公开(公告)号：CN107808681B

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201710080698.6

申请日：2017-02-15

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 岸达也 ,  稻场恒夫 ,  渡边大辅 ,  中山昌彦 ,  尾形诚之 ,  都甲大 ,  相川尚德 ,  小濑木淳一 ,  永濑俊彦 ,  李永民 ,  泽田和也

IPC: G11C11/16

Abstract: 根据实施方式，存储装置包括磁阻元件和写入电路，所述磁阻元件包括第1磁性层、第2磁性层以及设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层，所述写入电路控制第1写入和第2写入，使电流脉冲在所述磁阻元件中流动，所述第1写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为平行状态，所述第2写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为反平行状态。所述第1写入所使用的第1脉冲模式与所述第2写入所使用的第2脉冲模式不同。

公开(公告)号：CN107808681A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201710080698.6

申请日：2017-02-15

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 岸达也 ,  稻场恒夫 ,  渡边大辅 ,  中山昌彦 ,  尾形诚之 ,  都甲大 ,  相川尚德 ,  小濑木淳一 ,  永濑俊彦 ,  李永民 ,  泽田和也

IPC: G11C11/16

Abstract: 根据实施方式，存储装置包括磁阻元件和写入电路，所述磁阻元件包括第1磁性层、第2磁性层以及设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层，所述写入电路控制第1写入和第2写入，使电流脉冲在所述磁阻元件中流动，所述第1写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为平行状态，所述第2写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为反平行状态。所述第1写入所使用的第1脉冲模式与所述第2写入所使用的第2脉冲模式不同。