公开(公告)号：CN109524041A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201810113348.X

申请日：2018-02-05

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 犬塚雄贵 ,  稻场恒夫 ,  宫崎隆行 ,  杉本刚士

IPC: G11C13/00

Abstract: 实施方式提供一种能够提高可靠性的电阻变化型存储器。实施方式的电阻变化型存储器包含：存储单元，设置在第1及第2位线与字线之间；第1晶体管，设置在第1位线与衬底(90)之间，且连接在选择栅极线(SGa)；第2晶体管，设置在第2位线与衬底(90)之间，且连接在选择栅极线(SGb)；以及第3晶体管，连接在与第1选择栅极线(SGa)相邻的虚设选择栅极线(DSG)。在选择了选择栅极线(SGa)的情况下，将电压VSG施加至选择栅极线(SGa)，将电压VSGA(＜VSG)施加至虚设选择栅极线(DSG)。在选择了选择栅极线(SGb)的情况下，将电压VSGA或电压VSGU施加至选择栅极线(SGa)，将电压VSGU施加至虚设选择栅极线(DSG)。

公开(公告)号：CN108630265A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201710734255.4

申请日：2017-08-24

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 稻场恒夫

IPC: G11C11/16

CPC classification number: G11C11/15 ,  G11C8/08 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1655 ,  G11C11/1657 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1693 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2207/002

Abstract: 实施方式提供能够抑制读出干扰的产生的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：包括第1阻变型存储元件R和第1晶体管ST的第1存储器单元MC；与所述第1晶体管的控制端子电连接的第1字线SWL；以及在读出时，在第1期间对所述第1字线施加第1电压，在所述第1期间后的第2期间对所述第1字线施加比所述第1电压大的第2电压的第1电路。

公开(公告)号：CN108630262A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201710702794.X

申请日：2017-08-16

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 稻场恒夫 ,  岸达也 ,  中山昌彦

IPC: G11C11/15 ,  H01L27/22

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C7/1096 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1697 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 实施方式提供一种半导体存储装置，能够缩短在写入后到能够执行接下来的写入或者读出为止的时间。实施方式的半导体存储装置具备：磁阻效应元件(22)，其具有存储层(23)、参考层(25)以及配置于存储层与参考层之间的中间层(24)；偏移调整层(27)，其配置在参考层的与中间层相反的一侧；耦合层(26)，其配置在参考层与偏移调整层之间；写入电路(13)，其对磁阻效应元件施加电压。参考层和偏移调整层反铁磁性耦合，参考层、耦合层以及偏移调整层构成SAF构造，写入电路在使磁阻效应元件从第1电阻值转变为比第1电阻值大的第2电阻值的写入中，对磁阻效应元件施加第1电压和极性与第1电压相反的第2电压。

公开(公告)号：CN107808681B

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201710080698.6

申请日：2017-02-15

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 岸达也 ,  稻场恒夫 ,  渡边大辅 ,  中山昌彦 ,  尾形诚之 ,  都甲大 ,  相川尚德 ,  小濑木淳一 ,  永濑俊彦 ,  李永民 ,  泽田和也

IPC: G11C11/16

Abstract: 根据实施方式，存储装置包括磁阻元件和写入电路，所述磁阻元件包括第1磁性层、第2磁性层以及设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层，所述写入电路控制第1写入和第2写入，使电流脉冲在所述磁阻元件中流动，所述第1写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为平行状态，所述第2写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为反平行状态。所述第1写入所使用的第1脉冲模式与所述第2写入所使用的第2脉冲模式不同。

公开(公告)号：CN107808681A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201710080698.6

申请日：2017-02-15

Applicant: 东芝存储器株式会社

Inventor： 岸达也 ,  稻场恒夫 ,  渡边大辅 ,  中山昌彦 ,  尾形诚之 ,  都甲大 ,  相川尚德 ,  小濑木淳一 ,  永濑俊彦 ,  李永民 ,  泽田和也

IPC: G11C11/16

Abstract: 根据实施方式，存储装置包括磁阻元件和写入电路，所述磁阻元件包括第1磁性层、第2磁性层以及设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层，所述写入电路控制第1写入和第2写入，使电流脉冲在所述磁阻元件中流动，所述第1写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为平行状态，所述第2写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为反平行状态。所述第1写入所使用的第1脉冲模式与所述第2写入所使用的第2脉冲模式不同。