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公开(公告)号：CN109509832A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201810140237.8
申请日：2018-02-11
Applicant: 东芝存储器株式会社
Abstract: 本公开提供磁阻元件和磁存储器。实施方式的磁阻元件具备第1磁性层至第3磁性层和第1非磁性层及第2非磁性层。第1磁性层具有可变的磁化方向。第2磁性层具有不变的磁化方向。第3磁性层将第2磁性层的磁化方向固定、并且与第2磁性层进行反铁磁性耦合。第1非磁性层设置于第1磁性层与第2磁性层之间。第2非磁性层设置于第2磁性层与第3磁性层之间、并且含有钌即Ru和金属元素。金属元素选自锇即Os、铑即Rh、钯即Pd、铱即Ir、铂即Pt、铬即Cr、钨即W、钽即Ta、铌即Nb以及钼即Mo之中。
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公开(公告)号：CN107808681B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201710080698.6
申请日：2017-02-15
Applicant: 东芝存储器株式会社
IPC: G11C11/16
Abstract: 根据实施方式，存储装置包括磁阻元件和写入电路，所述磁阻元件包括第1磁性层、第2磁性层以及设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层，所述写入电路控制第1写入和第2写入，使电流脉冲在所述磁阻元件中流动，所述第1写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为平行状态，所述第2写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为反平行状态。所述第1写入所使用的第1脉冲模式与所述第2写入所使用的第2脉冲模式不同。
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公开(公告)号：CN107808681A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201710080698.6
申请日：2017-02-15
Applicant: 东芝存储器株式会社
IPC: G11C11/16
Abstract: 根据实施方式，存储装置包括磁阻元件和写入电路，所述磁阻元件包括第1磁性层、第2磁性层以及设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层，所述写入电路控制第1写入和第2写入，使电流脉冲在所述磁阻元件中流动，所述第1写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为平行状态，所述第2写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为反平行状态。所述第1写入所使用的第1脉冲模式与所述第2写入所使用的第2脉冲模式不同。
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公开(公告)号：CN111724837A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910705395.8
申请日：2019-08-01
Applicant: 东芝存储器株式会社
Abstract: 一种非易失性存储装置。实施方式提供一种能够进行适当的存储单元控制的非易失性存储装置。实施方式涉及的非易失性存储装置具备：第1布线(10)、第2布线(20)以及存储单元(30)，所述存储单元(30)连接在第1布线与第2布线之间，并具有电阻变化存储元件(31)、第1选择元件(32)以及第2选择元件(33)的串联连接构造，第1选择元件以及第2选择元件分别具有在两端子间施加了第1阈值电压Vth1以及第2阈值电压Vth2时从截止状态转变为导通状态而两端子间的电压下降到第1维持电压Vhold1以及第2维持电压Vhold2的特性，将第1选择元件以及第2选择元件的截止电流分为设为Ioff1以及Ioff2，则满足以下关系：Vth1＞Vth2＞Vhold1≥Vhold2且Ioff1＜Ioff2。
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公开(公告)号：CN107819068A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710087126.0
申请日：2017-02-17
Applicant: 东芝存储器株式会社
Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。实施例的半导体装置具备第1稀土氧化物层、与所述第1稀土氧化物层相邻的第1磁性层、和非磁性层，所述第1磁性层配置于所述第1稀土氧化物层与所述非磁性层之间，且以与所述非磁性层的晶面相同的晶面取向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111725387A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910592931.8
申请日：2019-07-03
Applicant: 东芝存储器株式会社
Abstract: 实施方式提供一种包括具有高的垂直磁各向异性的磁阻效应元件的磁存储装置。实施方式涉及的磁存储装置具备层叠结构(20)，该层叠结构包括：第1磁性层(21)，其具有可变的磁化方向；第2磁性层(22)，其具有固定了的磁化方向；及非磁性层(23)，其设置于第1磁性层与第2磁性层之间，第1磁性层包括与非磁性层相接的第1面(S1)和与第1面相反侧的第2面(S2)，第1磁性层的第2面的直径比第1磁性层的第1面的直径小且为10nm以上，第1磁性层的高度相对于第1磁性层的第2面的直径的比率为0.9以上。
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公开(公告)号：CN110911549A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910114788.1
申请日：2019-02-14
Applicant: 东芝存储器株式会社
Abstract: 实施方式的磁性存储装置具备：第1存储单元，包含含有磁性层的第1积层构造；及第2存储单元，设置在所述第1存储单元上，且包含含有磁性层的第2积层构造；所述第1积层构造及所述第2积层构造分别具有将包含指定层的多层积层而成的构造，所述第1积层构造中所包含的指定层与所述第2积层构造中所包含的指定层具有互不相同的厚度。
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公开(公告)号：CN110311035A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201811047858.8
申请日：2018-09-07
Abstract: 本发明提供磁性装置及其制造方法。一实施方式的磁性装置具备磁阻效应元件。上述磁阻效应元件包含第1铁磁性体、导电体以及氧化物。上述氧化物设置于上述第1铁磁性体与上述导电体之间。上述氧化物包含稀土类元素的第1氧化物、和共价半径比上述稀土类元素小的元素的第2氧化物。
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公开(公告)号：CN108630805A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710845287.1
申请日：2017-09-19
Abstract: 根据一个实施例，磁存储装置包括磁阻元件，该磁阻元件包括具有可变磁化方向的第一磁性层(20)、具有固定磁化方向的第二磁性层(40)、以及设置在第一磁性层(20)和第二磁性层(40)之间的非磁性层(30)。第一磁性层(20)包括第一子磁性层和第二子磁性层(21，22)，每个至少包含铁(Fe)和硼(B)，以及在第一子磁性层(21)中包含的硼(B)的浓度与在第二子磁性层(22)中包含的硼(B)的浓度不同。
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公开(公告)号：CN111725388A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910728218.1
申请日：2019-08-07
Applicant: 东芝存储器株式会社
Abstract: 实施方式提供一种抑制寄生电阻的增加并且提高垂直磁各向异性的磁性装置。实施方式的磁性装置具备磁阻效应元件。所述磁阻效应元件包含：第1非磁性体；第2非磁性体；第1强磁性体，位于所述第1非磁性体及所述第2非磁性体之间；第3非磁性体，位于相对于所述第2非磁性体来说与所述第1强磁性体相反的一侧，且含有稀土类氧化物；以及第4非磁性体，位于所述第2非磁性体与所述第3非磁性体之间且含有金属。
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