝热锥体与衬底链接切断，并用纳米针吸附并转移InP纳米束绝热锥体，通过分子间作用力与LiNbO3光波导贴合。本发明制备方法通过InP纳米束绝热锥体的设计，可以将发射到纳米束中的单光子高效地传输到铌酸锂波导，从而解决薄膜铌酸锂光芯片缺少单光子发射器的问题。
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公开(公告)号：CN116169562A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310185390.3
申请日：2023-02-28
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种胶体量子点光源集成结构及其制备方法，涉及光源集成技术领域，解决现有的光源集成技术存在生成的半导体材料质量较差的问题，包括硅衬底，硅衬底上沉积二氧化硅层，二氧化硅层上沉积非晶硅层，非晶硅层上沉积氮化硅下包层，氮化硅下包层上生成胶体量子点增益层，胶体量子点增益层上沉积氮化硅上包层；氮化硅上包层上设置光栅结构；氮化硅上包层、胶体量子点增益层、氮化硅下包层形成尺寸为(8‑12)um*(5‑8)um的SiN/CQDs/SiN结构；非晶硅层位于氮化硅下包层正下方，非晶硅层的尺寸为(2‑6)um*(5‑8)um；硅衬底和二氧化硅层的尺寸均为(18‑22)*(18‑22)um。
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公开(公告)号：CN115939030B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202211683496.8
申请日：2022-12-27
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种无停止层接触孔刻蚀的方法，包括以下步骤：S1.在硅波导基底上沉积介质层，再涂覆光刻胶并图形化；S2.通过感应耦合等离子机台和第一气体刻蚀所述介质层，刻蚀的平均深度为h1；S3.通过磁场增强反应离子刻蚀机台和第二气体刻蚀所述介质层，刻蚀的平均深度为h2，h1+h2＝h，h为刻蚀总深度；S4.通过干法去除光刻胶和聚合物，并通过湿法清洗，形成接触孔图形。本发明通过调整不同的刻蚀方法，平衡不同开口区域的负载效应，减少了基底损失，提高了接触电阻的一致性。
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公开(公告)号：CN116169562B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310185390.3
申请日：2023-02-28
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种胶体量子点光源集成结构及其制备方法，涉及光源集成技术领域，解决现有的光源集成技术存在生成的半导体材料质量较差的问题，包括硅衬底，硅衬底上沉积二氧化硅层，二氧化硅层上沉积非晶硅层，非晶硅层上沉积氮化硅下包层，氮化硅下包层上生成胶体量子点增益层，胶体量子点增益层上沉积氮化硅上包层；氮化硅上包层上设置光栅结构；氮化硅上包层、胶体量子点增益层、氮化硅下包层形成尺寸为(8‑12)μm*(5‑8)μm的SiN/CQDs/SiN结构；非晶硅层位于氮化硅下包层正下方，非晶硅层的尺寸为(2‑6)μm*(5‑8)μm；硅衬底和二氧化硅层的尺寸均为(18‑22)*(18‑22)μm。
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公开(公告)号：CN116299854A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310121948.1
申请日：2023-02-15
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于应力分散和裂纹阻挡图案的氮化硅器件制备方法，包括以下步骤：在半导体衬底上通过热氧方式生长氧化硅层；在氧化硅层表面沉积非晶硅层作为硬掩膜；使用具有副图案的掩膜版进行光刻，副图案包括若干交错排布的矩形图案，矩形图案填充于主图案之外的空白区域处；刻蚀非晶硅层，将副图案以凹槽或凸出形状转移到非晶硅层上；刻蚀氧化硅层后，再去除非晶硅层；生长氮化硅膜层；若副图案为凹槽形状，则使用化学机械抛光工艺去除多余的氮化硅，形成氮化硅器件图案；若副图案为凸出形状，则使用器件层掩膜版进行光刻工艺，刻蚀氮化硅膜层，形成氮化硅器件图案。本发明可降低氮化硅的应力累积，降低裂纹的产生，阻挡裂纹的扩散。
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