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公开(公告)号：CN111725389A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910732600.X
申请日：2019-08-09
Applicant: 东芝存储器株式会社
Abstract: 实施方式提供一种能够提高器件的特性的磁性器件。实施方式的磁性器件包括：设置于基板(80)的上方的第1磁性体(12A)；基板(80)与第1磁性体(12A)之间的第2磁性体(11A)；第1磁性体(12A)与第2磁性体(11A)之间的非磁性体(13A)；设置于基板(80)与第2磁性体(11A)之间并包括非晶层的第1层(199A)；以及设置于第1层(199A)与第2磁性体(11A)之间并包括结晶层的第2层(190A)。
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公开(公告)号：CN109509832A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201810140237.8
申请日：2018-02-11
Applicant: 东芝存储器株式会社
Abstract: 本公开提供磁阻元件和磁存储器。实施方式的磁阻元件具备第1磁性层至第3磁性层和第1非磁性层及第2非磁性层。第1磁性层具有可变的磁化方向。第2磁性层具有不变的磁化方向。第3磁性层将第2磁性层的磁化方向固定、并且与第2磁性层进行反铁磁性耦合。第1非磁性层设置于第1磁性层与第2磁性层之间。第2非磁性层设置于第2磁性层与第3磁性层之间、并且含有钌即Ru和金属元素。金属元素选自锇即Os、铑即Rh、钯即Pd、铱即Ir、铂即Pt、铬即Cr、钨即W、钽即Ta、铌即Nb以及钼即Mo之中。
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公开(公告)号：CN111697126A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201910686879.2
申请日：2019-07-29
Applicant: 东芝存储器株式会社
Abstract: 实施方式提供一种能够使性能提高的磁阻元件以及磁存储装置。实施方式的磁阻元件包括：第1磁性层(14)，其具有不变的磁化方向；非磁性层(15)，其设在第1磁性层(14)上；第2磁性层(16)，其设在非磁性层(15)上，具有可变的磁化方向，包含稀土类元素；第3磁性层(17)，其设在第2磁性层(16)上，由钴构成；以及氧化物层(18)，其设在第3磁性层(17)上。
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公开(公告)号：CN107819068B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201710087126.0
申请日：2017-02-17
Applicant: 东芝存储器株式会社
Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。实施例的半导体装置具备第1稀土氧化物层、与所述第1稀土氧化物层相邻的第1磁性层、和非磁性层，所述第1磁性层配置于所述第1稀土氧化物层与所述非磁性层之间，且以与所述非磁性层的晶面相同的晶面取向。
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公开(公告)号：CN106463611B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201480077068.8
申请日：2014-07-14
IPC: H01L43/08 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/10
Abstract: 根据一个实施例，提供了磁阻元件，其包括第一磁层、在第一磁层上的非磁层和在非磁层上的第二磁层，其中第一磁层和第二磁层之一包括Co和Fe之一、以及具有比Co和Fe更高的标准电极电势的材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109494300A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201810148600.0
申请日：2018-02-13
Applicant: 东芝存储器株式会社
Abstract: 本公开提供一种磁装置及其制造方法。实施方式提供一种既能够得到高的垂直磁各向异性和磁阻效应又能够得到高的保持特性的磁装置及其制造方法。实施方式的磁装置具备磁阻效应元件。上述磁阻效应元件包括第1铁磁性体、第2铁磁性体以及第1稀土类磁性氧化物。上述第1稀土类磁性氧化物设置于上述第1铁磁性体与上述第2铁磁性体之间，将上述第1铁磁性体与上述第2铁磁性体进行磁耦合。
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公开(公告)号：CN110311035A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201811047858.8
申请日：2018-09-07
Abstract: 本发明提供磁性装置及其制造方法。一实施方式的磁性装置具备磁阻效应元件。上述磁阻效应元件包含第1铁磁性体、导电体以及氧化物。上述氧化物设置于上述第1铁磁性体与上述导电体之间。上述氧化物包含稀土类元素的第1氧化物、和共价半径比上述稀土类元素小的元素的第2氧化物。
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公开(公告)号：CN108630805A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201710845287.1
申请日：2017-09-19
Abstract: 根据一个实施例，磁存储装置包括磁阻元件，该磁阻元件包括具有可变磁化方向的第一磁性层(20)、具有固定磁化方向的第二磁性层(40)、以及设置在第一磁性层(20)和第二磁性层(40)之间的非磁性层(30)。第一磁性层(20)包括第一子磁性层和第二子磁性层(21，22)，每个至少包含铁(Fe)和硼(B)，以及在第一子磁性层(21)中包含的硼(B)的浓度与在第二子磁性层(22)中包含的硼(B)的浓度不同。
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公开(公告)号：CN107808681B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201710080698.6
申请日：2017-02-15
Applicant: 东芝存储器株式会社
IPC: G11C11/16
Abstract: 根据实施方式，存储装置包括磁阻元件和写入电路，所述磁阻元件包括第1磁性层、第2磁性层以及设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层，所述写入电路控制第1写入和第2写入，使电流脉冲在所述磁阻元件中流动，所述第1写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为平行状态，所述第2写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为反平行状态。所述第1写入所使用的第1脉冲模式与所述第2写入所使用的第2脉冲模式不同。
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公开(公告)号：CN107808681A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201710080698.6
申请日：2017-02-15
Applicant: 东芝存储器株式会社
IPC: G11C11/16
Abstract: 根据实施方式，存储装置包括磁阻元件和写入电路，所述磁阻元件包括第1磁性层、第2磁性层以及设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层，所述写入电路控制第1写入和第2写入，使电流脉冲在所述磁阻元件中流动，所述第1写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为平行状态，所述第2写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为反平行状态。所述第1写入所使用的第1脉冲模式与所述第2写入所使用的第2脉冲模式不同。
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