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公开(公告)号：CN102787304B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210155103.6
申请日：2012-05-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/50 , C23C16/455 , H01L21/31
Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。成膜方法包括以下步骤：将基板输入到真空容器内，将基板载置在能旋转地设在真空容器内的旋转台上；使旋转台旋转；吸附步骤，自第1反应气体供给部向基板供给第1反应气体，使第1反应气体吸附于基板；形成步骤，自第2反应气体供给部向基板供给与第1反应气体反应的第2反应气体，使第2反应气体与吸附于基板的第1反应气体反应，在基板上形成反应生成物；向等离子体产生部供给含氢气体，在旋转台的上方生成等离子体，该等离子体产生部在旋转台的周向上与第1反应气体供给部及第2反应气体供给部分开地设置。
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公开(公告)号：CN102251229B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201110078815.8
申请日：2011-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , G11B7/24
CPC classification number: C23C16/4554 , C23C16/401 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/45557 , C23C16/4584
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜方法在进行由成膜处理和改性处理构成的成膜-改性步骤后，进行氧化硅膜的改性步骤，在该氧化硅膜的改性步骤中，将含Si气体的供给停止而采用等离子体，该成膜处理是这样进行的：通过使旋转台(2)旋转并使含Si气体吸附在晶圆(W)上，接着将O3气体供给到晶圆W的表面上并使O3气体与吸附在晶圆(W)的表面上的含Si气体发生反应而形成氧化硅膜，该改性处理采用等离子体对该氧化硅膜进行改性。
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公开(公告)号：CN105088185A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510236638.X
申请日：2015-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/34 , C23C16/06 , C23C16/405 , C23C16/45525 , C23C16/45551 , C23C16/45574 , C23C16/4584
Abstract: 本发明提供一种成膜方法。在该成膜方法中，在基板(W)上形成TiN的连续膜，其中，该成膜方法包括以下工序：在上述基板上形成TiO2的连续膜；及在上述TiO2的连续膜上形成厚度厚于上述TiO2膜的厚度的TiN的连续膜。
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公开(公告)号：CN102051597B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201010531521.1
申请日：2010-11-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/48 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/402 , C23C16/4401 , C23C16/45551 , C23C16/46
Abstract: 本发明提供成膜装置和成膜方法。该成膜装置使旋转台旋转而使BTBAS气体吸附在晶圆（W）上，接着，向晶圆（W）的表面供给O3气体，使吸附在晶圆（W）表面的BTBAS气体氧化而形成氧化硅膜，在这个过程中，作为用于加热晶圆（W）而生成氧化硅膜的加热部，采用从旋转台的内周侧到外周侧地以带状照射激光的激光照射部。
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公开(公告)号：CN100373559C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN03802282.6
申请日：2003-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: C23C16/45561 , C23C16/308 , C23C16/345 , C23C16/40 , C23C16/401 , C23C16/452
Abstract: CVD装置(2)形成由从氧化硅膜、氮化硅膜及氧氮化硅膜所组成的组中选择出来的膜构成的绝缘膜。该CVD装置包括：用于容纳被处理基板(W)的处理室(8)、在处理室内用于支撑被处理基板的支撑构件(20)、加热支撑构件支撑的被处理基板的加热器(12)、对处理室内进行真空排气的排气部(39)和向处理室内供给气体的供给部(40)。供给部包括：供给实质上由硅烷系列气体形成的第1气体的第1供给系统(42)、供给实质上由从氧化气体、氮化气体及氧氮化气体组成的组中选择出来的气体形成的第2气体的第2供给系统(44)和供给实质上由碳氢化合物气体形成的第3气体的第3供给系统(46)，可同时供给第1、第2和第3气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105039929A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510217188.X
申请日：2015-04-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。该成膜方法包括以下工序：第1原料气体供给工序，向基板上供给含有第1金属元素的第1原料气体；第2原料气体供给工序，向所述基板上供给含有第2金属元素的第2原料气体；以及反应气体供给工序，将含有非金属元素的反应气体等离子体化并供给到所述基板上，生成含有所述第1金属元素以及第2金属元素和所述非金属元素的第3反应生成物，该非金属元素能与所述第1金属元素以及所述第2金属元素进行反应而分别生成第1反应生成物以及第2反应生成物，所述第3反应生成物所含有的所述第1金属元素的混合比率高于所述第2金属元素的混合比率，所述第2反应生成物的结晶温度高于所述第1反应生成物的结晶温度。
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公开(公告)号：CN102732854A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210084592.0
申请日：2012-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/045 , C23C16/402 , C23C16/45534 , C23C16/4554 , C23C16/45551 , H01L21/02164 , H01L21/0234
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其特征在于，包含：旋转台，其包含载置基板的基板载置部且被设成能够在真空容器内旋转；第1反应气体供给部，对旋转台的形成有基板载置部的面供给第1反应气体；第2反应气体供给部，在旋转台的圆周方向与第1反应气体供给部分离地设置且对旋转台的形成有基板载置部的面供给与第1反应气体反应的第2反应气体；以及，活化气体供给部，在旋转台的圆周方向与第1和第2反应气体供给部分离地设置，且对旋转台的形成有基板载置部的面，将对第1反应气体与第2反应气体的反应性生成物进行重整的重整气体和进行蚀刻的蚀刻气体活化并供给。
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公开(公告)号：CN102251229A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110078815.8
申请日：2011-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , G11B7/24
CPC classification number: C23C16/4554 , C23C16/401 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/45557 , C23C16/4584
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜方法在进行由成膜处理和改性处理构成的成膜-改性步骤后，进行氧化硅膜的改性步骤，在该氧化硅膜的改性步骤中，将含Si气体的供给停止而采用等离子体，该成膜处理是这样进行的：通过使旋转台(2)旋转并使含Si气体吸附在晶圆(W)上，接着将O3气体供给到晶圆W的表面上并使O3气体与吸附在晶圆(W)的表面上的含Si气体发生反应而形成氧化硅膜，该改性处理采用等离子体对该氧化硅膜进行改性。
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公开(公告)号：CN1692480A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN03802282.6
申请日：2003-01-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: C23C16/45561 , C23C16/308 , C23C16/345 , C23C16/40 , C23C16/401 , C23C16/452
Abstract: CVD装置(2)形成由从氧化硅膜、氮化硅膜及氧氮化硅膜所组成的组中选择出来的膜构成的绝缘膜。该CVD装置包括：用于容纳被处理基板(W)的处理室(8)、在处理室内用于支撑被处理基板的支撑构件(20)、加热支撑构件支撑的被处理基板的加热器(12)、对处理室内进行真空排气的排气部(39)和向处理室内供给气体的供给部(40)。供给部包括：供给实质上由硅烷系列气体形成的第1气体的第1供给系统(42)、供给实质上由从氧化气体、氮化气体及氧氮化气体组成的组中选择出来的气体形成的第2气体的第2供给系统(44)和供给实质上由碳氢化合物气体形成的第3气体的第3供给系统(46)，可同时供给第1、第2和第3气体。
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公开(公告)号：CN105088185B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201510236638.X
申请日：2015-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/34 , C23C16/06 , C23C16/405 , C23C16/45525 , C23C16/45551 , C23C16/45574 , C23C16/4584
Abstract: 本发明提供一种成膜方法。在该成膜方法中，在基板(W)上形成TiN的连续膜，其中，该成膜方法包括以下工序：在上述基板上形成TiO2的连续膜；及在上述TiO2的连续膜上形成厚度厚于上述TiO2膜的厚度的TiN的连续膜。
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