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公开(公告)号：CN102686771B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201080059677.2
申请日：2010-11-29
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C23C16/18 , H01L21/28 , H01L21/285 , C07F15/00
CPC classification number: C07F17/02 , C23C16/18 , H01L21/28088 , H01L21/28556 , H01L21/31695 , H01L21/32051 , H01L29/4966
Abstract: 为了利用CVD法形成优质的钌薄膜，需要在低温下形成薄膜，因此期望提供一种相对于热具有高反应性的钌化合物。为此，本发明涉及使用下述钌络合物混合物作为原料、利用CVD法等制造含钌膜的方法等，所述钌络合物混合物含有：(2,4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌和相对于(2,4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌为0.1~100重量%的双(2,4-二甲基戊二烯基)合钌。
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公开(公告)号：CN101304964B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200680041647.2
申请日：2006-11-01
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C211/65 , C23C16/34 , C07F7/28
CPC classification number: C23C16/18 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F7/003 , C23C16/34 , C23C16/405
Abstract: 本发明涉及新型钛络合物，其具有优良的气化特征和热稳定性并可以作为通过CVD、ALD或其类似法形成含钛薄膜中的原料；用于制备络合物的方法；使用络合物形成含钛薄膜；用于形成膜的方法。根据本发明，由通式(1)表示的钛络合物是通过将通式(2)表示的二亚胺与金属锂反应，然后与由通式(3)表示的四酰胺络合物反应并通过使用钛络合物作为原料形成含钛薄膜(其中R1和R4各自独立地是1-6个碳原子的烷基或类似物；R2和R3各自独立地为氢、1-3个碳原子的烷基或类似物而R5和R6各自独立地为1-4个碳原子的烷基或类似物)。Ti(NR5R6)4 (3)
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公开(公告)号：CN100390186C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200480023620.1
申请日：2004-08-11
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 一种具有低熔点及优异蒸发性能而且能在低温下在衬底上淀积成薄膜的有机金属化合物；以及一种从这种有机金属化合物制备铱基薄膜的方法。通式[2]和通式[3]所代表的化合物：[2][3]与通式[4]所代表的化合物反应，得到通式[1]所代表的有机铱化合物：[1][式中R1代表氢或低级烷基；R2代表低级烷基；X代表卤素；而M代表碱金属]。此化合物用作制备铱基薄膜的原料。
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公开(公告)号：CN1597687A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410038451.0
申请日：2004-04-26
Applicant: 东曹株式会社
Abstract: 本发明提供具有低熔点，优良的蒸发特性和基质上低成膜温度的有机金属铱化合物，其用于经CVD法形成含铱薄膜。该有机金属铱化合物由如式(1)或(2)表示，其中R1表示氢或低级烷基；R2－R7分别表示氢、卤素等，其前提是排除R1－R7的特定组合；R8表示低级烷基；R9－R12分别表示氢、卤素等，其前提是排除R8－R12的特定组合。用CVD法使用该化合物作为母体制备含铱薄膜。
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公开(公告)号：CN101111502B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200680003625.7
申请日：2006-01-25
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 本发明提供新型钽化合物及其制备方法，所述钽化合物可以分别形成不含卤素的含钽薄膜和含有目标元素的含钽薄膜。此外，还提供稳定形成含目标元素的含钽薄膜的方法。本发明涉及下述通式(1)(式中，R1表示碳原子数为2～6的直链状烷基)、或下述通式(2)(式中，R2表示碳原子数为2～6的直链状烷基)表示的钽化合物，及其制备方法。此外，本发明还涉及以下述通式(6)(其中，j、k、m和n为满足j+k＝5、m+n＝5的1～4的整数，R3～R6为氢原子、碳原子数为1～6的烷基等)表示的钽化合物作为原料，形成含钽薄膜的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101111502A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200680003625.7
申请日：2006-01-25
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 本发明提供新型钽化合物及其制备方法，所述钽化合物可以分别形成不含卤素的含钽薄膜和含有目标元素的含钽薄膜。此外，还提供稳定形成含目标元素的含钽薄膜的方法。本发明涉及下述通式(1)(式中，R1表示碳原子数为2～6的直链状烷基)、或下述通式(2)(式中，R2表示碳原子数为2～6的直链状烷基)表示的钽化合物，及其制备方法。此外，本发明还涉及以下述通式(6)(其中，j、k、m和n为满足j+k＝5、m+n＝5的1～4的整数，R3～R6为氢原子、碳原子数为1～6的烷基等)表示的钽化合物作为原料，形成含钽薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN1317286C
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200410038451.0
申请日：2004-04-26
Applicant: 东曹株式会社
Abstract: 本发明提供具有低熔点，优良的蒸发特性和基质上低成膜温度的有机金属铱化合物，其用于经CVD法形成含铱薄膜。该有机金属铱化合物由如下式(1)或(2)表示，其中R1表示氢或低级烷基；R2-R7分别表示氢、卤素等，其前提是排除R1-R7的特定组合；R8表示低级烷基；R9-R12分别表示氢、卤素等，其前提是排除R8-R12的特定组合。用CVD法使用该化合物作为母体制备含铱薄膜。
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公开(公告)号：CN1835961A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200480023620.1
申请日：2004-08-11
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 一种具有低熔点及优异蒸发性能而且能在低温下在衬底上淀积成薄膜的有机金属化合物；以及一种从这种有机金属化合物制备铱基薄膜的方法。通式[2]和通式[3]所代表的化合物：[2][3]与通式[4]所代表的化合物反应，得到通式[1]所代表的有机铱化合物：[1][式中R1代表氢或低级烷基；R2代表低级烷基；X代表卤素；而M代表碱金属]。此化合物用作制备铱基薄膜的原料。
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公开(公告)号：CN103917487A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280054346.9
申请日：2012-09-03
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C01B13/32 , C01B33/113 , C01G23/04 , C07F7/10 , C07F7/18 , C07F7/28 , H01L21/316
CPC classification number: C09D1/00 , C01B33/113 , C07F7/003 , C07F7/025 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02216 , H01L21/02282
Abstract: 本发明的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面，进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理，从而制作IV族金属氧化物膜的方法中，作为制膜用材料，使用使具有特定结构的亚乙烯基二酰胺络合物与氧气、空气、臭氧、水、过氧化氢等氧化剂进行反应而得到的制膜用材料。
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公开(公告)号：CN102264754A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980152740.4
申请日：2009-12-21
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C07F17/02 , C23C16/18 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: C07F17/02 , B01J31/2295 , C07F15/0046 , C23C16/18 , H01L28/65
Abstract: 本发明提供一种(2，4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌，即使该化合物含有类似化合物时也可由其制造含钌薄膜；制造该含钌化合物的方法；使用所述化合物制造含钌薄膜的方法；以及含钌薄膜。从含有所述类似化合物的(2，4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌分离出该类似化合物，由此得到所述(2，4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌，其中该类似化合物的含量为5重量％以下。该含钌化合物用作制备薄膜的原料。
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