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公开(公告)号：CN104903337B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201380069822.9
申请日：2013-12-06
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07F15/00 , C23C16/18 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/28568 , C07F7/02 , C07F15/0046 , C23C16/18 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76871
Abstract: 本发明提供一种通式(1a)、(2)、(3)等所示的钌络合物及该钌络合物的制造方法，其无论在使用氧化性气体作为反应气体的条件下还是在使用还原性气体作为反应气体的条件下均可用于制作含钌薄膜。(式中，R1a～R7a、R8～R9、R10～R18表示碳原子数1～6的烷基。n表示0～2的整数。)
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公开(公告)号：CN104903337A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201380069822.9
申请日：2013-12-06
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07F15/00 , C23C16/18 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/28568 , C07F7/02 , C07F15/0046 , C23C16/18 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76871
Abstract: 本发明提供一种通式(1a)、(2)、(3)等所示的钌络合物及该钌络合物的制造方法，其无论在使用氧化性气体作为反应气体的条件下还是在使用还原性气体作为反应气体的条件下均可用于制作含钌薄膜。(式中，R1a～R7a、R8～R9、R10～R18表示碳原子数1～6的烷基。n表示0～2的整数)。
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公开(公告)号：CN102686771A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080059677.2
申请日：2010-11-29
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C23C16/18 , H01L21/28 , H01L21/285 , C07F15/00
CPC classification number: C07F17/02 , C23C16/18 , H01L21/28088 , H01L21/28556 , H01L21/31695 , H01L21/32051 , H01L29/4966
Abstract: 为了利用CVD法形成优质的钌薄膜，需要在低温下形成薄膜，因此期望提供一种相对于热具有高反应性的钌化合物。为此，本发明涉及使用下述钌络合物混合物作为原料、利用CVD法等制造含钌膜的方法等，所述钌络合物混合物含有：(2,4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌和相对于(2,4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌为0.1~100重量%的双(2,4-二甲基戊二烯基)合钌。
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公开(公告)号：CN1255417C
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN02142607.4
申请日：2002-09-12
Applicant: 东曹株式会社
Abstract: 提供熔点低、汽化特性优异，而且在基板上成膜温度低的金属有机化合物，并以其作为原料由CVD法制造含钌薄膜。以通式[1]表示的有机钌化合物[具体例子是(2，4-二甲基戊二烯)(乙基环戊二烯)合钌]或者以通式[7]表示的有机钌化合物[具体例子是羰基二(2-甲基-1，3-戊二烯)合钌]为原料，由化学气相蒸镀法等制造含钌薄膜。
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公开(公告)号：CN102686771B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201080059677.2
申请日：2010-11-29
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C23C16/18 , H01L21/28 , H01L21/285 , C07F15/00
CPC classification number: C07F17/02 , C23C16/18 , H01L21/28088 , H01L21/28556 , H01L21/31695 , H01L21/32051 , H01L29/4966
Abstract: 为了利用CVD法形成优质的钌薄膜，需要在低温下形成薄膜，因此期望提供一种相对于热具有高反应性的钌化合物。为此，本发明涉及使用下述钌络合物混合物作为原料、利用CVD法等制造含钌膜的方法等，所述钌络合物混合物含有：(2,4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌和相对于(2,4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌为0.1~100重量%的双(2,4-二甲基戊二烯基)合钌。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100390186C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200480023620.1
申请日：2004-08-11
Applicant: 东曹株式会社 , 财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 一种具有低熔点及优异蒸发性能而且能在低温下在衬底上淀积成薄膜的有机金属化合物；以及一种从这种有机金属化合物制备铱基薄膜的方法。通式[2]和通式[3]所代表的化合物：[2][3]与通式[4]所代表的化合物反应，得到通式[1]所代表的有机铱化合物：[1][式中R1代表氢或低级烷基；R2代表低级烷基；X代表卤素；而M代表碱金属]。此化合物用作制备铱基薄膜的原料。
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公开(公告)号：CN1597687A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410038451.0
申请日：2004-04-26
Applicant: 东曹株式会社
Abstract: 本发明提供具有低熔点，优良的蒸发特性和基质上低成膜温度的有机金属铱化合物，其用于经CVD法形成含铱薄膜。该有机金属铱化合物由如式(1)或(2)表示，其中R1表示氢或低级烷基；R2－R7分别表示氢、卤素等，其前提是排除R1－R7的特定组合；R8表示低级烷基；R9－R12分别表示氢、卤素等，其前提是排除R8－R12的特定组合。用CVD法使用该化合物作为母体制备含铱薄膜。
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公开(公告)号：CN102264754A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980152740.4
申请日：2009-12-21
Applicant: 东曹株式会社
IPC: C07F17/02 , C23C16/18 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: C07F17/02 , B01J31/2295 , C07F15/0046 , C23C16/18 , H01L28/65
Abstract: 本发明提供一种(2，4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌，即使该化合物含有类似化合物时也可由其制造含钌薄膜；制造该含钌化合物的方法；使用所述化合物制造含钌薄膜的方法；以及含钌薄膜。从含有所述类似化合物的(2，4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌分离出该类似化合物，由此得到所述(2，4-二甲基戊二烯基)(乙基环戊二烯基)合钌，其中该类似化合物的含量为5重量％以下。该含钌化合物用作制备薄膜的原料。
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公开(公告)号：CN1408717A
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：CN02142607.4
申请日：2002-09-12
Applicant: 东曹株式会社
Abstract: 提供熔点低、汽化特性优异，而且在基板上成膜温度低的金属有机化合物，并以其作为原料由CVD法制造含钌薄膜。以通式[1]表示的有机钌化合物[具体例子是(2，4－二甲基戊二烯)(乙基环戊二烯)合钌]或者以通式[7]表示的有机钌化合物[具体例子是羰基二(2－甲基－1，3－戊二烯)合钌]为原料，由化学气相蒸镀法等制造含钌薄膜。
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公开(公告)号：CN1317286C
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200410038451.0
申请日：2004-04-26
Applicant: 东曹株式会社
Abstract: 本发明提供具有低熔点，优良的蒸发特性和基质上低成膜温度的有机金属铱化合物，其用于经CVD法形成含铱薄膜。该有机金属铱化合物由如下式(1)或(2)表示，其中R1表示氢或低级烷基；R2-R7分别表示氢、卤素等，其前提是排除R1-R7的特定组合；R8表示低级烷基；R9-R12分别表示氢、卤素等，其前提是排除R8-R12的特定组合。用CVD法使用该化合物作为母体制备含铱薄膜。
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