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公开(公告)号：CN115321552B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202211035869.0
申请日：2022-08-27
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种机械力化学法合成的砷化硼纳米晶体及其制备方法与应用。通过该方法可获得颗粒尺寸在100‑200nm的纳米晶体。所述的方法为，在室温条件下，将As粉，硼氧化合物粉，镁颗粒和少量氯化钠按照比例配合后，装入球磨罐中，进行机械力化学反应一定时间后，取出混合粉末，经过加热过程进行砷回收，产物净化除杂后即可获得纳米晶体粉末。获得的纳米粉末是一种中带隙的半导体材料(Eg:～3.0‑3.3eV)，具有丰富的硼二十面体结构，在核辐射防护和光电材料领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN114822976B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202210477572.3
申请日：2022-04-28
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种铁砷化合物的制备方法，包括步骤：S1，将铁粉和砷粉按1‑2:1‑2的摩尔比在惰性气氛的保护下混合；S2，完成混合后，在惰性气氛的保护下进行压制处理；S3，对成型后的混合粉体在负压下进行600‑1000℃的煅烧处理，得铁砷块体；S4，将所述铁砷块体进行研磨处理，得铁砷粉体；然后对所述铁砷粉体依次进行0.5‑2mol/L浓度的酸洗处理和0.5‑1mol/L浓度的酸洗处理，得所述铁砷化合物。本发明为一种快速、高效且低成本制备不同铁砷纯化合物粉体的方法，能够获得三种纯净的铁砷化合物，从而用于铁砷基高纯度材料的合成。
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公开(公告)号：CN115807211B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310083671.8
申请日：2023-02-08
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种砷磷薄膜材料的制备方法及装置。所述砷磷薄膜材料的制备方法为在真空条件下，在400~450℃下加热使所述黑磷砷晶体挥发，沉积至基底上，在所述基底上形成所述砷磷薄膜材料；其中，所述基底位于所述黑磷砷晶体的上方。该方法简单易操作，解决了现有技术砷磷薄膜材料尺寸小、厚度最薄仅能达到微米级且厚度不可控，且难获得大面积均匀厚度的砷磷薄膜材料，或是容易引入有机杂质等问题。制备得到的砷磷薄膜材料可作为前驱体，用于大面积黑磷砷二维薄膜的制备，从而应用于半导体器件的制作。
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公开(公告)号：CN115321552A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211035869.0
申请日：2022-08-27
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种机械力化学法合成的砷化硼纳米晶体及其制备方法与应用。通过该方法可获得颗粒尺寸在100‑200nm的纳米晶体。所述的方法为，在室温条件下，将As粉，硼氧化合物粉，镁颗粒和少量氯化钠按照比例配合后，装入球磨罐中，进行机械力化学反应一定时间后，取出混合粉末，经过加热过程进行砷回收，产物净化除杂后即可获得纳米晶体粉末。获得的纳米粉末是一种中带隙的半导体材料(Eg:～3.0‑3.3eV)，具有丰富的硼二十面体结构，在核辐射防护和光电材料领域具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN113481597A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110768894.9
申请日：2021-07-07
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种Zn‑P‑As单晶的制备方法，单质As与单质P放置处定义为a端，与a端相对应的用于结晶的另一端定义为c端，a端和c端之间的ZnO放置处定义为b端；保护性气氛或真空的密闭环境下，将单质As、单质P和ZnO按位置放好后，控制a端温度为870℃～890℃，c端温度为810℃～830℃，经保温晶体生长得到Zn‑P‑As单晶。本发明得到一种新型半导体单晶材料，具有与化学计量比为3:5:2.6的Zn3P5As2.6晶体材料一致的结构，正交晶系，空间群为Cmcm；与单晶Si(Eg:1.1～1.3eV)的带隙接近，在新型电子器件以及光伏领域具有潜在的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113265703A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110464611.1
申请日：2021-04-28
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种金属砷晶体中残余碘的高效脱除方法。在密闭容器中，加入特制的活性炭核壳材料，将含有碘的待处理金属砷晶体在特定温控体系下进行退火，并同步将退火气氛冷凝处理。本发明在维持As的晶体结构及形态条件下，有效改善砷和碘的分离选择性，有助于获得超高纯度的抗氧化金属砷晶体。
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公开(公告)号：CN113136489A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110307702.4
申请日：2021-03-23
Applicant: 中南大学 , 西藏恒琨冶炼有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高砷烟灰解毒并资源化的同步处理方法，惰性气氛下，将高砷烟灰、MeS源和热熔剂Me或MeO先进行混合球磨，再进行高温烧结即得MeAs产物，其中Me为金属元素铜、铁、锌或铝。本发明方法操作简单、流程短，一步就能实现高砷烟灰的解毒和资源化利用，为制备金属砷合金产品提供了一条新路线。
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公开(公告)号：CN115259174B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211044183.8
申请日：2022-08-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种采用氧化物制备的砷化硼纳米晶体及其制备方法和应用。在空气中将三氧化二砷、硼氧化合物粉和镁颗粒按照比例配合后，装入球磨罐中，进行一定时间的机械力化学反应后，去除混合粉末中杂质，经湿磨净化+酸处理，即可得到砷化硼(如：B12As2)纳米晶体粉末。该方法操作简便，可将三氧化二砷转化为化学性质稳定、热稳定性高的砷化硼，其在核辐射防护、同位素放射电池和相关光电材料领域具有潜在的应用前景。同时该技术还可推广应用进行含三氧化二砷废渣或烟尘的无害化、稳定化处理。
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公开(公告)号：CN115807211A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202310083671.8
申请日：2023-02-08
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种砷磷薄膜材料的制备方法及装置。所述砷磷薄膜材料的制备方法为在真空条件下，在400~450℃下加热使所述黑磷砷晶体挥发，沉积至基底上，在所述基底上形成所述砷磷薄膜材料；其中，所述基底位于所述黑磷砷晶体的上方。该方法简单易操作，解决了现有技术砷磷薄膜材料尺寸小、厚度最薄仅能达到微米级且厚度不可控，且难获得大面积均匀厚度的砷磷薄膜材料，或是容易引入有机杂质等问题。制备得到的砷磷薄膜材料可作为前驱体，用于大面积黑磷砷二维薄膜的制备，从而应用于半导体器件的制作。
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公开(公告)号：CN115259174A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202211044183.8
申请日：2022-08-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种采用氧化物制备的砷化硼纳米晶体及其制备方法和应用。在空气中将三氧化二砷、硼氧化合物粉和镁颗粒按照比例配合后，装入球磨罐中，进行一定时间的机械力化学反应后，去除混合粉末中杂质，经湿磨净化+酸处理，即可得到砷化硼(如：B12As2)纳米晶体粉末。该方法操作简便，可将三氧化二砷转化为化学性质稳定、热稳定性高的砷化硼，其在核辐射防护、同位素放射电池和相关光电材料领域具有潜在的应用前景。同时该技术还可推广应用进行含三氧化二砷废渣或烟尘的无害化、稳定化处理。
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