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公开(公告)号：CN105720141B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201610141887.5
申请日：2016-03-11
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L21/268
Abstract: 本发明提出一种无损伤的GaN衬底激光剥离方法，通过在蓝宝石外延的晶体材料中预生长一层激光阻挡层，该激光阻挡层包含超晶格结构或者量子阱结构，能够对逸出的高能量激光进行分布式布拉格反射或者光吸收，从而高能量激光不能进入到GaN衬底材料区域，最后避免激光对GaN外延层造成损伤。从根本上解决了在激光剥离过程中，激光对GaN衬底材料的损伤问题。
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公开(公告)号：CN106367733A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201510443168.4
申请日：2015-07-24
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 本发明公开了一种清除HVPE设备管道尾气沉积物的装置及方法。本发明设计包括了腔体与管道连接过渡区、固态氯化铵处理系统及废液收集系统相结合的尾气处理设备，并根据固态氯化铵在不同温度下具有不同的溶解速度的特点，调控固态氯化铵处理系统中喷淋溶剂的流速及喷淋时间，以溶解方式去除固态氯化铵，有效地解决反应物尾气沉积致使管道严重堵塞的问题。同时通过调控固态氯化铵处理系统中的吹扫装置及干燥用加热器，保护和保证反应系统环境的安全性及稳定性。本发明装置及方法，从根本上解决HVPE设备后续管道严重堵塞的问题，显著提高设备循环利用率，大幅降低材料生长成本，具有很大的实用价值。
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公开(公告)号：CN105986313A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510054617.6
申请日：2015-01-31
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种镓源自动补给及回收装置，设计了一种含镓舟、连通器、控制阀、附加镓舟、加热器、液位控制器、控制系统及发动机的镓源自动补给及回收装置。利用连通器的工作原理，设计控制镓源的自动补给及回收，解决HVPE技术生长氮化物半导体材料过程中，因金属镓源不断地被消耗，镓源液面不断降低，而导致在相同工艺条件下，生成的氯化镓浓度减少，严重影响氮化物材料的生长系统中源材料供给的均匀稳定性，使HVPE外延生长中出现晶体生长速率下降、晶体膜厚的工艺重复性较差，以及HVPE机台维护时残留在镓舟内剩余镓源的回收重复利用等问题。本发明装置结构合理紧凑、操作简便，能更好地保证镓源的及时补给，提高HVPE反应系统的稳定性及可靠性，增加HVPE设备的使用寿命，同时还可以利用连通器回收未用完的金属镓源，提高镓源的利用率，极具实用价值。
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公开(公告)号：CN105648524A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410650342.8
申请日：2014-11-14
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种表面处理技术对异质衬底表面进行物理化学改性，使两表面呈现不同表面态，再通过HVPE技术在异质衬底的上表面外延生长高品质氮化物单晶层(以供作器件制备)，同时在下表面生长氮化物多晶层，从而达到原位控制基片弯曲度的方法。本发明可有效地降低基片对外延层的压应力作用，使其在生长的过程中同时实现降低外延层中的残余应力、位错等缺陷，达到提高外延层的晶体质量。本发明最大优点是基片表面处理技术简单，容易控制，稳定性能好，而且不需改造常规HVPE系统，也不需要引进第三异质外延层，只需对基片进行简单预处理，控制HVPE氮化物生长条件,便可得到曲率半径满足后续器件制备要求的高品质氮化物复合衬底，用于制备高光学和电学性能的光电子和微电子器件，改进器件品质，提高产品良率。
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公开(公告)号：CN107134406B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201710316317.X
申请日：2017-05-08
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , B23K26/57
Abstract: 一种制备氮化物自支撑衬底的方法，包括以下步骤：选取待加工的蓝宝石基底，该蓝宝石基底由至少两个经加工整形后的子蓝宝石基底拼接形成；在蓝宝石基底上沉积氮化物形成氮化物层；进行激光剥离，使激光从蓝宝石基底所在侧入射，对蓝宝石基底进行全面扫描，根据激光扫描的先后顺序，各个子蓝宝石基底依次与氮化物层分离，从而制备出氮化物自支撑衬底。本发明有利于应力释放，很大程度上降低了激光剥离技术的难度，解决激光剥离中氮化物单晶层碎裂的问题，从而能够得到完整的大尺寸氮化物自支撑衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106956211B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201710136968.0
申请日：2017-03-09
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: B24B37/10 , B24B37/005 , B24B37/34 , B24B39/06
Abstract: 本发明公开了一种单面抛光装置，包括下抛光盘和设在该下抛光盘内的游星轮，下抛光盘通过下转轴与驱动机构连接，游星轮内设有用于放置待抛光材料的通孔，所述游星轮的通孔中活动放置有压住待抛光材料的压重块，该压重块上装设有压重控制系统，该压重控制系统包括竖杆、横杆和上旋转轴，竖杆的下端与压重块连接、上端与横杆一端连接，横杆另一端与上旋转轴连接。本发明通过压重控制系统，调节压重块的位置与重心，来控制待抛光材料的抛光表面各处的压力值，从而得到良好的抛光后表面质量。
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公开(公告)号：CN106367733B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201510443168.4
申请日：2015-07-24
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: C23C16/44
Abstract: 本发明公开了一种清除HVPE设备管道尾气沉积物的装置及方法。本发明设计包括了腔体与管道连接过渡区、固态氯化铵处理系统及废液收集系统相结合的尾气处理设备，并根据固态氯化铵在不同温度下具有不同的溶解速度的特点，调控固态氯化铵处理系统中喷淋溶剂的流速及喷淋时间，以溶解方式去除固态氯化铵，有效地解决反应物尾气沉积致使管道严重堵塞的问题。同时通过调控固态氯化铵处理系统中的吹扫装置及干燥用加热器，保护和保证反应系统环境的安全性及稳定性。本发明装置及方法，从根本上解决HVPE设备后续管道严重堵塞的问题，显著提高设备循环利用率，大幅降低材料生长成本，具有很大的实用价值。
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公开(公告)号：CN106238414B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201610611552.5
申请日：2016-07-30
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 一种用于清洗Source的支架，包括镓舟支撑件、进气管固定件和滑轨，所述镓舟支撑件包括镓舟支撑横梁和与该镓舟支撑横梁连接的镓舟支撑包覆层，所述镓舟支撑横梁安装在滑轨上，所述进气管固定件通过进气管横梁安装在滑轨上。所述镓舟支撑件还包括至少一根镓舟支撑带，该镓舟支撑带上端与镓舟支撑横梁连接、下端与镓舟支撑包覆层连接。本发明实现了Source安全地被固定与支撑，避免安全事故的发生；Source置于清洗剂中的高度可调且能高度保持，更有利于Source的清洗工作。
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公开(公告)号：CN105862132A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610373655.2
申请日：2016-05-30
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/14 , C30B25/16
Abstract: 本发明公开了一种在HVPE中高速率稳定生长GaN晶体材料的方法：将从盛放液态Ga的Ga舟通入的HCl气体，在通过本发明?改善的HCl气体流通途径时，与金属Ga充分混合而反应生成GaCl气体，从液态Ga的上部液面逸出后，导入生长区与NH3反应生成GaN以供生长。本方法，由于避免HCl气体直接进入生长区及籽晶附近，所以提高GaN晶体材料的生长速率；并且，由于增加反应时间，可改善Ga液面下降引起生长区GaCl浓度变化致使GaN生长速度下降的问题，从而提高GaN晶体生长的稳定性。
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公开(公告)号：CN102828239A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210306671.1
申请日：2012-08-24
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种通过缺陷应力去除技术自分离氮化镓单晶材料制备自支撑衬底的方法，降低衬底内部缺陷及残余应力，提高衬底的断裂强度和表面特性。本发明利用缺陷应力去除技术对衬底的内部缺陷及残余应力进行去除，提高衬底的断裂强度和表面特性，在MOCVD中，生长GaN单晶薄膜，于HVPE中进行高质量的GaN单晶厚膜的快速生长，利用GaN和衬底之间的热膨胀系数差，从而获得自分离自支撑GaN衬底。本发明适合于产业化的大批量生产GaN单晶自支撑衬底，可以获得能够满足光电子和微电子器件要求的、高光学和电学性能的、可用于同质外延的GaN单晶自支撑衬底。
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