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公开(公告)号：CN113015979B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201980074204.0
申请日：2019-12-13
Applicant: 东丽株式会社
IPC: G06K19/07 , G06K19/077 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01Q1/40 , H01Q9/42 , H05K3/46
Abstract: 本发明的课题是提供工艺简单、位置精度良好、成本低且为柔性的无线通信装置。本发明的主旨是无线通信装置及其制造方法，所述制造方法是将至少形成有电路的第1膜基板与形成有天线的第2膜基板贴合而制造无线通信装置的方法，其中，所述电路包含晶体管，所述晶体管通过包括下述工序的工序而形成：在所述第1膜基板上形成导电性图案的工序；在形成有所述导电性图案的膜基板上形成绝缘层的工序；以及，在所述绝缘层上涂布包含有机半导体和/或碳材料的溶液，进行干燥而形成半导体层的工序。
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公开(公告)号：CN108431135B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201680072204.3
申请日：2016-12-08
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 提供颗粒的产生少、且在煅烧后可以得到高机械特性的聚酰亚胺膜的酸树脂组合物。本发明是树脂组合物，其包含(a)具有化学式(1)所示的结构的树脂、和(b)溶剂，化学式(3)所示的化合物的量为0.1质量ppm以上且40质量ppm以下。
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公开(公告)号：CN109964327B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201780070725.X
申请日：2017-11-16
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L51/30 , H01L21/312 , H01L29/786 , H01L51/05
Abstract: 本发明提供能够进行半导体溶液的均匀涂布、迟滞减小、栅极绝缘层的耐裂纹性提高的场效应晶体管及其生产率优异的制造方法。本发明为场效应晶体管，其特征在于，至少具备：基板；源电极、漏电极及栅电极；与上述源电极及漏电极接触的半导体层；和使上述半导体层与上述栅电极绝缘的栅极绝缘层，上述栅极绝缘层含有至少具有通式(1)表示的结构单元的聚硅氧烷。通式(1)中，A1表示下述有机基团：具有至少两个羧基、磺基、硫醇基、酚式羟基或它们的衍生物的有机基团；或者具有至少一个这些基团在A1内缩合为环状而成的官能团或它们的衍生物的有机基团。
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公开(公告)号：CN110809807A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201880043692.4
申请日：2018-06-22
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01B13/00 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/336 , H01L27/11507 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01Q1/38 , H05K3/10
Abstract: 本发明的目的是提供导电膜、和不伴随高温并且长时间的加热处理而通过短时间的光照射可以获得导电性良好的导电膜或导电图案的导电膜的制造方法、以及使用了这样的导电膜的制造方法的场效应型晶体管的制造方法、和无线通信装置的制造方法。用于达到上述目的的本发明的导电膜的制造方法是下述导电膜的制造方法，其包含下述工序：在基板上涂布含有用碳单质进行了表面被覆的导电性粒子的导电性糊剂而形成涂布膜的工序；以及向上述涂布膜照射闪光的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109964327A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201780070725.X
申请日：2017-11-16
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L51/30 , H01L21/312 , H01L29/786 , H01L51/05
Abstract: 本发明提供能够进行半导体溶液的均匀涂布、迟滞减小、栅极绝缘层的耐裂纹性提高的场效应晶体管及其生产率优异的制造方法。本发明为场效应晶体管，其特征在于，至少具备：基板；源电极、漏电极及栅电极；与上述源电极及漏电极接触的半导体层；和使上述半导体层与上述栅电极绝缘的栅极绝缘层，上述栅极绝缘层含有至少具有通式(1)表示的结构单元的聚硅氧烷。通式(1)中，A1表示下述有机基团：具有至少两个羧基、磺基、硫醇基、酚式羟基或它们的衍生物的有机基团；或者具有至少一个这些基团在A1内缩合为环状而成的官能团或它们的衍生物的有机基团。
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公开(公告)号：CN107405907B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201680017503.7
申请日：2016-03-23
Applicant: 东丽株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种使用紫外光进行的激光剥离所需的照射能量低的树脂层叠膜。树脂层叠膜，其是在树脂膜的至少一个表面具有聚酰亚胺树脂膜的树脂层叠膜，其中，所述聚酰亚胺树脂膜为以下的聚酰亚胺树脂膜A，聚酰亚胺树脂膜A：当制成厚度为100nm的膜时、波长300～400nm的波长区域内的透光率的最小值低于50％的聚酰亚胺树脂膜。
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公开(公告)号：CN108431135A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680072204.3
申请日：2016-12-08
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: C08L79/08 , C08G73/10 , C08G73/1007 , C08K5/09 , C08K5/20 , C08K5/405 , C08K5/42 , C08L2203/16 , C08L2203/20 , H01L51/0053 , H01L51/0097 , H01L51/50
Abstract: 提供颗粒的产生少、且在煅烧后可以得到高机械特性的聚酰亚胺膜的酸树脂组合物。本发明是树脂组合物，其包含(a)具有化学式(1)所示的结构的树脂、和(b)溶剂，化学式(3)所示的化合物的量为0.1质量ppm以上且40质量ppm以下。
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公开(公告)号：CN107925147A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680048331.X
申请日：2016-08-10
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01P11/00 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/09 , G06K19/077 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H05K1/09 , H05K1/16
CPC classification number: G03F7/031 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/038 , G03F7/09 , G03F7/094 , G03F7/095 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2002 , G03F7/2022 , G03F7/322 , G06K19/077 , G06K19/07722 , H01L21/4853 , H01L21/4867 , H01L23/66 , H01L29/786 , H01L51/0036 , H01L51/0043 , H01L51/0048 , H01L51/05 , H01L2223/6677 , H01P11/00 , H01Q1/2208 , H01Q1/38 , H01Q7/00 , H05K1/09 , H05K1/16 , Y10S977/742 , Y10S977/842 , Y10S977/954
Abstract: 本发明的目的在于提供利用涂布法而精度良好地形成天线基板或带有布线和电极的天线基板的方法。本发明的方式之一为包括以下工序的带有布线和电极的天线基板的制造方法。(1)在绝缘基板上，使用含有导电体和感光性有机成分的感光性糊剂而形成涂布膜的工序；(2-A)利用光刻将上述涂布膜加工成与天线相对应的图案的工序，(2-B)将上述涂布膜加工成与布线相对应的图案的工序，(2-C)将上述涂布膜加工成与电极相对应的图案的工序；(3-A)使与天线相对应的图案固化而得到天线的工序，(3-B)使与布线相对应的图案固化而得到布线的工序，(3-C)使与电极相对应的图案固化而得到电极的工序。
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公开(公告)号：CN111095566A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880054815.4
申请日：2018-09-25
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L29/786 , C08G77/42 , C08G77/58 , C08K3/013 , C08K3/22 , C08L83/04 , C08L101/00 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明是一种场效应晶体管，至少具有基板、源极、漏极和栅极、与所述源极和漏极接触的半导体层、以及将所述半导体层与所述栅极绝缘的栅极绝缘层，所述半导体层含有碳纳米管，所述栅极绝缘层含有与无机粒子结合的聚合物。本发明提供漏电流降低、进而半导体溶液被均匀涂布的场效应晶体管和其制造方法。
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