-
公开(公告)号：CN114883166A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210107548.0
申请日：2022-01-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 石川真矢
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供基片支承体和基片处理装置，在配置于由基片支承体支承的基片的周围的边缘环中，能够适当地减少该边缘环在等离子体处理时的消耗量。基片支承体包括：基片支承部，其具有吸附基片的静电吸盘和静电吸盘内的基片用加热电极；环支承部，其支承包围基片的边缘环，在内部具有边缘环用加热电极；基材，其具有配置基片支承部的中心载置部和在中心载置部的外周侧配置环支承部的外周载置部；配置在基片支承部的正下方，对基片用加热电极供给电功率的第1供电端子；和配置在环支承部的正下方，对边缘环用加热电极供给电功率的第2供电端子，外周载置部的上表面位于比中心载置部的上表面低的位置，环支承部的厚度为基片支承部的厚度的40％以上。
-
公开(公告)号：CN119213547A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202380041066.2
申请日：2023-05-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 提供一种基板处理装置。基板处理装置具备腔室、基台、静电保持盘、控制电路以及探测电路。静电保持盘配置在基台上。静电保持盘包括电介质构件、至少一个加热器电极层以及至少一个电阻层。电介质构件具有基板支承面。至少一个加热器电极层由第一材料形成。至少一个电阻层由第二材料形成。至少一个电阻层是具有300μm以下的厚度的至少一个电阻层。第二材料的电阻温度系数为第一材料的电阻温度系数以上。
-
-
公开(公告)号：CN116544167A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310050087.2
申请日：2023-02-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够使偏置功率的低频侧的效率提高的基片支承部和等离子体处理装置。基片支承部是能够配置在处理容器内的基片支承部，其包括：由电介质形成的静电吸盘，其具有支承基片的第一支承面，并且从第一支承面侧起依次在内部具有第一电极和第二电极；以及支承静电吸盘的基座，第二电极配置在至第一支承面的距离为至基座的距离以下的位置，对第一电极能够施加用于吸附基片的电压，对第二电极能够供给偏置功率。
-
公开(公告)号：CN115831698A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211089392.4
申请日：2022-09-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明的等离子体处理装置提供能够对基片支承部内的电极高效地供给电功率的改良后的电极构造。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；基片支承部，其包括：基座；陶瓷部件；环状部件；配置在基片支承面的下方的第一和第二中央电极；第一和第二环状连接件，其内侧区域分别配置在第一和第二中央电极的边缘区域的下方，分别经由第一和第二纵向连接件与第一和第二中央电极的边缘区域电连接；和隔着气体分配空间形成在第一和第二环状连接件的下方的中央加热电极；经由第三纵向连接件与第一环状连接件的外侧区域电连接的DC电源；以及经由第四纵向连接件与第二环状连接件的外侧区域电连接的电压脉冲生成部。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118202447A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202280073531.6
申请日：2022-11-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/31 , H05H1/46
Abstract: 本发明的对基片进行处理的基片处理装置包括受电部，上述受电部包含从位于上述基片处理装置的外部的输电用线圈以非接触的方式被传输电功率的受电用线圈，上述基片处理装置构成为能够对利用来自上述受电部的电功率的单元和部件中的至少一者供给电功率。
-
公开(公告)号：CN116264147A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211555759.7
申请日：2022-12-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够在基片侧和边缘环侧独立地控制电位的等离子体处理装置和电位控制方法。等离子体处理装置包括：腔室；用于产生电偏置的偏置电源；用于在腔室内支承基片和边缘环的基片支承器，其包括用于保持基片的第一区域、以包围第一区域的方式设置的用于保持边缘环的第二区域、用于接收电偏置的设置在第一区域内的第一偏置电极、设置在第一区域内的被接地的第一阻抗调节电极、用于接收电偏置的设置在第二区域内的第二偏置电极、和设置在第二区域内的被接地的第二阻抗调节电极；阻抗调节机构，其与第一阻抗调节电极和第二阻抗调节电极中的至少一者连接；和电路径，其用于将偏置电源、第一偏置电极和第二偏置电极连接。
-
公开(公告)号：CN111801779A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201980016960.8
申请日：2019-07-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C14/50 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/683
Abstract: 提供一种载置台，其用于放置被处理体及边缘环，该载置台包括：第一流路和第二流路，用于使流体在所述载置台的内部流动；分岔部，将所述第一流路的入口与所述第二流路的入口连接；汇合部，将所述第一流路的出口与所述第二流路的出口连接；以及部件，设置在所述分岔部或所述汇合部中的至少任意一者处，并且具有与所述第一流路和所述第二流路连通的开口部。
-
公开(公告)号：CN118661474A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202380020892.9
申请日：2023-02-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明能够在等离子体处理装置的联锁机构动作时，保护搭载在等离子体处理装置中的电子器件。一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：等离子体处理腔室；配置在等离子体处理腔室内的基座，其具有传热介质流路和空间；配置在基座上的静电卡盘；配置在静电卡盘内的第1加热器元件；配置在空间内的第2加热器元件；配置在空间内的控制电路板，其包括与第1加热器元件和第2加热器元件中的至少任一者电连接的至少一个控制元件；和恢复电路，其电连接在第2加热器元件与至少一个控制元件之间，能够基于空间内的温度对第2加热器元件供给电功率。
-
公开(公告)号：CN111801779B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201980016960.8
申请日：2019-07-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C14/50 , C23C16/458 , C23C16/46 , H01L21/683
Abstract: 提供一种载置台，其用于放置被处理体及边缘环，该载置台包括：第一流路和第二流路，用于使流体在所述载置台的内部流动；分岔部，将所述第一流路的入口与所述第二流路的入口连接；汇合部，将所述第一流路的出口与所述第二流路的出口连接；以及部件，设置在所述分岔部或所述汇合部中的至少任意一者处，并且具有与所述第一流路和所述第二流路连通的开口部。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.023 seconds)
