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公开(公告)号：CN111406059B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201880076675.0
申请日：2018-11-27
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 提供具有高的光稳定性的铕络合物。式(A)表示的铕络合物。〔式中，RA及RB各自独立地为碳原子数3～10的环状烷基，RC为碳原子数3～10的环状烷基或者式(B)(式中，XA、XB、XC、XD、及XE各自独立地表示氢原子；氟原子；碳原子数1～3的烷基；碳原子数1～3的烷氧基；碳原子数6～10的芳氧基；碳原子数1～3的氟烷基；碳原子数1～3的氟烷氧基；或者任选被氟原子、碳原子数1～3的烷基、碳原子数1～3的烷氧基、碳原子数1～3的氟烷基、碳原子数1～3的氟烷氧基、氟苯基、羟基、或氰基取代的苯基。)表示的苯基；或者RA为碳原子数3～10的环状烷基，RB及RC为式(B)表示的苯基，其中，不包括RA为环己基、并且RB、RC为苯基的情况。或者RA、RB及RC各自独立地表示式(Ba)表示的邻位取代苯基(式中，XF表示氢原子、碳原子数1～3的烷基、碳原子数1～3的烷氧基、碳原子数1～3的氟烷基、碳原子数1～3的氟烷氧基、任选被氟原子取代的萘基、任选被氟原子取代的吡啶基、或者式(C)[式中，ZA、ZC及ZE各自独立地表示氢原子、氟原子、碳原子数1～3的烷基、碳原子数1～3的烷氧基、碳原子数1～3的氟烷基、碳原子数1～3的氟烷氧基、任选被氟原子取代的苯基、羟基、或氰基。ZB及ZD各自独立地表示氢原子或氟原子。]表示的苯基。其中，不包括RA、RB及RC全部为苯基的情况。)。RD表示氢原子、氘原子、或氟原子。WA及WB各自独立地表示碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的氟烷基、苯基、2‑噻吩基或3‑噻吩基。n表示1～3的整数。〕。
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公开(公告)号：CN112839924B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201980067199.0
申请日：2019-11-08
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 本发明提供对于在不使用氧化性气体的条件下制造含钴薄膜有用的且室温下为液体的钴配合物。下述式(1)所示的钴配合物中，L1、L2表示下述式(A)的单齿酰胺配体、式(B)的双齿酰胺配体或式(C)的含杂原子配体。式(A)中，R1及R2表示碳原子数1～6的烷基或三(碳原子数1～6的烷基)甲硅烷基，波浪线表示与钴原子的键合位置。式(B)中，R3表示三(碳原子数1～6的烷基)甲硅烷基，R4、R5表示碳原子数1～4的烷基，X表示碳原子数1～6的亚烷基。式(C)中，R6及R8表示碳原子数1～6的烷基，R7表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，Y表示氧原子或NR9，Z表示氧原子或NR10，R9及R10分别独立地表示碳原子数1～6的烷基。
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公开(公告)号：CN112839924A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201980067199.0
申请日：2019-11-08
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 本发明提供对于在不使用氧化性气体的条件下制造含钴薄膜有用的且室温下为液体的钴配合物。下述式(1)所示的钴配合物中，L1、L2表示下述式(A)的单齿酰胺配体、式(B)的双齿酰胺配体或式(C)的含杂原子配体。式(A)中，R1及R2表示碳原子数1～6的烷基或三(碳原子数1～6的烷基)甲硅烷基，波浪线表示与钴原子的键合位置。式(B)中，R3表示三(碳原子数1～6的烷基)甲硅烷基，R4、R5表示碳原子数1～4的烷基，X表示碳原子数1～6的亚烷基。式(C)中，R6及R8表示碳原子数1～6的烷基，R7表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，Y表示氧原子或NR9，Z表示氧原子或NR10，R9及R10分别独立地表示碳原子数1～6的烷基。
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公开(公告)号：CN108473521B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201680079068.0
申请日：2016-12-12
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 本发明提供一种对于在不使用氧化性气体的条件下制作含钴薄膜有用的钴络合物。本发明使用通式(1)(式中，R1表示通式(2)(式中，R6、R7及R8各自独立地表示碳原子数1～6的烷基)所示的甲硅烷氧基，R2表示氢原子、碳原子数1～6的烷基或通式(2)所示的甲硅烷氧基，R3、R4及R5各自独立地表示氢原子或碳原子数1～6的烷基，L表示碳原子数4～10的二烯)所示的钴络合物。
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公开(公告)号：CN111406059A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201880076675.0
申请日：2018-11-27
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 提供具有高的光稳定性的铕络合物。式(A)表示的铕络合物。〔式中，RA及RB各自独立地为碳原子数3～10的环状烷基，RC为碳原子数3～10的环状烷基或者式(B)(式中，XA、XB、XC、XD、及XE各自独立地表示氢原子；氟原子；碳原子数1～3的烷基；碳原子数1～3的烷氧基；碳原子数6～10的芳氧基；碳原子数1～3的氟烷基；碳原子数1～3的氟烷氧基；或者任选被氟原子、碳原子数1～3的烷基、碳原子数1～3的烷氧基、碳原子数1～3的氟烷基、碳原子数1～3的氟烷氧基、氟苯基、羟基、或氰基取代的苯基。)表示的苯基；或者RA为碳原子数3～10的环状烷基，RB及RC为式(B)表示的苯基，其中，不包括RA为环己基、并且RB、RC为苯基的情况。或者RA、RB及RC各自独立地表示式(Ba)表示的邻位取代苯基(式中，XF表示氢原子、碳原子数1～3的烷基、碳原子数1～3的烷氧基、碳原子数1～3的氟烷基、碳原子数1～3的氟烷氧基、任选被氟原子取代的萘基、任选被氟原子取代的吡啶基、或者式(C)[式中，ZA、ZC及ZE各自独立地表示氢原子、氟原子、碳原子数1～3的烷基、碳原子数1～3的烷氧基、碳原子数1～3的氟烷基、碳原子数1～3的氟烷氧基、任选被氟原子取代的苯基、羟基、或氰基。ZB及ZD各自独立地表示氢原子或氟原子。]表示的苯基。其中，不包括RA、RB及RC全部为苯基的情况。)。RD表示氢原子、氘原子、或氟原子。WA及WB各自独立地表示碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的氟烷基、苯基、2-噻吩基或3-噻吩基。n表示1～3的整数。〕。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108473521A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680079068.0
申请日：2016-12-12
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 本发明提供一种对于在不使用氧化性气体的条件下制作含钴薄膜有用的钴络合物。本发明使用通式(1)(式中，R1表示通式(2)(式中，R6、R7及R8各自独立地表示碳原子数1～6的烷基)所示的甲硅烷氧基，R2表示氢原子、碳原子数1～6的烷基或通式(2)所示的甲硅烷氧基，R3、R4及R5各自独立地表示氢原子或碳原子数1～6的烷基，L表示碳原子数4～10的二烯)所示的钴络合物。
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公开(公告)号：CN102686771B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201080059677.2
申请日：2010-11-29
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C23C16/18 , H01L21/28 , H01L21/285 , C07F15/00
CPC classification number: C07F17/02 , C23C16/18 , H01L21/28088 , H01L21/28556 , H01L21/31695 , H01L21/32051 , H01L29/4966
Abstract: 为了利用CVD法形成优质的钌薄膜，需要在低温下形成薄膜，因此期望提供一种相对于热具有高反应性的钌化合物。为此，本发明涉及使用下述钌络合物混合物作为原料、利用CVD法等制造含钌膜的方法等，所述钌络合物混合物含有：(2,4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌和相对于(2,4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌为0.1~100重量%的双(2,4-二甲基戊二烯基)合钌。
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公开(公告)号：CN101304964B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200680041647.2
申请日：2006-11-01
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C211/65 , C23C16/34 , C07F7/28
CPC classification number: C23C16/18 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F7/003 , C23C16/34 , C23C16/405
Abstract: 本发明涉及新型钛络合物，其具有优良的气化特征和热稳定性并可以作为通过CVD、ALD或其类似法形成含钛薄膜中的原料；用于制备络合物的方法；使用络合物形成含钛薄膜；用于形成膜的方法。根据本发明，由通式(1)表示的钛络合物是通过将通式(2)表示的二亚胺与金属锂反应，然后与由通式(3)表示的四酰胺络合物反应并通过使用钛络合物作为原料形成含钛薄膜(其中R1和R4各自独立地是1-6个碳原子的烷基或类似物；R2和R3各自独立地为氢、1-3个碳原子的烷基或类似物而R5和R6各自独立地为1-4个碳原子的烷基或类似物)。Ti(NR5R6)4 (3)
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公开(公告)号：CN102264754A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980152740.4
申请日：2009-12-21
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C07F17/02 , C23C16/18 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: C07F17/02 , B01J31/2295 , C07F15/0046 , C23C16/18 , H01L28/65
Abstract: 本发明提供一种(2，4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌，即使该化合物含有类似化合物时也可由其制造含钌薄膜；制造该含钌化合物的方法；使用所述化合物制造含钌薄膜的方法；以及含钌薄膜。从含有所述类似化合物的(2，4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌分离出该类似化合物，由此得到所述(2，4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌，其中该类似化合物的含量为5重量％以下。该含钌化合物用作制备薄膜的原料。
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公开(公告)号：CN101304964A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200680041647.2
申请日：2006-11-01
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C211/65 , C23C16/34 , C07F7/28
CPC classification number: C23C16/18 , C07C211/65 , C07C251/08 , C07F7/003 , C23C16/34 , C23C16/405
Abstract: 本发明涉及新型钛络合物，其具有优良的气化特征和热稳定性并可以作为通过CVD、ALD或其类似法形成含钛薄膜中的原料；用于制备络合物的方法；使用络合物形成含钛薄膜；用于形成膜的方法。根据本发明，由通式(1)表示的钛络合物是通过将通式(2)表示的二亚胺与金属锂反应，然后与由通式(3)表示的四酰胺络合物反应并通过使用钛络合物作为原料形成含钛薄膜(其中R1和R4各自独立地是1－6个碳原子的烷基或类似物；R2和R3各自独立地为氢、1－3个碳原子的烷基或类似物而R5和R6各自独立地为1－4个碳原子的烷基或类似物)。
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