-
公开(公告)号：CN103882408A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201310712445.8
申请日：2013-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/308 , C23C16/401 , C23C16/405 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , C23C16/45551 , H01L21/02148 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/022 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种成膜方法。该成膜方法利用成膜装置在上述多个基板上形成含有第1元素及第2元素的掺杂氧化膜，该成膜方法包括以下工序：成膜工序，从上述第1气体供给部供给含有上述第1元素的第1反应气体，从上述第2气体供给部供给氧化气体，在上述基板上形成含有上述第1元素的氧化膜；以及掺杂工序，从上述第1气体供给部和上述第2气体供给部中的一者供给含有上述第2元素的第2反应气体，从上述第1气体供给部和上述第2气体供给部中的另一者供给非活性气体，在上述氧化膜上掺杂上述第2元素。
-
公开(公告)号：CN105088185A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510236638.X
申请日：2015-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/34 , C23C16/06 , C23C16/405 , C23C16/45525 , C23C16/45551 , C23C16/45574 , C23C16/4584
Abstract: 本发明提供一种成膜方法。在该成膜方法中，在基板(W)上形成TiN的连续膜，其中，该成膜方法包括以下工序：在上述基板上形成TiO2的连续膜；及在上述TiO2的连续膜上形成厚度厚于上述TiO2膜的厚度的TiN的连续膜。
-
公开(公告)号：CN105039929A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510217188.X
申请日：2015-04-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。该成膜方法包括以下工序：第1原料气体供给工序，向基板上供给含有第1金属元素的第1原料气体；第2原料气体供给工序，向所述基板上供给含有第2金属元素的第2原料气体；以及反应气体供给工序，将含有非金属元素的反应气体等离子体化并供给到所述基板上，生成含有所述第1金属元素以及第2金属元素和所述非金属元素的第3反应生成物，该非金属元素能与所述第1金属元素以及所述第2金属元素进行反应而分别生成第1反应生成物以及第2反应生成物，所述第3反应生成物所含有的所述第1金属元素的混合比率高于所述第2金属元素的混合比率，所述第2反应生成物的结晶温度高于所述第1反应生成物的结晶温度。
-
公开(公告)号：CN105039929B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201510217188.X
申请日：2015-04-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。该成膜方法包括以下工序：第1原料气体供给工序，向基板上供给含有第1金属元素的第1原料气体；第2原料气体供给工序，向所述基板上供给含有第2金属元素的第2原料气体；以及反应气体供给工序，将含有非金属元素的反应气体等离子体化并供给到所述基板上，生成含有所述第1金属元素以及第2金属元素和所述非金属元素的第3反应生成物，该非金属元素能与所述第1金属元素以及所述第2金属元素进行反应而分别生成第1反应生成物以及第2反应生成物，所述第3反应生成物所含有的所述第1金属元素的混合比率高于所述第2金属元素的混合比率，所述第2反应生成物的结晶温度高于所述第1反应生成物的结晶温度。
-
公开(公告)号：CN103882408B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201310712445.8
申请日：2013-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/308 , C23C16/401 , C23C16/405 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , C23C16/45551 , H01L21/02148 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/022 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种成膜方法。该成膜方法利用成膜装置在上述多个基板上形成含有第1元素及第2元素的掺杂氧化膜，该成膜方法包括以下工序：成膜工序，从上述第1气体供给部供给含有上述第1元素的第1反应气体，从上述第2气体供给部供给氧化气体，在上述基板上形成含有上述第1元素的氧化膜；以及掺杂工序，从上述第1气体供给部和上述第2气体供给部中的一者供给含有上述第2元素的第2反应气体，从上述第1气体供给部和上述第2气体供给部中的另一者供给非活性气体，在上述氧化膜上掺杂上述第2元素。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102108496A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010621816.8
申请日：2010-12-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/458 , C30B25/14 , C30B29/38 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4584 , C23C16/34 , C23C16/4412 , C23C16/45519 , C23C16/45523 , C23C16/45591 , C23C16/4585 , C23C16/50 , C23C16/52 , H01L21/28556 , H01L21/76843
Abstract: 本发明提供成膜装置及成膜方法。该成膜装置在进行氮化钛膜的成膜处理时，通过使旋转台与各气体喷嘴以100rpm以上的转速相对旋转，使反应气体的供给循环或反应生成物的成膜循环高速化来形成薄膜。在产生因生成于基板表面的反应生成物的结晶化而引起的粒径粗大化之前，在上层侧层叠下一反应生成物的层而形成平滑的表面。
-
公开(公告)号：CN119220961A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202410805473.2
申请日：2024-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本公开涉及一种基板处理装置和成膜方法，能够高精度地在基板进行膜的成膜。基板处理装置包括：处理容器；原料气体供给部，其向处理容器的内部供给原料气体；反应气体供给部，其向处理容器的内部供给与原料气体反应的反应气体；以及脱水气体供给部，其向处理容器的内部供给脱水气体来使水分脱离。在处理容器的内部，在收容有基板的状态下向基板供给原料气体，之后向基板供给反应气体和脱水气体。由此，基板处理装置能够在基板高精度地进行膜的成膜。
-
公开(公告)号：CN108505020B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN201810165871.7
申请日：2018-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/511 , H01L21/027 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及成膜装置，提供一种能够在成膜装置中抑制膜厚的不均的技术，该成膜装置遍及基板的径向地向载置于旋转台并进行公转的基板供给气体来进行成膜。在以沿旋转台的径向横跨晶圆的移动区域的方式供给气体、以包围气体喷出区域的周围的方式设置有排气口的气体供排气单元中，沿旋转台的径向将气体喷出区域划分为三个以上的区域。而且，在气体喷出区域中的内侧区域中，在与晶圆的通过区域的内侧的周缘相向的区域设置有气体喷出孔，在外侧区域中，在晶圆的通过区域的外侧的周缘设置有气体喷出孔。因此，能够使向晶圆的通过区域的缘部供给的气体的供给量增多，因此能够抑制晶圆的周缘的膜厚的降低。
-
公开(公告)号：CN105088185B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201510236638.X
申请日：2015-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/34 , C23C16/06 , C23C16/405 , C23C16/45525 , C23C16/45551 , C23C16/45574 , C23C16/4584
Abstract: 本发明提供一种成膜方法。在该成膜方法中，在基板(W)上形成TiN的连续膜，其中，该成膜方法包括以下工序：在上述基板上形成TiO2的连续膜；及在上述TiO2的连续膜上形成厚度厚于上述TiO2膜的厚度的TiN的连续膜。
-
公开(公告)号：CN108505020A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810165871.7
申请日：2018-02-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/511 , H01L21/027 , H01L21/67
CPC classification number: C23C16/4584 , C23C16/345 , C23C16/45527 , C23C16/45536 , C23C16/45538 , C23C16/45551 , C23C16/45557 , C23C16/45565 , C23C16/46 , C23C16/511 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/6835 , C23C16/4554 , C23C16/45574 , H01L21/027 , H01L21/67017
Abstract: 本发明涉及成膜装置，提供一种能够在成膜装置中抑制膜厚的不均的技术，该成膜装置遍及基板的径向地向载置于旋转台并进行公转的基板供给气体来进行成膜。在以沿旋转台的径向横跨晶圆的移动区域的方式供给气体、以包围气体喷出区域的周围的方式设置有排气口的气体供排气单元中，沿旋转台的径向将气体喷出区域划分为三个以上的区域。而且，在气体喷出区域中的内侧区域中，在与晶圆的通过区域的内侧的周缘相向的区域设置有气体喷出孔，在外侧区域中，在晶圆的通过区域的外侧的周缘设置有气体喷出孔。因此，能够使向晶圆的通过区域的缘部供给的气体的供给量增多，因此能够抑制晶圆的周缘的膜厚的降低。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.041 seconds)
