公开(公告)号：CN118136658A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202211536217.5

申请日：2022-12-02

Applicant: 世界先进积体电路股份有限公司

Inventor： 连羿韦 ,  郑韦志 ,  沈士强 ,  蔡信锠

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/40 ,  H01L29/06

Abstract: 一种高电子迁移率晶体管，包含半导体通道层和半导体阻障层设置于基底上，源极电极、栅极电极和漏极电极设置于半导体信道层上，图案化介电层设置于半导体阻障层上，位于栅极电极和该漏极电极之间，第一场板从图案化介电层的侧面连续延伸至其顶面上，并具有高度段差，第一介电层设置于半导体阻障层和图案化介电层之间，以及第二介电层覆盖图案化介电层，其中图案化介电层的介电常数高于第一介电层的介电常数和第二介电层的介电常数。

公开(公告)号：CN119029019A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202310599924.7

申请日：2023-05-25

Applicant: 世界先进积体电路股份有限公司

Inventor： 邹振东 ,  郑韦志 ,  李家豪

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/778 ,  H01L21/336

Abstract: 一种高电子迁移率晶体管，包含半导体通道层和半导体阻障层依序设置于基底上，源极电极和漏极电极设置于半导体通道层上，半导体盖层设置于半导体阻障层上，第一介电层设置于源极电极、半导体盖层和漏极电极之上，第一导通孔贯穿第一介电层，且向下延伸至半导体盖层上，栅极电极设置于第一介电层上，且接触第一导通孔，第一场板设置于第一介电层内，以及第二场板设置于第一介电层上，且接触第一场板。

公开(公告)号：CN118198006A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202211596322.8

申请日：2022-12-13

Applicant: 世界先进积体电路股份有限公司

Inventor： 郑韦志 ,  李家豪 ,  廖志成

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778

Abstract: 一种半导体装置，包含半导体通道层和半导体阻挡层设置于基底上，钝化层覆盖半导体阻挡层，第一栅极电极和第二栅极电极侧向分离，且至少部分分别设置于钝化层内，其中沿着第一方向，第一栅极电极的第一栅极长度小于第二栅极电极的第二栅极长度，以及源极电极和漏极电极设置在半导体通道层上，其中第二栅极电极电连接至源极电极，且第一栅极电极和第二栅极电极彼此电性隔离。