-
公开(公告)号：CN113707529A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110528835.4
申请日：2021-05-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置和参数获取方法，用于提高加热器的温度的控制精度。基板处理装置具备：加热器电阻器；数字滤波器，其对检测电压和检测电流中的至少一方进行滤波，所述检测电压是被设为施加于加热器电阻器的电压来检测出的数字电压值，所述检测电流是以将根据所述加热器电阻器和流过所述加热器电阻器的电流计算出的电压转换为数字电压值的方式来检测的；以及控制部，其使用检测电压和检测电流中的至少一方通过数字滤波器而被进行了滤波的检测电压和检测电流，来控制加热器电阻器的温度。
-
公开(公告)号：CN113299579A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110176707.8
申请日：2021-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和载置台，使基板处理装置小型化。使用等离子体来处理基板的基板处理装置具备收容基板的腔室、以及配置于腔室内的用于载置基板的载置台。载置台具有基台、基板保持部、多个加热器、加热器控制部以及RF滤波器。基台由导体形成，RF电力在基台中流过。基板保持部设置于基台上，用于保持基板。多个加热器设置于基板保持部。加热器控制部设置于基台的内部，用于控制供给到多个加热器的各加热器的电力。RF滤波器设置于基台的外部，与用于将电力供给到各加热器的布线连接。另外，针对多个加热器共通地设置有一个RF滤波器。
-
公开(公告)号：CN112117178A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010531470.6
申请日：2020-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种提高设置于静电吸盘内的加热器的温度控制的精度的等离子体处理装置。在一个例示性的实施方式所涉及的等离子体处理装置中，按照以第一频率规定的周期向基板支承器的下部电极供给脉冲状的高频电力。按照该周期向配置于基板支承器上的边缘环施加脉冲状的负极性的直流电压。在基板支承器的静电吸盘内设置有加热器。基于加热器的电阻值来控制向加热器供给的电力。根据向加热器供给的电流的采样值和向加热器施加的电压的采样值来求出加热器的电阻值。电流的采样值和电压的采样值的采样频率即第二频率与第一频率不同。
-
公开(公告)号：CN110556286B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201910470018.0
申请日：2019-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置，适当地判定是否发生了与基板的温度有关的异常的技术。基板处理方法包括以下步骤：测定施加于部件的电压的变化和流过该部件的电流，所述部件设置在对晶圆进行处理的基板处理装置；参照将多个电阻值与多个温度建立对应的转换表，根据基于该测定出的电压和电流计算出的电阻值的变化来计算该部件的温度；基于该测定出的电压的变化来判定是否发生了与该晶圆的温度有关的异常；以及在判定为发生了与该晶圆的温度有关的异常时，停止对该晶圆进行处理。
-
公开(公告)号：CN111801777B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201980013722.1
申请日：2019-06-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 基板处理系统具备：载置台，其用于载置基板；加热器，其通过被供给电力来将基板进行加热；电力供给部，其向加热器供给电力；传感器，其测定加热器的电阻值；以及控制装置。控制装置记录将多个电阻值与多个温度进行对应的转换表，在加热器的温度为参考温度时获取由传感器测定的参考电阻值。控制装置还在通过加热器将基板进行加热的期间获取由传感器测定的温度调整用电阻值，并基于转换表、参考温度、参考电阻值以及温度调整用电阻值来控制电力供给部。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117316748A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310734622.6
申请日：2023-06-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01J37/20 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供测量基片支承部的自偏压的面内分布的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；基座；静电吸盘；多个电极层，其配置在静电吸盘内的同一面内；开关组，其由与多个电极层分别电连接的多个开关构成；电源部和测量部，其与开关组电连接；其他开关，其将开关组的连接目标选择为电源部和测量部中的任一者；以及控制部，电源部包括向多个电极层供给电功率的电源，测量部包括电阻和对施加到电阻的电压进行测量的电压计，控制部构成为能够执行包含如下处理的控制：将开关组的连接目标切换为测量部，之后将构成开关组的多个开关逐一地切换为接通的状态。
-
公开(公告)号：CN115775717A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211063951.4
申请日：2022-09-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够容易地维护基片处理装置的内壁部件的技术。本发明的基片处理装置包括腔室、基片支承器、支承部件、内壁部件、接触部件和致动器。基片支承器设置在腔室内。支承部件设置在基片支承器的上方。内壁部件包括能够配置在基片支承器的上方且支承部件的下方的顶部。接触部件安装在支承部件和内壁部件中的一者。接触部件构成为，通过对支承部件和内壁部件中的另一者施加水平方向的弹簧反作用力，将内壁部件可拆装地固定在支承部件。致动器构成为使内壁部件向下方移动而解除内壁部件相对于支承部件的固定。
-
公开(公告)号：CN118398465A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410336716.2
申请日：2019-06-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01J37/244 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理系统和基板处理方法。基板处理系统具备：载置台，其用于载置基板；加热器，其通过被供给电力来将基板进行加热；电力供给部，其向加热器供给电力；传感器，其测定加热器的电阻值；以及控制装置。控制装置记录将多个电阻值与多个温度进行对应的转换表，在加热器的温度为参考温度时获取由传感器测定的参考电阻值。控制装置还在通过加热器将基板进行加热的期间获取由传感器测定的温度调整用电阻值，并基于转换表、参考温度、参考电阻值以及温度调整用电阻值来控制电力供给部。
-
公开(公告)号：CN112331549B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202011162092.5
申请日：2018-05-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用的载置台，其可设定的温度的范围宽广，并且，能够细微地控制基片的面内温度分布。一个实施方式的载置台包括静电吸盘。静电吸盘具有基座和吸盘主体。吸盘主体设置在基座上，利用静电引力保持基片。吸盘主体具有多个第1加热器和多个第2加热器。多个第2加热器的个数比多个第1加热器的个数多。第1加热器控制器利用来自第1电源的交流或直流的输出对多个第1加热器进行驱动。第2加热器控制器利用来自第2电源的交流或直流的输出对多个第2加热器进行驱动，该第2电源具有比来自第1电源的输出的功率低的功率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.035 seconds)
