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公开(公告)号：CN117724207B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410179273.0
申请日：2024-02-18
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种非晶硅光波导的制作方法及非晶硅光波导，该方法，采用微米级光刻机和干法刻蚀产生深亚微米高度的介质台阶，并采用深亚微米厚度的非晶硅沉积和无掩模干法回刻蚀，获得深亚微米宽度的非晶硅光波导。本发明解决了现有技术存在的制作亚微米非晶硅光波导时对先进光刻机的依赖太大等问题。
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公开(公告)号：CN115842241B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202211661899.2
申请日：2022-12-23
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于倏逝波调控的波导光栅天线及制造方法，该波导光栅天线包括由下至上的体硅衬底、第一氧化层、器件层和第二氧化层；其中，所述器件层设有间隔预设距离的光栅结构和波导结构，所述波导结构配置为在接收到输入光时，将所述输入光耦合至光栅结构，所述光栅结构配置为将接收的耦合光发射至自由空间。本发明通过在单个器件层中实现光栅结构和波导结构的制备，降低了工艺的复杂度，不需要将光栅刻蚀深度控制到几个纳米，降低了工艺的难度，可轻松实现毫米量级的有效发射长度，解决了目前在单个器件层中制作毫米量级有效发射长度的波导光栅天线的制造难度大的技术问题。
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公开(公告)号：CN117170032A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311141620.2
申请日：2023-09-05
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及光通信技术领域，具体涉及一种降低AWG串扰的方法及其波分复用器件，使用级联1×2任意分光比分束器作为AWG的分束器。可以灵活的调控不同阵列波导内的光功率及阵列波导数量，可以轻松的通过控制1×2任意分光比分束器的分光比增大中心阵列波导与边缘阵列波导中光功率的比值。可以灵活的调控不同阵列波导内的光功率及阵列波导数量，从而达到降低串扰的目的。
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公开(公告)号：CN116661059B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310891631.6
申请日：2023-07-20
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及集成光电子器件技术领域，具体涉及一种高方向性的波导光栅天线及其制备方法，包括上层和下层，所述下层为晶圆层，所述上层为光栅层，所述晶圆层顶面设置有波导图形，所述光栅层顶面设置有光栅。相比于交错刻蚀不同深度的光栅槽，以及在波导上下表面形成光栅图形并在光栅延伸方向上错开的方法，本发明可以节省一层光刻掩模版和降低制造成本。
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公开(公告)号：CN116661059A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310891631.6
申请日：2023-07-20
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及集成光电子器件技术领域，具体涉及一种高方向性的波导光栅天线及其制备方法，包括上层和下层，所述下层为晶圆层，所述上层为光栅层，所述晶圆层顶面设置有波导图形，所述光栅层顶面设置有光栅。相比于交错刻蚀不同深度的光栅槽，以及在波导上下表面形成光栅图形并在光栅延伸方向上错开的方法，本发明可以节省一层光刻掩模版和降低制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116560116B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202310065973.2
申请日：2023-01-12
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种热光移相器、热光移相器制造方法及热光移相器阵列，该热光移相器阵列包括若干个热光移相器构成的阵列通道；其中，相邻通道间对应热光移相器的加热电阻具有预设阻值差，两个对应热光移相器的加热电阻通过互连金属线串联，以使串联的每一组加热电阻的阻值和相等，每一组加热电阻通过金属电极并联。本发明通过采用两两加热电阻串联的方式，使每一组加热电阻的阻值和相等，组与组之间采用并联的方式互连，只需要控制一个输入电压即可实现移相器阵列相邻通道间的相位差的控制，且避免了特大电阻的出现。
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公开(公告)号：CN116299854B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202310121948.1
申请日：2023-02-15
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于应力分散和裂纹阻挡图案的氮化硅器件制备方法，包括以下步骤：在半导体衬底上通过热氧方式生长氧化硅层；在氧化硅层表面沉积非晶硅层作为硬掩膜；使用具有副图案的掩膜版进行光刻，副图案包括若干交错排布的矩形图案，矩形图案填充于主图案之外的空白区域处；刻蚀非晶硅层，将副图案以凹槽或凸出形状转移到非晶硅层上；刻蚀氧化硅层后，再去除非晶硅层；生长氮化硅膜层；若副图案为凹槽形状，则使用化学机械抛光工艺去除多余的氮化硅，形成氮化硅器件图案；若副图案为凸出形状，则使用器件层掩膜版进行光刻工艺，刻蚀氮化硅膜层，形成氮化硅器件图案。本发明可降低氮化硅的应力累积，降低裂纹的产生，阻挡裂纹的扩散。
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公开(公告)号：CN117476800B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311813343.5
申请日：2023-12-27
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，提供了硅基光电探测器及制备方法，包括衬底、第一氧化硅层、外延层、第二氧化硅层、金属电极层以及金属层；第一氧化硅层沉积在衬底上表面，并开窗暴露衬底形成外延的窗口区域；外延层在窗口区域生长，并被第一氧化硅层包围，外延层可以是硅、锗或硅锗合金的一种或者叠层，或根据需要掺入碳、锡、铅等杂质；所述第二氧化硅层沉积在外延层之上；所述金属电极层暴露于第二氧化硅层表面，并与外延层和衬底连接；所述金属层沉积在衬底下表面。本发明可以有效反射未被吸收层完全吸收的入射光加以回收利用，能够增加探测器的响应度和灵敏度；通过金属层连接固定电位来控制硅层悬浮区域的电位，减少了对探测器行为的干扰。
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公开(公告)号：CN117741864A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410166734.0
申请日：2024-02-06
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种波导光栅的刻蚀均匀性改善方法及制备方法，每对晶圆进行一定深度的刻蚀后，旋转一定角度，重复刻蚀和旋转操作直至达到预定刻蚀深度形成波导光栅。本发明通过重复刻蚀和旋转的操作，能够平均晶圆上不同位置处的刻蚀速率，从而达到提高光栅刻蚀均匀性的目的，同时具有简便有效性和广泛适应性，不需要对半导工艺腔室进行改造，成本低廉。
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公开(公告)号：CN117476800A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311813343.5
申请日：2023-12-27
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体制造领域，提供了硅基光电探测器及制备方法，包括衬底、第一氧化硅层、外延层、第二氧化硅层、金属电极层以及金属层；第一氧化硅层沉积在衬底上表面，并开窗暴露衬底形成外延的窗口区域；外延层在窗口区域生长，并被第一氧化硅层包围，外延层可以是硅、锗或硅锗合金的一种或者叠层，或根据需要掺入碳、锡、铅等杂质；所述第二氧化硅层沉积在外延层之上；所述金属电极层暴露于第二氧化硅层表面，并与外延层和衬底连接；所述金属层沉积在衬底下表面。本发明可以有效反射未被吸收层完全吸收的入射光加以回收利用，能够增加探测器的响应度和灵敏度；通过金属层连接固定电位来控制硅层悬浮区域的电位，减少了对探测器行为的干扰。
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